半色调相移光掩模坯和制造方法技术

本发明专利技术涉及半色调相移光掩模坯和制造方法。使用硅靶、惰性气体和含氮反应性气体通过反应性溅射在透明基板上形成半色调相移膜。通过扫描该反应性气体的流量并且相对于该反应性气体的流量绘制该扫描过程中的溅射电压或电流，从而绘出滞后曲线。在与大于显示该滞后的反应性气体流量的下限到小于上限的范围对应的区域中溅射的过渡模式溅射步骤中，使施加于靶的电力、惰性气体流量和/或反应性气体流量连续地或阶段地增大或减小。

Halftone phase shift photomask blank and method of manufacture

The present invention relates to a halftone phase shifting photomask blank and a method of manufacturing the same. A semi color phase shifted film is formed on a transparent substrate by reactive sputtering using a silicon target, an inert gas, and a reactive nitrogen gas. A hysteresis curve is plotted by scanning the flow rate of the reactive gas and the sputtering voltage or current during the scanning process with respect to the flow rate of the reactive gas. In the transition mode is larger than the display and lower reactive gas sputtering sputtering step flow of the lag to the upper limit of the range is less than the corresponding area in which to a target power, flow rate of inert gas and / or reactive gas flow continuously or to increase or decrease.

【技术实现步骤摘要】
半色调相移光掩模坯和制造方法
本专利技术涉及半色调相移光掩模坯及其制备方法，该半色调相移光掩模坯被加工为用于半导体集成电路等的微制造的半色调相移光掩模。
技术介绍
在半导体
中，研究和开发的努力在持续以进一步使图案特征小型化。近来，由于包括电路图案的小型化的发展，互连图案的薄化以及用于单元构成层之间的连接的接触孔图案的小型化在发展以符合更高的LSI的集成密度，因此存在对微图案化技术的不断增长的需求。因此，与用于制造光刻微制造工艺的曝光步骤中使用的光掩模的技术相关联，希望具有形成更精细和精确电路图案或掩模图案的技术。通常，通过光刻法在半导体基板上形成图案时采用缩小投影。因此，在光掩模上形成的图案特征的尺寸约为在半导体基板上形成的图案特征的尺寸的4倍。在目前的光刻技术中，印刷的电路图案的尺寸显著地小于用于曝光的光的波长。因此，如果单纯地通过将电路图案的尺寸乘以4倍而形成光掩模图案，则由于曝光过程的光学干涉和其他效应，没有将所需的图案转印于半导体基板上的抗蚀剂膜。有时，通过在光掩模上将图案形成为比实际电路图案更为复杂的形状来减轻曝光过程中的光学干涉和其他效应。可以例如通过将光学近接校本文档来自技高网...

【技术保护点】
在透明基板上具有半色调相移膜的半色调相移光掩模坯的制备方法，该方法包括如下步骤：使用含硅靶、惰性气体和含氮反应性气体通过反应性溅射在该透明基板上沉积含有硅和氮的层作为该半色调相移膜的一部分或全部，其中假定通过对整个靶施加电力，将该反应性气体供给到腔室内，增加且然后减小该反应性气体的流量以由此扫描该反应性气体的流量，在扫描该反应性气体的流量时测定溅射电压或电流值，并且绘制该溅射电压或电流值相对于该反应性气体的流量，从而画出滞后曲线，沉积含有硅和氮的层的步骤包括在与大于显示该滞后的反应性气体流量的下限至小于上限的范围对应的区域中溅射的过渡模式溅射步骤，并且在该过渡模式溅射步骤的一部分或全部中，使选...

【技术特征摘要】
2016.01.22 JP 2016-0106661.在透明基板上具有半色调相移膜的半色调相移光掩模坯的制备方法，该方法包括如下步骤：使用含硅靶、惰性气体和含氮反应性气体通过反应性溅射在该透明基板上沉积含有硅和氮的层作为该半色调相移膜的一部分或全部，其中假定通过对整个靶施加电力，将该反应性气体供给到腔室内，增加且然后减小该反应性气体的流量以由此扫描该反应性气体的流量，在扫描该反应性气体的流量时测定溅射电压或电流值，并且绘制该溅射电压或电流值相对于该反应性气体的流量，从而画出滞后曲线，沉积含有硅和氮的层的步骤包括在与大于显示该滞后的反应性气体流量的下限至小于上限的范围对应的区域中溅射的过渡模式溅射步骤，并且在该过渡模式溅射步骤的一部分或全部中，使选自对整个靶施加的电力、该惰性气体的流量、和该反应性气体的流量中的至少一个参数连续地或阶段地增加或减小。2.根据权利要求1所述的方法，其中在该过渡模式溅射步骤中,在使选自对整个靶施加的电力、惰性气体的流量、和反应性气体的流量中的至少一个参数连续地增大或减小的同时进行溅射，以致可使含有硅和氮的层在厚度方向上在组成上渐变。3.根据权利要求1所述的方法，其中在该过渡模式溅射步骤的全体中，在使选自对整个靶施加的电力、惰性气体的流量、和反应性气体的流量中的至少一个参数连续地增大或减小的同时进行溅射。4.根据权利要求1所述的方法，其中在该过渡模式溅射步骤中，在使反应性气体的流量增大或减小的同时进行溅射。5.根据权利要求1所述的方法，其中沉积含有硅和氮的层的步骤包括在对应于等于或大于显示该滞后的反应性气体流量的上限的范围的区域中溅射的反应模式溅射步骤，并且该反应模式溅射步骤在该过渡模式溅射步骤之后，或者该过渡模式溅射步骤在该反应模式溅射步骤之后。6.根据权利要求5所述的方法，其中在该反应模式溅射步骤的一部分或全体中，在使选自对整个靶施加的电力、惰性气体的流量、和反应性气体的流量中的至少一个参数连续地或阶段地增大或减小的同时进行溅射。7.根据权利要求5所述的方法，其中从该过渡模式溅射步骤到该反应模式溅射步骤，或者从该反应模式溅射步骤到该过渡模式溅射步骤，在使选自对整个靶施加的电力、惰性气体的流量、和反应性气体的流量中的至少一个参数连续地增大或减小的同时进行溅射。8.根据权利要求1所述的方法，其中沉积含有硅和氮的层的步骤包括在与等于或小于显示滞后的反应性气体流量的下限的范...

【专利技术属性】
技术研发人员：高坂卓郎，稻月判臣，金子英雄，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP