半导体器件及其制造方法技术

本公开涉及半导体器件及其制造方法。传统表面粗糙化镀敷技术不能总是改进引线框架与镀敷膜之间的粘合，其依赖于用于表面粗糙化镀敷的材料。通过刻蚀进行的传统表面粗糙化技术仅可以用于有限的材料制成的引线框架。因此，无法在金属构件例如引线框架与密封树脂之间实现改进的粘合。根据一实施例的半导体器件制造方法是：使用已经经历基材和其表面上镀敷的Zn的合金化处理的金属构件例如引线框架来执行树脂密封。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法本申请是申请日为2013年3月1日、申请号为201310065893.3、专利技术名称为“半导体器件及其制造方法”的专利技术专利申请的分案申请。相关申请的交叉引用2012年3月1日提交的日本专利申请No.2012-045115的公开，包括说明书、附图和摘要，通过引用整体合并于此。
本专利技术涉及半导体器件，更特别地，涉及一种当应用到例如使用金属构件的树脂密封型半导体器件时有效的技术。
技术介绍
汽车领域等中使用的半导体器件用在严酷使用环境下，从而要求它们与消费使用或工业使用的半导体器件相比具有远远更高的可靠性。在使用金属构件的树脂密封型半导体器件中，归因于树脂的湿气吸收和密封体(封装)中的热应力，产生密封树脂从金属构件(金属引线(lead)等)剥离。这种剥离成为在半导体元件与金属构件之间的结合处生成裂缝的原因，导致形成有缺陷的半导体器件。作为用于稳固地结合金属构件和密封树脂的传统方法，通过镀敷(plating)或刻蚀进行金属构件的表面的粗糙化的方法是已知的。例如，日本专利公开No.148508/1997(专利文献1)公开了涉及树脂密封型半导体器件的如下内容。通过本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)提供引线框架和半导体芯片，其中所述引线框架包括Cu，并且包括管芯焊盘、第一引线和第二引线，以及其中所述半导体芯片具有场效应晶体管，并且包括主电极、控制电极和背电极；(b)在步骤(a)之后，经由管芯结合材料将所述半导体芯片的所述背电极结合到所述引线框架的所述管芯焊盘；(c)在步骤(b)之后，经由第一导电材料耦合所述主电极和所述第一引线，并经由第二导电材料耦合所述控制电极和所述第二引线；(d)在步骤(c)之后，通过电镀方法在所述引线框架上形成Zn镀敷层；(e)在步骤(d)之后，用密封树脂来密封所述半导体芯片、所述第一导电材料和所述第二导电材料，以使得所...

【技术特征摘要】
2012.03.01 JP 2012-0451151.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)提供引线框架和半导体芯片，其中所述引线框架包括Cu，并且包括管芯焊盘、第一引线和第二引线，以及其中所述半导体芯片具有场效应晶体管，并且包括主电极、控制电极和背电极；(b)在步骤(a)之后，经由管芯结合材料将所述半导体芯片的所述背电极结合到所述引线框架的所述管芯焊盘；(c)在步骤(b)之后，经由第一导电材料耦合所述主电极和所述第一引线，并经由第二导电材料耦合所述控制电极和所述第二引线；(d)在步骤(c)之后，通过电镀方法在所述引线框架上形成Zn镀敷层；(e)在步骤(d)之后，用密封树脂来密封所述半导体芯片、所述第一导电材料和所述第二导电材料，以使得所述管芯焊盘、所述第一引线和所述第二引线中的每一个的一部分从所述密封树脂暴露；(f)在步骤(e)之后，移除形成在所述管芯焊盘、所述第一引线和所述第二引线中的每一个的所述一部分上的所述Zn镀敷层；(g)在步骤(f)之后，在所述管芯焊盘、所述第一引线和所述第二引线中的每一个的所述一部分上形成不同于所述Zn镀敷层的镀敷层；以及(h)在步骤(g)之后，切割所述引线框架。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述引线框架是镀Ni的Cu板。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述管芯结合材料是Ag烧结物膏剂。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一导电材料是导线、带和引线之一，以及其中所述第二导电材料是导线、带和引线之一。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一导电材料包括Al、Cu和Au之一，以及其中所述第二导电材料包括Al、Cu和Au之一。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一导电材料是导线和带之一，其中所述第二导电材料是导线和带之一，其中所述主电极、所述控制电极、所...

【专利技术属性】
技术研发人员：中条卓也，田村政树，高桥靖司，大川启一，梶原良一，元脇成久，宝藏寺裕之，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP