电连接结构、阵列基板及绝缘覆盖层的制作方法技术

一种电连接结构的制作方法，包括：提供相互电性连接的连接垫与连接线，该连接垫与该连接线均为金属层；形成覆盖所述连接线的绝缘覆盖层；以及通过一掩膜对所述绝缘覆盖层进行曝光，其中，所述掩膜包括一第一半透光区与一第二半透光区，所述第一半透光区对应所述距离该绝缘覆盖层较近的金属层的位置，所述第二半透光区对应其他区域设置，所述第一半透光区的透光率低于所述第二半透光区的透光率。本发明专利技术还提供一种阵列基板的制作方法以及一种绝缘覆盖层的制作方法。本发明专利技术所由于在曝光时使用不同透光率的掩膜遮蔽所述绝缘覆盖层，能够有效的降低在曝光时绝缘覆盖层与金属层对应位置的光线强度，使绝缘覆盖层不易被光线破坏，得到平坦的绝缘覆盖层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电连接结构的制作方法、一种阵列基板的制作方法以及一种绝缘覆盖层的制作方法。
技术介绍
液晶显示面板通常包括阵列基板、对向基板及夹设在所述阵列基板与对向基板之间的液晶层，通过控制所述液晶层中液晶分子的旋转以控制光线的通过量，进而实现画面显示。其中，该阵列基板包括诸如薄膜晶体管、存储电容以及位于阵列基板周边的连接垫、连接线等结构。在形成上述结构之后，通常形成一覆盖上述结构的绝缘覆盖层，例如形成一平坦化层，并对所述绝缘覆盖层进行曝光。然而，对所述绝缘覆盖层进行曝光容易使绝缘覆盖层的表面不平整，影响阵列基板的稳定性。
技术实现思路
鉴于此，有必要提供一种电连接结构的制作方法，包括：提供相互电性连接的连接垫与连接线，该连接垫与该连接线均为金属层；形成覆盖所述连接线的绝缘覆盖层；以及通过一掩膜对所述绝缘覆盖层进行曝光，其中，所述掩膜包括一第一半透光区与一第二半透光区，所述第一半透光区对应所述距离该绝缘覆盖层较近的金属层的位置，所述第二半透光区对应其他区域设置，所述第一半透光区的透光率低于所述第二半透光区的透光率。还有必要提供一种阵列基板的制作方法，包括：提供薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源极、漏极、通道层以及栅极，所述源极、漏极与栅极均为金属层；形成覆盖所述薄膜晶体管的绝缘覆盖层；以及通过一掩膜遮对所述绝缘覆盖层进行曝光，所述掩膜包括第一掩膜区与第二掩膜区，所述第一掩膜区对应所述距离该绝缘覆盖层较近的金属层的位置，所述第二掩膜区对应其他区域设置，所述第一掩膜区的透光率低于所述第二掩膜区的透光率。还有必要提供一种绝缘覆盖层的形成方法，包括：在一具有金属层的基板上形成一覆盖所述金属层的绝缘覆盖层；以及通过一掩膜对所述绝缘覆盖层进行曝光，其中，所述掩膜包括一第一半透光区与一第二半透光区，所述第一半透光区对应所述金属层的位置，所述第二半透光区对应其他区域设置，所述第一半透光区的透光率低于所述第二半透光区的透光率。与现有技术相对比，本专利技术具体实施方式提供的电连接结构、阵列基板及绝缘覆盖层的制作方法由于在曝光时使用不同透光率的掩膜遮蔽所述绝缘覆盖层，能够有效的降低在曝光时绝缘覆盖层与金属层对应位置的光线强度，使绝缘覆盖层不易被光线破坏，进而得到平坦的绝缘覆盖层。附图说明图1是本专利技术具体实施方式电连接结构的制作方法的流程图。图2至图6是图1中各步骤的分步示意图。图7是本专利技术具体实施方式阵列基板的制作方法的流程图。图8至图13是图7中各步骤的分步示意图。主要元件符号说明液晶显示面板1阵列基板10对向基板11液晶层12基板100缓冲层105栅极114连接垫118绝缘层122连接垫孔172接触孔174通道层132源极142漏极144绝缘覆盖层152像素电极162连接线146掩膜200、300第二半透光区220第一半透光区230第一掩膜区310第二掩膜区320子掩膜区330如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式在液晶显示器中阵列基板的形成过程中，经常会在阵列基板上的电连接结构上形成一绝缘覆盖层，如钝化层，之后对该绝缘覆盖层进行曝光以在所述绝缘覆盖层上开孔或对所述绝缘覆盖层漂白。然而，对所述绝缘覆盖层进行曝光容易使该绝缘覆盖层的表面不平整。经研究发现，导致所述绝缘覆盖层不平整的原因主要在于对所述绝缘覆盖层进行曝光时该由金属层形成的电连接结构会把曝光的光线反射至所述绝缘覆盖层，导致该绝缘覆盖层受到了双重曝光，进而使得该绝缘覆盖层的表面被破坏。因此，在本专利技术具体实施方式中，通过提供透光率有差异的掩膜，降低与所述电连接结构金属层对应位置的掩膜的光线透射率，由此降低与所述电连接结构对应位置的光线强度，防止所述绝缘覆盖层因光线强度过高而损坏，进而得到平坦的绝缘覆盖层。下面详细举例进行说明。请参阅图1，为本专利技术具体实施方式所提供的电连接结构的制作方法的流程图。所应说明的是，本专利技术电连接结构的制作方法并不受限于下述步骤的顺序，且在其他实施方式中，本实施例电连接结构的制作方法可以只包括以下所述步骤的其中一部分，或者其中的部分步骤可以被删除。本实施方式中的电连接结构是形成在一阵列基板的非显示区域中。下面结合图1各流程步骤的说明对本专利技术具体实施方式所提供的电连接结构的制作方法进行详细介绍。步骤S201，请参阅图2，提供基板100，在所述基板100上形成缓冲层105，并在所述缓冲层105上形成连接垫118。具体地，首先在所述基板100上形成一覆盖所述基板100的缓冲层105。