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本发明涉及真空镀膜技术领域，具体为一种磁控溅射倾斜沉积镀膜装置，包括溅射腔、腔门、手套箱和过渡腔。本发明通过多个可独立调节的伸缩支架，实现待渡基片的角度连续变化。再运用手套箱的配置，通过溅射腔、手套箱和过渡腔的两两连接，使得在更换基片和靶材...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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