一种用于照明屏体的高可靠OLED器件及其制备方法技术

本发明专利技术属于OLED器件技术领域，具体涉及一种用于照明屏体的高可靠OLED器件，并进一步公开其制备方法。本发明专利技术所述用于照明屏体的高可靠OLED器件，在现有结构器件基础上，通过引入选定材料形成的电流限制层，以限制通过特定像素的电流值，同时又通过在所述电流限制层上设置相应的第二阳极层以实现功函数的匹配，一方面增加电流注入，同时减少因界面功函数不匹配而引起的电压上升，可有效避免屏体漏电等不稳定状况。

【技术实现步骤摘要】
一种用于照明屏体的高可靠OLED器件及其制备方法
本专利技术属于OLED器件
，具体涉及一种用于照明屏体的高可靠OLED器件，并进一步公开其制备方法。
技术介绍
OLED(OrganicLightEmittingDisplay，有机发光显示器)是指有机半导体材料和发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光的现象。其典型的有机电致发光器件结构即包括设置在用作空穴注入的阳极和用作电子注入的阴极的第一电极和第二电极之间的有机电致发光介质。其原理是用ITO透明电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。辐射光可从ITO一侧观察到，金属电极膜同时也起了反射层的作用。根据这种发光原理而制成显示器被称为有机发光显示器，也叫OLED显示器。除一般屏体应用外，OLED还可以应用于照明领域，但是因为照明屏体面积相对较大，容易出现点缺陷。如图1中给出的缺陷放大图所示(100um×100um)，常规OLED器件极容易出现的缺陷是尺寸在1um左右的微小的暗点或亮点。通常这种缺陷是由于颗粒在阳极表面，造成正负极局部有漏电流存在引起，并且电流集中到该缺陷点，引起整个照明屏体发生失效。在一些有机电致发光器件(OLED)设计中，如中国专利CN101960639A中公开了一种利用短路减少层解决上述问题的方案，其提出采用混合氧化物作为防止出现缺陷层，可在一定程度上解决OLED器件的上述缺陷问题。但上述方案中设计的短路减少层的主要目的是增加电阻，因此需要调整合适的电阻率，同时增加的短路减少层有因为需要与有基层匹配而必须要满足适当功函数，这在选材上有较大的难度，也在一定程度上限制了应用效果。
技术实现思路
为此，本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种用于照明屏体的高可靠OLED器件，以解决现有技术中OLED照明器件屏体缺陷的问题。为解决上述技术问题，本专利技术所述的一种用于照明屏体的高可靠OLED器件，包括基板，以及依次形成在所述基板上的阳极层、有机发光层和阴极层，所述阳极层沿靠近所述基板方向依次包括第一阳极层、电流限制层、以及第二阳极层。所述电流限制层的面电阻率为500-10000Ω/□。所述电流限制层的面电阻率为1000-5000Ω/□。形成所述电流限制层的材料包括金属氧化物、导电聚合物或树脂。形成所述电流限制层的材料包括PMMA掺杂氧化物、氧化钨、氧化铝-氧化硅或Meh-ppv。所述第一阳极层的面电阻<20Ω/□，形成所述第二阳极层的材料为功函数>4.5eV的金属氧化物、金属或有机聚合物材料。所述第二阳极层与所述第一阳极层的图形一致。所述阳极层与所述阴极层交叉区域的有机发光层形成屏体发光像素，所述第二阳极层的发光像素结构根据其具体应用领域被分割为若干小于可视范围的子像素区域，各所述像素区域的面积为(100-1000)μm×(100-1000)μm。各所述子像素区域被规则分割并呈规则排列，且彼此独立的包括六边形结构、直角三角形结构、正方形结构、或非规则图形结构。所述器件还包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。本专利技术还公开了一种制备所述的用于照明屏体的高可靠OLED器件的方法，包括如下步骤：(1)按照现有技术常规方法制得选定的所述基板，并形成选定第一阳极层；(2)按照现有技术常规方法在所述第一阳极层表面制备选定材料的所述电流限制层；(3)按照现有技术常规方法在所述电流限制层表面制备所述第二阳极层，并确保所述第一阳极层与所述第二阳极层的图形一致；(4)按照常规方法制得所述有机功能层和所述阴极层，并封装完成屏体的制备。所述方法还包括按照选定的所述子像素区域的结构和排列方式，对所述第二阳极层进行分割的步骤。所述方法还包括按照常规方法制得所述空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和/或电子注入层的步骤。本专利技术所述用于照明屏体的高可靠OLED器件，在现有结构器件基础上，通过引入选定材料形成的电流限制层，以限制通过特定像素的电流值，同时又通过在所述电流限制层上设置相应的第二阳极层以实现功函数的匹配，一方面增加电流注入，同时减少因界面功函数不匹配而引起的电压上升，可有效避免屏体漏电等不稳定状况。在此基础上，本专利技术所述器件又通过针对PMOLED特定的工作亮度及工作电流，对所述电流限制层的电阻设置做了详细的设计优化，以确保在减少缺陷的同时，保证了屏体的工作电压与效率。本专利技术所述高可靠无源有机电致发光器件，通过对阳极像素进行分块，控制通过单个潜在缺陷点的漏电流，以此减少缺陷的发生；并通过预定分区尺寸，控制在人视觉可视尺度以内，使得在确保屏体稳定性的同时，又不会对屏体外观及视觉效果产生影响。附图说明为了使本专利技术的内容更容易被清楚的理解，下面根据本专利技术的具体实施例并结合附图，对本专利技术作进一步详细的说明，其中，图1为OLED照明屏缺陷放大图；图2为实施例4中像素结构分割示意图及局部放大图。具体实施方式实施例1本实施例所述用于照明屏体的高可靠OLED器件，包括基板，以及依次形成在所述基板上的阳极层、有机发光层和阴极层，所述阳极层沿靠近所述基板方向依次包括第一阳极层、电流限制层、以及第二阳极层。所述电流限制层由金属氧化物材料(氧化钨与氧化硅)形成，并通过调整二者的比例使其面电阻为1000Ω/□。本实施例所述高可靠有机电致发光照明屏体，按照如下方法制备：选用ITO/MoAlMo基板，通过已知方法涂胶、曝光、显影、刻蚀的方法，分别制备MoAlMo图形及ITO图形；通过溅射30nm氧化钨与氧化硅混合氧化物(比例1：1)方法在ITO表面制备电流限制层；在上述基板表面溅射2nm厚ITO层作为第二阳极，图形与第一阳极吻合；通过已知方法真空蒸镀的方式，在上述基板制备空穴注入层(m-MTDATA掺杂2％F4tcnq)、空穴传输层(NPB)、有机发光层(Alq3：C545T)、电子传输层(Alq3)、电子注入层(LiF)、阴极(Al)等，并做封装。实施例2本实施例所述用于照明屏体的高可靠OLED器件，包括基板，以及依次形成在所述基板上的阳极层、有机发光层和阴极层，所述阳极层沿靠近所述基板方向依次包括第一阳极层、电流限制层、以及第二阳极层。所述电流限制层由树脂掺杂氧化物(聚甲基丙烯酸甲酯PMMA：氧化锌)材料形成，并通过调整其比例使其面电阻为1000Ω/□。本实施例所述高可靠有机电致发光照明屏体，按照如下方法制备：选用ITO/MoAlMo基板，通过涂胶、曝光、显影、刻蚀的方法，分别制备MoAlMo图形及ITO图形；通过涂布、烘烤方法在ITO表面制备电流限制层；在上述基板表面溅射2nm厚氧化钨层作为第二阳极，图形与第一阳极吻合；通过真空蒸镀的方式，在上述基板制备空穴注入层(m-MTDATA掺杂2％F4tcnq)、空穴传输层(NPB)、有机发光层(Alq3：C545T)、电子传输层(Alq3)、电子注入层(LiF)、阴极(Al)等，并做封装。实施例3本实施例所述用于照明屏体的高可靠OLED器件，包括基板，以及依次形成在所述基板上的阳极层、有机发光层和阴极层，所述阳极层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于照明屏体的高可靠OLED器件，包括基板，以及依次形成在所述基板上的阳极层、有机发光层和阴极层，其特征在于，所述阳极层沿靠近所述基板方向依次包括第一阳极层、电流限制层、以及第二阳极层。

【技术特征摘要】
1.一种用于照明屏体的高可靠OLED器件，包括基板，以及依次形成在所述基板上的阳极层、有机发光层和阴极层，其特征在于，所述阳极层沿靠近所述基板方向依次包括第一阳极层、电流限制层、以及第二阳极层。2.根据权利要求1所述的用于照明屏体的高可靠OLED器件，其特征在于，所述电流限制层的面电阻率为500-10000Ω/□。3.根据权利要求1或2所述的用于照明屏体的高可靠OLED器件，其特征在于，形成所述电流限制层的材料包括金属氧化物、导电聚合物或树脂。4.根据权利要求3所述的用于照明屏体的高可靠OLED器件，其特征在于，形成所述电流限制层的材料包括PMMA掺杂氧化物、氧化钨、氧化铝-氧化硅或Meh-ppv。5.根据权利要求1-4任一项所述的用于照明屏体的高可靠OLED器件，其特征在于，所述第一阳极层的面电阻<20Ω/□，形成所述第二阳极层的材料为功函数>4.5eV的金属氧化物、金属或有机聚合物材料。6.根据权利要求1-5任一项所述的用于照明屏体的高可靠OLED器件，其特征在于，所述第二阳极层与所述第一阳极层的图形一致。7.根据权利要求1-6任一项所述的用于照明屏体的高可靠OLED器件，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：张国辉，陈旭，吕勇，朱映光，
申请(专利权)人：固安翌光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：河北,13