光罩结构及阵列基板制造方法技术

本发明专利技术提供一种光罩结构，包括阵列分布的若干光罩单元；所述光罩单元包括：第一光罩，用以在所述阵列基板表面的对应区域形成第一透明电极；第二光罩，连接于所述第一光罩，用以在所述阵列基板表面的对应区域形成第二透明电极；其中，所述第一光罩与所述第二光罩具有不同的透光率，且所述第二光罩的透光率小于所述第一光罩的透光率；本发明专利技术的有益效果为：本发明专利技术的光罩结构，同一光罩单元包括具有两种不同照光量的光罩，能够实现阵列基板同层不同区域的光刻胶接受不同的光照量，以抵消部分区域因底部金属反光导致该区域曝光强度大于其他区域，导致的该区域光刻胶与其他区域光刻胶的高度差，从而实现同层光刻胶的各区域具有相同高度。

Photomask structure and method for manufacturing array substrate

The invention provides a mask structure, comprising a plurality of mask array distribution; the mask unit includes a first mask to form a first transparent electrode in the corresponding area of the array substrate surface; second mask, connected to the first mask to form second transparent electrodes in the corresponding area of the array substrate the surface; among them, the first and the second mask mask having different light transmittance, light transmittance and the second mask rate less than the first mask rate; the invention has the advantages that the mask structure of the invention, the same mask unit includes a mask with two different illumination light. To achieve the photoresist in different regions of the same layer array substrate accept the amount of light different, to offset part of the bottom metal reflective regions due to lead to the exposure intensity is higher than that of other areas Region, resulting in a region of photoresist and other regions of photoresist height difference, so as to achieve the same layer of photoresist area with the same height.