接着，在所述缓冲层105上形成一覆盖所述缓冲层105的金属层。之后，通过黄光制程图案化所述金属层以形成所述连接垫118。在本实施方式中，所述基板100的材质选自透明基材，例如玻璃、石英或有机聚合物等。所述缓冲层105的材质选自透明绝缘材料，例如氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅等。所述连接垫118的材质选自铝、钛、钼、钽、铜等金属。可以理解，所述缓冲层105不是必要的，在其它实施方式中，所述连接垫118可直接形成在所述基板100上。步骤S202，请参阅图3，形成覆盖所述缓冲层105以及连接垫118的绝缘层122，并在所述绝缘层122对应所述连接垫118的位置形成连接垫孔172。具体地，首先形成覆盖所述缓冲层105以及连接垫118的绝缘层122。接着，通过黄光制程图案化所述绝缘层122以在所述绝缘层122对应所述连接垫118的位置形成连接垫孔172。在本实施方式中，所述绝缘层122的材质选自透明绝缘材料，例如氧化铝、氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅等。步骤S203，请参阅图4，在所述绝缘层122上形成连接线146，所述连接线146通过所述连接垫孔172与所述连接垫118电性连接。在本实施方式中，所述连接线146在所述基板100上的投影面积大于所述连接垫118在所述基板100上的投影面积。具体地，首先在所述绝缘层122与通道层132上形成一金属层。之后通过黄光制程图案化所述金属层以形成所述连接线146。在本实施方式中，所述连接线146的材质选自铝、钛、钼、钽、铜等金属。经由上述步骤，该连接线146与该连接垫118经由该连接垫孔172构成电性连接，从而形成电连接结构。可以理解，本专利技术的电连接结构并不限于本实施例所列，还可包括其他层结构，如具有半导体层结构的其他类型电连接结构。步骤S204，请参阅图5，形成覆盖所述连接线146以及绝缘层122上的绝缘覆盖层152。在本实施方式中，所述绝缘覆盖层152为一钝化层，所述绝缘覆盖层152选自常作为钝化层的有机材料，例如采用聚碳酸酯(PC)以及苯并环乙烯(BCB)等。步骤S205，请参阅图6，通过一掩膜200对所述绝缘覆盖层152进行曝光，所述掩膜200对应所述电连接结构中金属线所在区域，如连接线146，的位置定义有第一半透光区230，所述掩膜200对应非金属线所在区域的位置定义有第二半透光区220，所述第一半透光区230的透光率低于所述第二半透光区220的透光率。在本实施方式中，所述第一半透光区230透光率的范围在5%-90%之间。优选地，所述第一半透光区230透光率的范围在20%-80%之间。经过光线的照射，与该第二半透光区220位置对应的绝缘覆盖层152被光线漂白，增加了光线的透射率，从而形成了钝化层；而与该第一半本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电连接结构的制作方法，包括：提供相互电性连接的连接垫与连接线，该连接垫与该连接线均为金属层；形成覆盖所述连接线的绝缘覆盖层；以及通过一掩膜对所述绝缘覆盖层进行曝光，其中，所述掩膜包括一第一半透光区与一第二半透光区，所述第一半透光区对应所述距离该绝缘覆盖层较近的金属层的位置，所述第二半透光区对应其他区域设置，所述第一半透光区的透光率低于所述第二半透光区的透光率。

【技术特征摘要】
1.一种电连接结构的制作方法，包括：提供相互电性连接的连接垫与连接线，该连接垫与该连接线均为金属层；形成覆盖所述连接线的绝缘覆盖层；以及通过一掩膜对所述绝缘覆盖层进行曝光，其中，所述掩膜包括一第一半透光区与一第二半透光区，所述第一半透光区对应所述距离该绝缘覆盖层较近的金属层的位置，所述第二半透光区对应其他区域设置，所述第一半透光区的透光率低于所述第二半透光区的透光率。2.如权利要求1所述的电连接结构的制作方法，其特征在于，所述连接线距离该绝缘覆盖层的距离小于该连接垫距离该绝缘覆盖层的距离。3.如权利要求1所述的电连接结构的制作方法，其特征在于，所述连接线在所述基板上的投影面积大于所述连接垫在所述基板上的投影面积。4.如权利要求1所述的电连接结构的制作方法，其特征在于，所述第一半透光区透光率的范围在20%至80%之间。5.一种阵列基板的制作方法，包括：提供薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源极、漏极、通道层以及栅极，所述源极、漏极与栅极均为金属层；形成覆盖所述薄膜晶体管的绝缘覆盖层；以及通过一掩膜遮对所述绝缘覆盖层进行曝光，所述掩膜包括第一掩膜区与第二掩膜区，所述第一掩膜区对应所述距离该绝缘覆盖层较近的金属层的位置，所述第二掩膜区对应其他区域设置，所述第一掩膜区的透光率低于所述第二掩膜区的透光率。6.如权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一掩膜区对应所述源极与漏极的位置，所述第二掩膜区对应其他区域设置。7.如权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖金阅，刘家麟，戴延樘，吕宏哲，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44