发光二极管及其制造方法以及制造发光二极管模块的方法技术

提供一种其中通过保护绝缘层限定的构造成包围反射金属层的导电阻挡层的发光二极管(LED)及其制造方法。包括反射金属层和导电阻挡层的反射图案形成在其中形成有第一半导体层、活性层和第二半导体层的发光结构上。在形成工艺过程中，导电阻挡层防止反射金属层的扩散，并且延伸至凹进到具有外伸结构的光刻胶图案下方的保护绝缘层。由此防止导电阻挡层与具有外伸结构的光刻胶图案的侧壁形成接触以及反射金属层形成尖端的现象。由此可以制造出具有各种不同形状的LED模块。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管及其制造方法以及制造发光二极管模块的方法本申请是申请日为2013年6月14日、申请号为201380034938.9、题为“用于表面贴装技术的发光二极管及其制造方法以及制造发光二极管模块的方法”的专利申请的分案申请。
本专利技术涉及发光二极管(LED)，更具体地涉及用于表面贴装的LED。
技术介绍
发光二极管(LED)是一种包括n型半导体层、p型半导体层、以及置于n型和p型半导体层之间的活性层的设备。当正向电场被施加到n型和p型半导体层上时，电子和空穴会被注入到活性层，并且在活性层中重新结合从而发光。此外，根据芯片类型，LED可以包括反射层。也就是说，倒装芯片型的特点是通过基底发光。相应地，在将半导体层形成于基底上之后，将由金属形成的反射层引入到半导体层或者电流扩散层上，并且光被反射层反射。此外还在反射层上提供阻挡层。阻挡层被用于阻止形成反射层的金属的扩散。图1和图2为包括反射层和阻挡层的常规LED的横截面图。参见图1，在基底10上形成有第一半导体层20、活性层30、第二半导体层40、反射层50和阻挡层60。基底10通常由蓝宝石材料形成，且第一半导体层20为n型。在第一半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管(LED)，包括：基底；形成在基底上的第一半导体层；形成在第一半导体层上且被构造成产生光的活性层；形成在活性层上且具有与第一半导体层互补的导电类型的第二半导体层；以及在形成于第二半导体层上的保护绝缘层之间形成且被构造成反射在活性层中产生的光的反射图案，该反射图案具有与保护绝缘层接触的导电阻挡层。

【技术特征摘要】
2012.06.28 KR 10-2012-00701291.一种发光二极管(LED)，包括：基底；形成在基底上的第一半导体层；形成在第一半导体层上且被构造成产生光的活性层；形成在活性层上且具有与第一半导体层互补的导电类型的第二半导体层；以及在形成于第二半导体层上的保护绝缘层之间形成且被构造成反射在活性层中产生的光的反射图案，该反射图案具有与保护绝缘层接触的导电阻挡层。2.如权利要求1所述的LED，其中，反射图案还包括形成于第二半导体层上且构造成反射光的反射金属层，并且导电阻挡层屏蔽反射金属层的顶部和侧向表面。3.如权利要求2所述的LED，其中，反射图案还包括应力松弛层，应力松弛层形成于反射金属层和导电阻挡层之间，且被构造成吸收由反射金属层和导电阻挡层之间的热膨胀系数差引起的应力。4.如权利要求3所述的LED，其中，应力松弛层的热膨胀系数等于或高于导电阻挡层的热膨胀系数，且等于或低于反射金属层的热膨胀系数。5.如权利要求3所述的LED，其中，反射金属层包括铝(Al)、铝合金、银(Ag)或银合金。6.如权利要求5所述的LED，其中，导电阻挡层包括钨(W)、钨化钛(TiW)、钼(Mo)、钛(Ti)、铬(Cr)、铂(Pt)、铑(Rh)、钯(Pd)或镍(Ni)。7.如权利要求6所述的LED，其中，当反射金属层包括铝或铝合金，且导电阻挡层包括W、TiW或Mo时，应力松弛层是由Ag、Cu、Ni、Pt、Ti、Rh、Pd或Cr形成的单层、或者由Cu、Ni、Pt、Ti、Rh、Pd或Au形成的组合物。8.如权利要求6所述的LED，其中，当反射金属层包括铝或铝合金，且导电阻挡层包括Ti、Cr、Pt、Rh、Pd或Ni时，应力松弛层是由Ag或Cu形成的单层、或者由Ni、Au、Cu或Ag形成的组合物。9.如权利要求6所述的LED，其中，当反射金属层包括银或银合金，且导电阻挡层包括W、TiW或Mo时，应力松弛层是由Cu、Ni、Pt、Ti、Rh、Pd或Cr形成的单层、或者由Cu、Ni、Pt、Ti、Rh、Pd、Cr或Au形成的组合物。10.如权利要求6所述的LED，其中，当反射金属层包括银或银合金，且导电阻挡层包括Pt或Ni时，应力松弛层是由Cu、Cr、Rh、Pd、TiW或Ti形成的单层、或者由Ni、Au或Cu形成的组合物。11.一种制造发光二极管(LED)的方法，包括：在基底上顺序地形成第一半导体层、活性层、第二半导体层和保护绝缘层；蚀刻保护绝缘层、第二半导体层和活性层，并且形成暴露第一半导体层的表面的台面区域；在台面区域上形成具有外伸结构的光刻胶图案，并且蚀刻通过光刻胶图案之间的空间暴露的保护绝缘层；在通过蚀刻保护绝缘层暴露的第二半导体层的表面上形成反射金属层；以及在反射金属层上形成导电阻挡层，该导电阻挡层延伸至保留在光刻胶图案下方的保护绝缘层。12.如权利要求11所述的方法，其中，保护绝缘层的蚀刻步骤包括蚀刻通过光刻胶图案开放的区域，以及蚀刻由光刻胶图案的下部屏蔽的部分区域以留下位于光刻胶图案下方的保护绝缘层的一部分。13.如权利要求11所述的方法，还包括：在形成反射金属层之后，在反射金属层上形成应力松弛层以吸收由热膨胀系数差引起的应力。14.如权利要求11所述的方法，其中，保护绝缘层的蚀刻利用各向同性的湿法蚀刻工艺来执行。15.一种制造发光二极管(LED)的方法，包括：在基底上顺序形成第一半导体层、活性层和第二半导体层；蚀刻第二半导体层和活性层，并且形成暴露第一半导体层的表面的台面区域；在台面区域和暴露的第二半导体层上形成保护绝缘层；在台面区域上形成具有外伸结构的光刻胶图案，并且蚀刻通过光刻胶图案之间的空间暴露的保护绝缘层；在通过蚀刻保护绝缘层暴露的第二半导体层的表面上形成反射金属层；以及在反射金属层上形成导电阻挡层，该导电阻挡层延伸至保留在光刻胶图案下方的...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡钟炫，张钟敏，卢元英，徐大雄，姜珉佑，李俊燮，金贤儿，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR