电连接结构、阵列基板及绝缘覆盖层的制作方法技术

一种电连接结构的制作方法，包括：提供相互电性连接的连接垫与连接线，该连接垫与该连接线均为金属层；形成覆盖所述连接线的绝缘覆盖层；以及通过一掩膜对所述绝缘覆盖层进行曝光，其中，所述掩膜包括一第一半透光区与一第二半透光区，所述第一半透光区对应所述距离该绝缘覆盖层较近的金属层的位置，所述第二半透光区对应其他区域设置，所述第一半透光区的透光率低于所述第二半透光区的透光率。本发明专利技术还提供一种阵列基板的制作方法以及一种绝缘覆盖层的制作方法。本发明专利技术所由于在曝光时使用不同透光率的掩膜遮蔽所述绝缘覆盖层，能够有效的降低在曝光时绝缘覆盖层与金属层对应位置的光线强度，使绝缘覆盖层不易被光线破坏，得到平坦的绝缘覆盖层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电连接结构的制作方法、一种阵列基板的制作方法以及一种绝缘覆盖层的制作方法。
技术介绍
液晶显示面板通常包括阵列基板、对向基板及夹设在所述阵列基板与对向基板之间的液晶层，通过控制所述液晶层中液晶分子的旋转以控制光线的通过量，进而实现画面显示。其中，该阵列基板包括诸如薄膜晶体管、存储电容以及位于阵列基板周边的连接垫、连接线等结构。在形成上述结构之后，通常形成一覆盖上述结构的绝缘覆盖层，例如形成一平坦化层，并对所述绝缘覆盖层进行曝光。然而，对所述绝缘覆盖层进行曝光容易使绝缘覆盖层的表面不平整，影响阵列基板的稳定性。
技术实现思路
鉴于此，有必要提供一种电连接结构的制作方法，包括：提供相互电性连接的连接垫与连接线，该连接垫与该连接线均为金属层；形成覆盖所述连接线的绝缘覆盖层；以及通过一掩膜对所述绝缘覆盖层进行曝光，其中，所述掩膜包括一第一半透光区与一第二半透光区，所述第一半透光区对应所述距离该绝缘覆盖层较近的金属层的位置，所述第二半透光区对应其他区域设置，所述第一半透光区的透光率低于所述第二半透光区的透光率。还有必要提供一种阵列基板的制作方法，包括：提供薄膜晶体管，所述薄膜晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电连接结构的制作方法，包括：提供相互电性连接的连接垫与连接线，该连接垫与该连接线均为金属层；形成覆盖所述连接线的绝缘覆盖层；以及通过一掩膜对所述绝缘覆盖层进行曝光，其中，所述掩膜包括一第一半透光区与一第二半透光区，所述第一半透光区对应所述距离该绝缘覆盖层较近的金属层的位置，所述第二半透光区对应其他区域设置，所述第一半透光区的透光率低于所述第二半透光区的透光率。

【技术特征摘要】
1.一种电连接结构的制作方法，包括：提供相互电性连接的连接垫与连接线，该连接垫与该连接线均为金属层；形成覆盖所述连接线的绝缘覆盖层；以及通过一掩膜对所述绝缘覆盖层进行曝光，其中，所述掩膜包括一第一半透光区与一第二半透光区，所述第一半透光区对应所述距离该绝缘覆盖层较近的金属层的位置，所述第二半透光区对应其他区域设置，所述第一半透光区的透光率低于所述第二半透光区的透光率。2.如权利要求1所述的电连接结构的制作方法，其特征在于，所述连接线距离该绝缘覆盖层的距离小于该连接垫距离该绝缘覆盖层的距离。3.如权利要求1所述的电连接结构的制作方法，其特征在于，所述连接线在所述基板上的投影面积大于所述连接垫在所述基板上的投影面积。4.如权利要求1所述的电连接结构的制作方法，其特征在于，所述第一半透光区透光率的范围在20%至80%之间。5.一种阵列基板的制作方法，包括：提供薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源极、漏极、通道层以及栅极，所述源极、漏极与栅极均为金属层；形成覆盖所述薄膜晶体管的绝缘覆盖层；以及通过一掩膜遮对所述绝缘覆盖层进行曝光，所述掩膜包括第一掩膜区与第二掩膜区，所述第一掩膜区对应所述距离该绝缘覆盖层较近的金属层的位置，所述第二掩膜区对应其他区域设置，所述第一掩膜区的透光率低于所述第二掩膜区的透光率。6.如权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一掩膜区对应所述源极与漏极的位置，所述第二掩膜区对应其他区域设置。7.如权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖金阅，刘家麟，戴延樘，吕宏哲，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44