【技术实现步骤摘要】
光罩结构及阵列基板制造方法
本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种光罩结构以及使用所述光罩结构制备阵列基板的方法。
技术介绍
3mask技术采用Lift-off(剥离)工艺可以将ITO(像素电极)层和PV(钝化层)层用一张光罩同时形成，从而使总光罩数量减小至三张(3mask)。传统的3mask制程多数只针对TN模式，ITO并不形成狭缝图形；或者ITO形成狭缝图形，但因ITO只能沉积于挖洞处，使所有ITO层都处在SiNx(氮化硅)的凹槽中，ITO横向电场减弱，影响液晶显示效果，形成显示画面亮度不均匀的缺陷；随着技术的发展，改进后的3mask技术，PV/ITO层用一张HTM(半色调光罩)或GTM(灰阶光罩)形成，使像素区的ITO既能形成狭缝，又能覆盖在PV层上方，形成与4mask完全一样的结构。这种大面积HTM光罩，因采用同一种透过率的半透膜，在制作单层膜实验时，因光罩的缝隙较窄，导致光线部分衍射，使对应该区域的光刻胶感光量较其他区域的光刻胶少，感光量的差异导致两处光刻胶膜厚相差0.5um左右；在全制程实验中，因阵列基板过孔处下方漏极金属反光，导致漏极金属上方光罩的对应区域曝光量增强，致使对应该区域已经较薄的光刻胶被再次减薄，甚至消失，进而导致后面干刻蚀制程时ITO被刻蚀而削弱，致使ITO爬坡断线。综上所述，现有技术的HTM光罩，各区域均采用同一种透过率的半透膜，致使在制备阵列基板时，同一层ITO表面不同区域的光刻胶存在膜厚差异，甚至致使较薄光刻胶消失，进而导致后面干刻蚀制程时ITO被刻蚀而削弱，致使ITO爬坡断线。
技术实现思路
本专利技术提供一种光罩结构，能够对阵列基板的不同区域实现不同的照光量，以解决现有技术的HTM光罩，各区域均采用同一种透过率的半透膜，致使在制备阵列基板时，同一层ITO表面不同区域的光刻胶存在膜厚差异，甚至致使较薄光刻胶消失，进而导致后面干刻蚀制程时ITO被刻蚀而削弱，致使ITO爬坡断线的技术问题。为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术提供一种光罩结构，包括阵列分布的若干光罩单元，用以在显示面板的阵列基板表面形成金属图案；所述光罩单元包括：第一光罩，用以在所述阵列基板表面的对应区域形成第一透明电极；第二光罩，连接于所述第一光罩，用以在所述阵列基板表面的对应区域形成第二透明电极；其中，所述第一光罩与所述第二光罩具有不同的透光率，且所述第二光罩的透光率小于所述第一光罩的透光率，用以形成不同的照光量。所述第一光罩包括相对称设置的两狭缝区域，所述第二光罩包括用以连接两所述狭缝区域的第一连接区域，以及连接于所述第一连接区域一端的第二连接区域。根据本专利技术一优选实施例，所述第一光罩与所述第二光罩均采用半色调光罩。根据本专利技术一优选实施例，所述第一光罩采用单缝衍射光罩，所述第二光罩采用半色调光罩。根据本专利技术一优选实施例，所述第一光罩的狭缝宽度为1.6um～1.8um。所述第一光罩包括相对称设置的两狭缝区域，以及用以连接两所述狭缝区域的第一连接区域，所述第二光罩包括连接于所述第一连接区域一端的第二连接区域。根据本专利技术一优选实施例，所述第一光罩采用半色调光罩，所述第二光罩采用单缝衍射光罩。根据本专利技术的上述目的，提出一种阵列基板制造方法，所述制造方法包括：在所述基板表面形成薄膜晶体管的栅极以及栅线；在所述基板表面形成薄膜晶体管的有源层、源极、漏极、钝化层以及钝化层过孔；在所述基板表面沉积透明金属层，并在所述透明金属层表面涂布光刻胶；使用所述光罩结构对所述光刻胶进行图形化处理，其中，同时使用所述第一光罩及所述第二光罩对所述光刻胶的不同区域进行曝光；将所述光刻胶进行显影以形成光刻胶图案，然后将所述透明金属层未覆盖所述光刻胶的部分进行蚀刻，最后将所述透明金属层表面的所述光刻胶进行剥离，形成像素电极图案。根据本专利技术一优选实施例，所述第一光罩包括相对称设置的两狭缝区域，所述第二光罩包括用以连接两所述狭缝区域的第一连接区域，以及连接于所述第一连接区域一端的第二连接区域。根据本专利技术一优选实施例，所述第一光罩与所述第二光罩均采用半色调光罩。本专利技术的有益效果为：相较于现有的光罩结构，本专利技术的光罩结构，同一光罩单元包括具有两种不同照光量的光罩，能够实现阵列基板同层不同区域的光刻胶接受不同的光照量，以抵消部分区域因底部金属反光导致该区域曝光强度大于其他区域，导致的该区域光刻胶与其他区域光刻胶的高度差，从而实现同层光刻胶的各区域具有相同高度；解决了现有技术的HTM光罩，各区域均采用同一种透过率的半透膜，致使在制备阵列基板时，同一层ITO表面不同区域的光刻胶存在膜厚差异，甚至致使较薄光刻胶消失，进而导致后面干刻蚀制程时ITO被刻蚀而削弱，致使ITO爬坡断线的技术问题。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术光罩结构示意图；图2为本专利技术光罩结构一光罩单元结构示意图；图3为本专利技术光罩结构又一光罩单元结构示意图；图4为本专利技术光罩结构再一光罩单元结构示意图；图5为本专利技术的阵列基板制造方法流程图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。本专利技术针对现有技术的HTM光罩，各区域均采用同一种透过率的半透膜，致使在制备阵列基板时，同一层ITO表面不同区域的光刻胶存在膜厚差异，甚至致使较薄光刻胶消失，进而导致后面干刻蚀制程时ITO被刻蚀而削弱，致使ITO爬坡断线的技术问题；本实施例能够解决该缺陷。如图1所示，本专利技术提供的光罩结构，包括透明基底101，所述透明基底101表面设置有若干阵列分布的光罩单元102，所述光罩单元102包括有遮光区以及透光区，所述透光区为镂空图案，通过曝光可将镂空图案转移至光刻胶表面，将所述光刻胶进行显影以形成光刻胶图案，然后将所述透明金属层未覆盖所述光刻胶的部分进行蚀刻，最后将所述透明金属层表面的所述光刻胶进行剥离，形成电极图案。3mask工艺的阵列基板，包括玻璃基板，以及阵列分布于所述玻璃基板表面的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括形成于所述玻璃基板表面的金属遮光层、位于所述金属遮光层上方的有源层、位于所述有源层上方的栅极、位于所述栅极上方且连接所述有源层一侧的源极以及连接所述有源层另一侧的漏极；所述薄膜晶体管的源、漏极表面制备有钝化层，所述钝化层表面制备有像素电极，所述钝化层对应于所述薄膜晶体管的漏极区域开设像素电极过孔，用于实现像素电极与所述薄膜晶体管的漏极的电性连接。所述像素电极包括用以形成驱动液晶偏转的电场的狭缝区域，以及用于连接所述薄膜晶体管的漏极的连接区域，所述连接区域位于所述像素电极过孔上方。所述光罩单元102包括第一光罩以及第二光罩；所述第一光罩，用以在所述阵列基板表面的对应区域形成第一透明电极；本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光罩结构，其特征在于，包括阵列分布的若干光罩单元，用以在显示面板的阵列基板表面形成金属图案；所述光罩单元包括：第一光罩，用以在所述阵列基板表面的对应区域形成第一透明电极；第二光罩，连接于所述第一光罩，用以在所述阵列基板表面的对应区域形成第二透明电极；其中，所述第一光罩与所述第二光罩具有不同的透光率，且所述第二光罩的透光率小于所述第一光罩的透光率,用以形成不同的照光量。

【技术特征摘要】
1.一种光罩结构，其特征在于，包括阵列分布的若干光罩单元，用以在显示面板的阵列基板表面形成金属图案；所述光罩单元包括：第一光罩，用以在所述阵列基板表面的对应区域形成第一透明电极；第二光罩，连接于所述第一光罩，用以在所述阵列基板表面的对应区域形成第二透明电极；其中，所述第一光罩与所述第二光罩具有不同的透光率，且所述第二光罩的透光率小于所述第一光罩的透光率,用以形成不同的照光量。2.根据权利要求1所述的光罩结构，其特征在于，所述第一光罩包括相对称设置的两狭缝区域，所述第二光罩包括用以连接两所述狭缝区域的第一连接区域，以及连接于所述第一连接区域一端的第二连接区域。3.根据权利要求1或2所述的光罩结构，其特征在于，所述第一光罩与所述第二光罩均采用半色调光罩。4.根据权利要求1或2所述的光罩结构，其特征在于，所述第一光罩采用单缝衍射光罩，所述第二光罩采用半色调光罩。5.根据权利要求4所述的光罩结构，其特征在于，所述第一光罩的狭缝宽度为1.6um～1.8um。6.根据权利要求1所述的光罩结构，其特征在于，所述第一光罩包括相对称设置的两狭缝区域，以及用以连接两所述狭缝区域的第一连接区域，...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐洪远，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44