可进行高密度光存储的有机硅树脂－SiO*复合玻璃材料及制备制造技术

本发明专利技术属于光存储材料领域，涉及高密度光谱烧孔存储材料及制备。本发明专利技术的这种玻璃主要以有机硅树脂和无机硅酸盐为主要成分，其成分表达式为ｘＣＨ↓［２］ＯＣＨＣＨ↓［２］Ｏ（ＣＨ↓［２］）↓［３］Ｓｉ（ＯＣＨ↓［３］）↓［３］－（１００－ｘ）ＳｉＯ↓［２］，并掺有少量稀土离子铕，其中，３０＞ｘ＞６０。本发明专利技术将Ｓｉ（ＯＣ↓［２］Ｈ↓［５］）↓［４］溶于乙醇、水和盐酸的混合溶液并进行脱水１小时，然后将ＣＨ↓［２］ＯＣＨ（ＣＨ↓［２］Ｏ）↓［３］Ｓｉ（ＯＣＨ↓［３］）↓［３］加入此溶液，再将溶有ＥｕＣｌ↓［３］．６Ｈ↓［２］Ｏ的乙醇溶液加入。溶液搅拌１个小时，直到均匀后被置于密封的容器中。在温度为４５℃的真空中放置一定时间后形成凝胶玻璃。本发明专利技术提供的材料烧孔效率比原有的无机玻璃材料提高了三个数量级，是目前国际上的最高指标，已经基本满足光存储实际应用的需要。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光存储材料领域，涉及高密度光谱烧孔存储材料及制备。本专利技术采用溶胶-凝胶技术，合成了有机硅-SiO2复合玻璃，并在这种玻璃基质材料中掺入稀土离子铕，实现了高效室温光谱烧孔，这种材料可用于高密度信息存储器件。
技术介绍
光谱烧孔技术在高密度光存储领域具有广阔的应用前景，国际上许多先进的国家如美国、日本等都开展了这方面的研究。所谓光谱烧孔，就是利用窄带激光进行选择激发，使吸收光谱相应的频率位置出现一个凹陷，形成一个光谱孔。利用光谱烧孔技术，在非均匀线型内不同的频率位置处进行烧孔，相当于在一个空间点上存储多个信息，使存储维度提高，从而提高了存储密度。在低温下，用光谱烧孔进行存储的密度可以比一般空间方法存储提高三个数量级。对于绝大多数固体中的离子，由于室温下的谱线急剧展宽，90年代以前烧孔只能在低温下进行。1991年，国际上实现了室温光谱烧孔，使光谱烧孔应用于光存储向前迈进了一步。近十年来，人们先后在二价钐和三价铕离子掺杂的混晶材料和玻璃材料中实现了室温光谱烧孔。但是，这类无机基质材料的弱点是烧孔效率低，烧孔需要很高的激光功率密度，难于满足光存储中多束光高度并行的需要。专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可进行高密度光存储的有机硅树脂－ＳｉＯ↓［２］复合玻璃材料，其特征是主要以有机硅树脂和无机硅酸盐为主要成分，其主要成分表达式为ｘＣＨ↓［２］ＯＣＨＣＨ↓［２］Ｏ（ＣＨ↓［２］）↓［３］Ｓｉ（ＯＣＨ↓［３］）↓［３］－（１００－ｘ）ＳｉＯ↓［２］，并掺有少量稀土离子铕，铕的掺入量为１Ｗｔ％，其中，３０＞ｘ＞６０。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：宋宏伟，王铁，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：82[中国|长春]