Mn-Zn-W-O类溅射靶材及其制造方法技术

提供Mn‑Zn‑W‑O类溅射靶材中耐裂性优异的溅射靶材及其制造方法。本发明专利技术的Mn‑Zn‑W‑O类溅射靶材的特征在于，在成分组成中含有Mn、Zn、W和O，在前述溅射靶材的X射线衍射中，来源于仅由Mn和O构成的锰氧化物的峰的最大峰强度PMnO与来源于W的峰的最大峰强度PW之比PMnO/Pw为0.027以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】Mn-Zn-W-O类溅射靶材及其制造方法关联申请的交叉引用本申请主张日本国专利申请2015-013577号(2015年1月27日申请)的优先权，该申请的公开内容整体并入到本文中用于参照。
本专利技术涉及Mn-Zn-W-O类溅射靶材及其制造方法，尤其涉及适合用于形成光信息记录介质的记录层的Mn-Zn-W-O类溅射靶材及其制造方法。
技术介绍
使Ar离子等撞击由合金或烧结体构成的溅射靶材的溅射法在玻璃涂层、半导体元件制造、平板显示器制造、光信息记录介质(记录型光盘)的记录层形成等广泛的
中进行。这些之中，例如光信息记录介质的
中，伴随着处理数据的增大，日益要求大容量化。在此，光信息记录介质大致区分为只读型和记录型，其中记录型可以区分为一次写入型和可擦写型这2类。作为一次写入型光盘的记录层材料，以往广泛研究了有机色素材料，但是随着近年的大容量化，无机材料也逐渐被广泛研究。现状是，作为一次写入型光盘的无机类记录层材料，钯氧化物类材料被实用化，但是，Pd是稀有金属，因此材料成本高，而作为以廉价的材料成本得到充分良好的记录特性的材料，开发了锰氧化物类材料。作为由这样的锰氧化物类材料构成的记录层，专利文献1中提出了由材料：Mn-W-Zn-O构成的Mn类记录层。而且，在专利文献1中，作为将上述Mn类记录层成膜的具体方法，公开了在Ar气体和O2气体的混合气体气氛下对Mn靶材、Cu靶材、W靶材和Zn靶材进行共溅射(多元溅射)。通过使用专利文献1所述的技术，在不使用稀有金属Pd的情况下实现了由材料：Mn-W-Zn-O构成的Mn类记录层。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公布第2013/183277号。
技术实现思路
专利技术要解决的课题在此，作为通过溅射法形成如由前述的材料：Mn-W-Zn-O构成的Mn类记录层那样含有多种元素的层的方法之一，可举出如专利文献1中所公开的那样，溅射由各自的元素构成的多个靶材的多元溅射法。此外，还有将含有多个元素的1片复合靶材作为单一靶材进行溅射的方法。多元溅射法中不仅装置大型化而成为成本上升的主要原因，而且存在容易产生组成偏差的缺点；因此以量产化的观点优选使用复合靶材。作为用于制作信息记录介质的溅射靶材，上列的专利文献1提出了包含Mn的氧化物、且上述Mn的氧化物的部分或全部以Mn的价数低于＋4的氧化物状态存在的靶材，还提出了，该靶材中，以上述氧化物状态存在的Mn的氧化物优选为不发生热分解的Mn3O4。此外，还提出了，该靶材还可以包含除Mn以外的金属或该金属的氧化物，上述金属为选自Sn、Zn、Bi、Ge、Co、W、Cu和Al的1种以上。然而，专利文献1中并未提及具体的Mn-Zn-W-O类复合溅射靶材。迄今尚未确立在成分组成中包含Mn、Zn、W和O的Mn-Zn-W-O类复合溅射靶材。于是，本专利技术的目的在于提供Mn-Zn-W-O类溅射靶材及其制造方法。用于解决课题的手段本专利技术人为了达成前述各目的而锐意进行研究，尝试了以Mn3O4粉末、ZnO粉末、W粉末作为原料制作Mn-Zn-W-O类溅射靶材。但是，根据本专利技术人的实验可知，所试制的Mn-Zn-W-O类溅射靶材中，存在耐裂性差、溅射期间会发生破裂的靶材。在锐意研究其原因时，本专利技术人发现，Mn-Zn-W-O类溅射靶材的耐裂性取决于仅由Mn和O构成的锰氧化物。进一步研究的结果判明，如果如专利文献1所提出的那样在靶材中存在Mn3O4晶体相，那么靶材的耐裂性反而会劣化。于是，本专利技术人发现，通过极力排除仅由Mn和O构成的锰氧化物，可以改善靶材的耐裂性，从而完成了本专利技术。本专利技术乃是基于本专利技术人的前述见解的专利技术，用于解决前述各课题的手段如下。即，<1>溅射靶材，其为在成分组成中含有Mn、Zn、W和O的Mn-Zn-W-O类溅射靶材，其特征在于，来源于仅由Mn和O构成的锰氧化物的峰的最大峰强度PMnO与来源于W的峰的最大峰强度Pw之比PMnO/Pw为0.027以下。该<1>所述的Mn-Zn-W-O类溅射靶材中，仅由Mn和O构成的锰氧化物实质上不存在，可提供耐裂性优异的Mn-Zn-W-O类溅射靶材。<2>前述<1>所述的溅射靶材，其中，在前述溅射靶材的X射线衍射中，存在来源于WMnO4晶体相的峰。<3>前述<1>或<2>所述的溅射靶材，其中，前述来源于WMnO4晶体相的峰的最大峰强度PWMnO与前述最大峰强度Pw之比PWMnO/Pw为0.024以上。<4>前述<1>或<2>所述的溅射靶材，其中，相对于Mn、Zn和W的合计100原子%，Mn：4~40原子%，Zn：15~60原子%，W：5~40原子%。<5>前述<1>或<2>所述的溅射靶材，其中，在前述成分组成中还包含选自由Cu、Mg、Ag、Ru、Ni、Zr、Mo、Sn、Bi、Ge、Co、Al、In、Pd、Ga、Te、V、Si、Ta、Cr、Tb构成的组的单独1种或2种以上的元素。<6>前述<5>所述的溅射靶材，其中，在前述溅射靶材的构成元素中，相对于除了O以外的合计100原子%，选自前述组的单独1种或2种以上的元素的含有率为8~70原子%。<7>制造方法，其为制造前述<1>所述的Mn-Zn-W-O类溅射靶材的方法，其特征在于，包括：对包含在成分中含有Mn的粉末、在成分中含有Zn的粉末和在成分中含有W的粉末的混合粉末进行12小时以上的湿式混合的混合步骤，和该混合步骤之后，在700℃以上的温度下烧结前述混合粉末的烧结步骤。依据该<7>所述的制造方法，可提供耐裂性优异的Mn-Zn-W-O类溅射靶材的制造方法。<8>前述<7>所述的制造方法，其中，前述在成分中含有Mn的粉末由锰氧化物粉末构成，前述在成分中含有Zn的粉末由锌氧化物粉末构成，前述在成分中含有W的粉末由金属钨粉末构成。<9>前述<7>或<8>所述的制造方法，其中，前述混合粉末还包含由选自Cu、Mg、Ag、Ru、Ni、Zr、Mo、Sn、Bi、Ge、Co、Al、In、Pd、Ga、Te、V、Si、Ta、Cr、Tb的单独1种或2种以上的元素的单质或化合物构成的粉末。专利技术效果依据本专利技术，可以解决以往的前述各问题而达成前述目的，可提供耐裂性优异的Mn-Zn-W-O类溅射靶材及其制造方法。附图说明图1是用于说明按照本专利技术的一个实施方案的溅射靶材的制造方法的流程图。图2是实施例1的溅射靶材的X射线衍射光谱。具体实施方式(Mn-Zn-W-O类溅射靶材)本专利技术的Mn-Zn-W-O类溅射靶材是在成分组成中包含Mn、Zn、W和O的Mn-Zn-W-O类溅射靶材。以下，将本专利技术的Mn-Zn-W-O类溅射靶材简称为“靶材”，对按照本专利技术的靶材详细地说明。<靶材>按照本专利技术的一个实施方案的靶材在成分组成中包含Mn、Zn、W和O，此外，还根据需要包含其他成分组成。在前述靶材的X射线衍射中，来源于仅由Mn和O构成的锰氧化物的峰的最大峰强度PMnO与来源于W的峰的最大峰强度Pw之比PMnO/Pw为0.027以本文档来自技高网...

【技术保护点】
溅射靶材，其为在成分组成中含有Mn、Zn、W和O的Mn‑Zn‑W‑O类溅射靶材，其特征在于，在前述溅射靶材的X射线衍射中，来源于仅由Mn和O构成的锰氧化物的峰的最大峰强度PMnO与来源于W的峰的最大峰强度Pw之比PMnO/Pw为0.027以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.01.27 JP 2015-0135771.溅射靶材，其为在成分组成中含有Mn、Zn、W和O的Mn-Zn-W-O类溅射靶材，其特征在于，在前述溅射靶材的X射线衍射中，来源于仅由Mn和O构成的锰氧化物的峰的最大峰强度PMnO与来源于W的峰的最大峰强度Pw之比PMnO/Pw为0.027以下。2.权利要求1所述的溅射靶材，其中，在前述溅射靶材的X射线衍射中，存在来源于WMnO4晶体相的峰。3.权利要求1或2所述的溅射靶材，其中，前述来源于WMnO4晶体相的峰的最大峰强度PWMnO与前述最大峰强度Pw之比PWMnO/Pw为0.024以上。4.权利要求1或2所述的溅射靶材，其中，相对于Mn、Zn和W的合计100原子%，Mn：4~40原子%，Zn：15~60原子%，W：5~40原子%。5.权利要求1或2的任一项所述的溅射靶材，其中，在前述成分组成中还包含选自由Cu、Mg、Ag、Ru、Ni、Zr、Mo、Sn、Bi、Ge、Co、Al、In、Pd、Ga、Te、...

【专利技术属性】
技术研发人员：菅原淳一，加守雄一，德竹房重，
申请(专利权)人：迪睿合株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP