低介电常数材料及其制备方法技术

本发明专利技术涉及低介电常数聚合物和生产这些低介电常数聚合物，介电材料和层，以及电子组件的方法。在本发明专利技术的一个方面，提供了热固性单体的异构混合物，其中该单体具有芯结构和多个分支，以及将热固性单体的异构混合物聚合，其中聚合包括位于单体的至少一个分支上的乙炔基的反应。在本发明专利技术主题的另一个方面，形成了具有带芳族结构部分和第一反应基的第一骨架和带芳族结构部分和第二反应基的第二骨架的旋压低介电常数材料，其中第一和第二骨架通过该第一和第二反应基在优选不用附加交联剂的交联反应中交联，和其中具有至少８个原子的一个笼形结构共价连接于该第一和第二骨架的至少一个。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，尤其具有有机低介电常数材料的半导体器件和它们的制备方法。
技术介绍
在增加半导体器件的性能和速度的努力中，半导体器件生产商已在寻求减小互连的线宽和间距，同时将互连的传输损失和电容耦合减至最小。减少电力消耗和电容耦合的一种方法是减小分隔互连的绝缘材料或电介质的介电常数(还称之为“k”)。具有低介电常数的绝缘材料是特别理想的，因为它们一般使信号传播更快，减少了在导线之间的电容效应和串音，以及降低了驱动集成电路所需的电压。因为空气具有1.0的介电常数，所以主要目的是将绝缘材料的介电常数减低到1.0的理论极限，并且在本领域中已知有减小绝缘材料的介电常数的几种方法。这些技术包括将元素如氟加入到组合物中以减小本体材料(bulkmaterial)的介电常数。减小k的其它方法包括使用备择的介电材料基质。因此，当互连线宽减小时，要求绝缘材料的介电常数的伴随降低，以获得未来半导体器件所需的改进性能和速度。例如，具有等于或小于0.13或0.10微米的互连线宽的器件寻求具有＜3的介电常数(k)的绝缘材料。目前使用二氧化硅(SiO2)和SiO2的改性变体，如氟化二氧化硅或氟化硅玻璃本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种异构热固性单体混合物，其中该混合物包括具有以下结构式的至少一种单体：＊＊＊其中Ｙ选自笼形化合物和硅原子，以及Ｒ↓［１］、Ｒ↓［２］、Ｒ↓［３］和Ｒ↓［４］独立选自芳基，支化芳基和亚芳基醚，和其中芳基、支化芳基和亚芳基醚的至少一个具有一个乙炔基。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：P阿彭，K劳，FQ刘，B科罗勒夫，E布罗克，R泽雷宾，D纳勒瓦耶克，R梁，
申请(专利权)人：P阿彭，K劳，FQ刘，B科罗勒夫，E布罗克，R泽雷宾，D纳勒瓦耶克，R梁，
类型：发明
国别省市：US[美国]