制备半色调相移光掩模坯的方法技术

本发明专利技术为制备半色调相移光掩模坯的方法，其中，含Si和N和/或O的半色调相移膜通过反应性溅射使用含硅的靶和反应性气体沉积在透明基底上。横跨多个靶施加不同的功率，从而将与迟滞曲线相关的选自金属模式、过渡模式和反应模式中的两种不同的溅射模式应用于靶。该相移膜表现令人满意的光学性质的面内均匀性。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本非临时申请根据35U.S.C.§119(a)要求2015年3月31日提交的专利申请号2015-073120的优先权，由此通过引用将其全部内容并入本文。
本专利技术涉及制备半色调相移光掩模坯的方法，该半色调相移光掩模坯被加工成半色调相移光掩模以用于半导体集成电路等的微制造。
技术介绍
在半导体
中，研究和开发的努力在持续以进一步使图案特征小型化。近来，由于包括电路图案的小型化的发展，互连图案的薄化以及用于单元构成层之间的连接的接触孔图案的小型化在发展以符合较高的LSI的集成密度，因此存在对微图案化技术的不断增长的需求。因此，与用于制造光刻微制造工艺的曝光步骤中使用的光掩模的技术相关联，希望具有形成更精细和精确电路图案或掩模图案的技术。通常，通过光刻法在半导体基底上形成图案时采用缩小投影。因此，在光掩模上形成的图案特征的尺寸约为在半导体基底上形成的图案特征的尺寸的4倍。在目前的光刻技术中，印刷的电路图案的尺寸显著地小于用于曝光的光的波长。因此，如果单纯地通过将电路图案的尺寸乘以4倍而形成光掩模图案，则由于曝光过程的光学干涉和其他效应，没有将所需的图案转印到半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
制备半色调相移光掩模坯的方法，包括通过使用含硅的靶和含氮和/或氧的反应性气体的反应性溅射将含硅和氮和/或氧的半色调相移膜沉积在透明基底上的步骤，其中条件是，迟滞曲线通过如下绘制：横跨靶施加恒定功率，将反应性气体供入室中，提高并接着降低反应性气体的流速以由此扫描反应性气体的流速，在反应性气体的流速的扫描时测量靶电压或电流值，以及用靶电压或电流值对反应性气体的流速作图，以及条件是，对应于等于或低于所述迟滞曲线上的反应性气体流速下限的反应性气体流速的溅射模式，对应于从高于所述迟滞曲线上的反应性气体流速下限到低于所述迟滞曲线上的反应性气体流速上限的反应性气体流速的溅射模式，和对应于等于或高于所述迟滞曲...

【技术特征摘要】
2015.03.31 JP 2015-0731201.制备半色调相移光掩模坯的方法，包括通过使用含硅的靶和含氮和/或氧的反应性气体的反应性溅射将含硅和氮和/或氧的半色调相移膜沉积在透明基底上的步骤，其中条件是，迟滞曲线通过如下绘制：横跨靶施加恒定功率，将反应性气体供入室中，提高并接着降低反应性气体的流速以由此扫描反应性气体的流速，在反应性气体的流速的扫描时测量靶电压或电流值，以及用靶电压或电流值对反应性气体的流速作图，以及条件是，对应于等于或低于所述迟滞曲线上的反应性气体流速下限的反应性气体流速的溅射模式，对应于从高于所述迟滞曲线上的反应性气体流速下限到低于所述迟滞曲线上的反应性气体流速上限的反应性气体流速的溅射模式，和对应于等于或高于所述迟滞曲线上的反应性气体流速上限的反应性气体流速的溅射模式被分别称为金属模式、过渡模式和反应模式,所述半色调相移膜通过如下沉积：将多个靶置于所述室中，以及横跨所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：高坂卓郎，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP