半导体装置制造方法及图纸

本揭露内容提供一种半导体装置。半导体装置包含晶体管的第一栅极电极、第一侧壁间隔件、第一绝缘层及第二侧壁间隔件。第一侧壁间隔件沿栅极图案的侧壁配置。第一绝缘层接触第一侧壁间隔件并具有平坦化的顶面。第二侧壁间隔件形成于第一绝缘层的平坦化顶面。第二侧壁间隔件可形成于第一间隔件上方。第二侧壁间隔件的宽度等于或大于第一侧壁间隔件的宽度。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本揭露内容实施例是有关一种半导体装置与其制造方法。
技术介绍
在半导体结构和制造半导体的制程中已有许多的发展，这些发展有助于缩小半导体的体积并增加集成电路的效能。当栅极长度持续缩小，在邻近的元件间减少寄生效应和避免短路变得相当困难。更明确地说，当晶体管和其连接的源极/漏极接触的距离因为单位晶胞缩小而变得更小时，可能会造成栅极和接触之间的短路。
技术实现思路
根据本揭露内容的多个实施方式，是提供一种半导体装置，半导体装置包含晶体管的第一导电图栅极图案、沿着栅极图案侧壁的第一侧壁间隔件、和第一侧壁间隔件接触并具有平坦化顶面的第一绝缘层、以及形成于第一绝缘层的平坦化顶面上的第二侧壁间隔件。第二侧壁间隔件可形成于第一侧壁间隔件的上方。第二侧壁间隔件的宽度等于或大于第一侧壁间隔件的宽度。为使本揭露内容的上述及其他目的、特征和优点更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合所附图示详细说明如下。附图说明由下文的详细说明并同时参照附图能够最适当地理解本揭示内容的态样。应注意，依据工业中的标凖实务，多个特征并未按比例绘制。实际上，多个特征的尺寸可任意增大或缩小，以便使论述明晰。图1为例示性的半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，包含：一晶体管的一第一导电栅极图案；一第一侧壁间隔件，沿着该栅极图案的一侧壁配置；一第一绝缘层，接触该第一侧壁间隔件并具有平坦化后的一顶面；以及一第二侧壁间隔件，形成于该第一绝缘层的平坦化后的该顶面上及该第一侧壁间隔件上方，其中第二侧壁间隔件的一宽度等于或大于该第一侧壁间隔件的一宽度。

【技术特征摘要】
2016.02.29 US 15/056,4541.一种半导体装置，其特征在于，包含：一晶体管的一第一导电栅极图案；一第一侧壁间隔件，沿着该栅极图案的一侧壁配...

【专利技术属性】
技术研发人员：林俊铭，陈华丰，潘国华，谢旻谚，巫嘉豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71