一种磁控溅射倾斜沉积镀膜装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及真空镀膜技术领域，具体为一种磁控溅射倾斜沉积镀膜装置，包括溅射腔、腔门、手套箱和过渡腔。本发明专利技术通过多个可独立调节的伸缩支架，实现待渡基片的角度连续变化。再运用手套箱的配置，通过溅射腔、手套箱和过渡腔的两两连接，使得在更换基片和靶材的过程中，磁控溅射装置的工作气氛保持稳定，不破坏溅射腔的真空度，避免了再次抽真空操作，提高了工作效率。本发明专利技术装置能完成水平状态和连续倾斜角度的磁控溅射镀膜；不破坏真空条件下的待镀基片更换，实现效率的提升；待镀基片可加热，增加了实验可变参数；外接设备手套箱，实现惰性气体条件下的靶材更换。

Magnetron sputtering inclined deposition coating device

The invention relates to the technical field of vacuum coating, in particular to a sputtering deposition device with magnetron sputtering, comprising a sputtering cavity, a cavity gate, a glove box and a transition cavity. The invention realizes the continuous change of the angle of the substrate to be passed through a plurality of adjustable telescopic brackets which can be independently adjusted. Then use the glove box configuration, connected by a sputtering chamber, the glove box and transition cavity 22, the process of changing the substrate and the target in the magnetron sputtering device working atmosphere remained stable, does not destroy the vacuum sputtering cavity, avoid again vacuum pumping operation, improve work efficiency. The device of the invention can complete the level of state and the continuous oblique angle magnetron sputtering; no damage under the condition of vacuum plating substrate replacement, improve the efficiency of implementation; to be plated substrate can be heated, the increase of experimental variable parameters; the external device glove box, realize the replacement of inert gas under the condition of the target.

【技术实现步骤摘要】
一种磁控溅射倾斜沉积镀膜装置
本专利技术涉及真空镀膜
，具体为一种磁控溅射倾斜沉积镀膜装置。
技术介绍
纳米柱是一种高度有序的纳米阵列结构。目前，制备纳米柱的方法主要有：纳米压印技术、(极)远紫外光刻、电子/离子束光刻、模板法等手段。与其他方法相比，模板法制备的纳米结构具有相当的灵活性，实验装置简单，操作条件温和，能够精确控制纳米材料的尺寸、形貌和结构，所以得到广泛关注。但模板法制备纳米结构也存在一些缺点：有机化合物模板需使用有机溶剂去除，这会在一定程度上破坏了纳米材料的结构；一些有序纳米材料的模板成本较高等。利用模板法制备纳米材料，如何去除模板且保证去除工艺不对所制备的纳米结构的形貌和性能产生不良影响，是模板法的一大难题。磁控溅射是一种被广泛应用的薄膜材料沉积方法。其原理是在真空环境下，利用高压电场电离惰性气体，形成由带正电荷的离子和电子组成的等离子体，其中带正电荷的离子在电场的作用下高速向阴极靶材表面撞击，将靶材表面的金属离子击出，并逐渐沉积在待镀基底表面形成薄膜。传统的磁控溅射装置中，待镀基片与溅射枪以较大倾角相互排列，结合待镀基片自转，可实现待镀基片表面均匀薄膜的沉积。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁控溅射倾斜沉积镀膜装置，包括溅射腔、腔门、手套箱和过渡腔，其特征在于：所述溅射腔中设有基片转动电机、旋转轴、底座、伸缩支架、顶板、基片架、靶枪、靶材和靶材架；旋转轴连接底座和基片旋转电机，底座固定且始终处于水平；伸缩支架连接底座和顶板，伸缩支架至少三个，各伸缩支架的两端分别固定在底座和顶板的边缘，且长度可调；顶板的下方连接基片架，基片架用于放置待镀基片；顶板的倾斜带动加热台，基片架和待镀基片同时一致倾斜；靶材架上安装有至少一个靶枪，靶材固定在靶枪顶部；所述过渡腔中设有传送基片架和磁力传送装置，传送基片架与磁力传送装置连接，用于传送待镀基片至溅射腔中；所述溅射腔、手套箱和过渡腔通过3个腔门...

【技术特征摘要】
1.一种磁控溅射倾斜沉积镀膜装置，包括溅射腔、腔门、手套箱和过渡腔，其特征在于：所述溅射腔中设有基片转动电机、旋转轴、底座、伸缩支架、顶板、基片架、靶枪、靶材和靶材架；旋转轴连接底座和基片旋转电机，底座固定且始终处于水平；伸缩支架连接底座和顶板，伸缩支架至少三个，各伸缩支架的两端分别固定在底座和顶板的边缘，且长度可调；顶板的下方连接基片架，基片架用于放置待镀基片；顶板的倾斜带动加热台，基片架和待镀基片同时一致倾斜；靶材架上安装有至少一个靶枪，靶材固定在靶枪顶部；所述过渡腔中设有传送基片架和磁力传送装置，传送基片架与磁力传送装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：向勇，刘雯，闫宗楷，彭志，蒋赵联，吴露，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川,51