一种阵列基板及其制备方法、显示面板技术

本发明专利技术提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，属于显示技术领域，其可解决现有的存储电容电极线与数据线在水平方向的间隔产生漏光的问题。本发明专利技术的阵列基板中在绝缘层上同层设置相互绝缘的数据线和遮光金属线，这样在光刻制程中即使数据线存在偏移，由于遮光金属线的存在也不会产生漏光现象；绝缘层上的遮光金属线形成在数据线的两侧，相当于构成了台阶状的过渡结构，改善了数据线两侧段差，利于形成均匀的配向膜，进一步防止数据线两边的部分产生漏光的现象；此外，遮光金属线独立的存在于像素电极和存储电容电极线之间，能够增大存储电容的大小，提高画面显示品质。本发明专利技术的阵列基板适用于各种显示装置。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法、显示面板
本专利技术属于显示
，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
技术介绍
随着显示技术的发展，液晶显示面板(LCD)因其轻便、低辐射等优点越来越受到人们的欢迎。液晶显示面板包括对置的彩膜基板(CF基板)和阵列基板(TFT基板)以及夹置在两者之间的液晶层(LClayer)。图1为一种液晶显示面板结构的平面示意图，图2为图1中沿AB线方向的剖面结构示意图，图3为图1中沿CD线方向的剖面结构示意图，该液晶显示面板在阵列基板的玻璃基板100上设有扫描线112和数据线151，多条扫描线112和多条数据线151相互交叉排列限定多个像素区域，在扫描线112和数据线151交叉的位置附近设有薄膜晶体管(TFT)，薄膜晶体管由栅极102、源极105、漏极106以及有源层104组成，其中源极105与数据线151电连接，漏极106通过过孔171电连接像素电极108，栅极102电连接扫描线112。每个像素电极108由薄膜晶体管控制，当薄膜晶体管打开时，像素电极108在打开时间内充电，充电结束后，像素电极108的电压将维持到下一次扫描时重新充电。由于液晶电容(Clc)不大，仅靠液晶电容不能维持像素电极108的电压，因此需要设置一个存储电容(Cs)来保持像素电极108的电压。该液晶显示面板在阵列基板的玻璃基板100上还设有存储电容电极线121，存储电容电极线121的作用是与像素电极108构成存储电容，以此来保持施加于像素电极108上的电压。通常，存储电容有两种主要类型：即存储点通在栅线上(CsonGate)和存储电容在公共电极线上(Csoncommon)，图中所示为存储电容在公共电极线上的架构。如图1至图3所示，存储电容电极线121与TFT的栅极102及扫描线112处于同一层，且三者可由相同材料在同一制程中制作完成。图中存储电容电极线121与数据线151之间设有栅极绝缘层3，存储电容电极线121沿着数据线151所在方向延伸，并且存储电容在于数据线151相对应的位置形成凹槽，如图4所示，使存储电容电极线121位于数据线151的左右两侧且与数据线151之间没有重叠(参考图2)，主要目的是降低存储电容电极线121与数据线151之间的寄生电容。这样由于存储电容电极线121与数据线151在水平方向互相间隔开，为避免背光源的光线透过，该液晶显示面板在彩膜基板20上需要制作较宽的遮光层21。专利技术人发现现有技术中至少存在如下问题：如图2所示，假设存储电容电极线121与数据线151在水平方向互相间隔开的距离为d，由于在阵列基板制程中，不同层之间的光刻工艺需要对位，并且存在着对位偏差，因此实际制程中，存储电容电极线121与数据线151在水平方向互相间隔开的距离可能有偏差，如果偏差较大，则人眼位于G处观察时将会观察到漏光光线。同时如图2所示，由于数据线151具有一定的段差，因此钝化层107在数据线151的两侧也存在着段差，在后续形成配向膜工艺时，该数据线151两边段差底部处(如区域E处)的配向膜不容易被刷出配向沟槽，会加剧显示面板在数据线151两边的部分产生漏光现象，使显示面板的亮度、色度不均匀，影响画质。为避免漏光，同时减小遮光层21的宽度，现有技术中提出了如图5所示的结构，在图5中，沿着数据线151方向延伸的存储电容电极线121横跨整个数据线151的宽度，数据线151位于存储电容电极线121的正上方，且数据线151的线宽小于存储电容电极线121的线宽，使数据线151重叠在存储电容电极线121的正上方。此种像素结构可以减小遮光层21的宽度，有利于提高像素的开口率，但是由于数据线151与存储电容电极线121之间产生较大的寄生电容，导致信号延迟增大，对显示画质造成负面影响。
技术实现思路
本专利技术针对现有的存储电容电极线与数据线在水平方向的间隔产生漏光的问题，提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是：一种阵列基板，包括衬底，所述衬底上设有存储电容电极线，以及覆盖所述存储电容电极线的绝缘层，所述绝缘层上同层设置有相互绝缘的数据线和遮光金属线，所述遮光金属线设置在所述数据线两侧。优选的是，所述数据线在衬底上的正投影与所述存储电容电极线在衬底上的正投影无重合区域。优选的是，所述数据线包括依次设置的多层导电结构，其中，靠近所述绝缘层的导电结构的材料相较于远离所述绝缘层的导电结构的材料易被干法刻蚀，所述靠近所述绝缘层的导电结构与所述遮光金属线同层。优选的是，所述数据线包括依次设置的第一导电线、第二导电线，所述第一导电线相较于所述第二导电线更靠近所述绝缘层设置；所述第一导电线由Al构成，所述第二导电线由Mo构成。优选的是，所述数据线与所述遮光金属线平行设置。优选的是，在所述数据线的同一侧且平行于衬底所在平面内，所述遮光金属线远离所述数据线的一侧至所述数据线的距离小于所述存储电容电极线远离所述数据线的一侧至所述数据线的距离。优选的是，在平行于衬底所在平面内且垂直于所述数据线延伸的方向上，所述遮光金属线与所述数据线之间的尺寸为d1，所述存储电容电极线与所述数据线之间的尺寸为d，d1≤d。本专利技术还提供一种阵列基板的制备方法，包括以下制备步骤：在衬底上形成存储电容电极线；在衬底上形成覆盖所述存储电容电极线的绝缘层；在所述绝缘层上形成相互绝缘的数据线和遮光金属线；其中，所述遮光金属线设置在所述数据线两侧。优选的是，所述形成相互绝缘的数据线和遮光金属线包括以下步骤：在所述绝缘层上形成第一导电层；在所述第一导电层上形成第二导电层；采用半色调工艺使第一导电层形成遮光金属线和第一导电线，使第二导电层形成第二导电线。本专利技术还提供一种显示面板，包括彩膜基板以及上述的阵列基板。优选的是，所述彩膜基板上设有遮光层，所述遮光金属线在衬底上的正投影所述落入所述遮光层在衬底上的正投影范围内。本专利技术的阵列基板中在绝缘层上同层设置相互绝缘的数据线和遮光金属线，这样在光刻制程中即使数据线存在偏移，由于遮光金属线的存在也不会产生漏光现象；绝缘层上的遮光金属线形成在数据线的两侧，相当于构成了台阶状的过渡结构，改善了数据线两侧段差，利于形成均匀的配向膜，进一步防止数据线两边的部分产生漏光的现象；此外，遮光金属线独立的存在于像素电极和存储电容电极线之间，能够增大存储电容的大小，提高画面显示品质。本专利技术的阵列基板适用于各种显示装置。附图说明图1-图5为现有的液晶显示面板结构的示意图；图6为本专利技术的实施例1的阵列基板的结构示意图；图7、图8为本专利技术的实施例2的阵列基板的结构示意图；图9、图10为本专利技术的实施例3的阵列基板的制备流程示意图；图11为本专利技术的实施例4的显示面板结构的示意图；其中，附图标记为：100、玻璃基板；102、栅极；103、绝缘层；104、有源层；105、源极；106、漏极；107、钝化层；108、像素电极；112、扫描线；151、数据线；121、存储电容电极线；171、过孔；20、彩膜基板；21、遮光层；40、光刻胶膜层；41、遮光金属线；421、第一导电线；422、第二导电线；431、第一导电层；432、第二导电层。具体实施方式为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括衬底，所述衬底上设有存储电容电极线，以及覆盖所述存储电容电极线的绝缘层，所述绝缘层上同层设置有相互绝缘的数据线和遮光金属线，所述遮光金属线设置在所述数据线两侧。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底，所述衬底上设有存储电容电极线，以及覆盖所述存储电容电极线的绝缘层，所述绝缘层上同层设置有相互绝缘的数据线和遮光金属线，所述遮光金属线设置在所述数据线两侧。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线在衬底上的正投影与所述存储电容电极线在衬底上的正投影无重合区域。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线包括依次设置的多层导电结构，其中，靠近所述绝缘层的导电结构的材料相较于远离所述绝缘层的导电结构的材料易被干法刻蚀，所述靠近所述绝缘层的导电结构与所述遮光金属线同层。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线包括依次设置的第一导电线、第二导电线，所述第一导电线相较于所述第二导电线更靠近所述绝缘层设置；所述第一导电线由Al构成，所述第二导电线由Mo构成。5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线与所述遮光金属线平行设置。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，在所述数据线的同一侧且平行于衬底所在平面内，所述遮光金属线远离所述数据线的一侧至所述数据线的距离小...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫奎，段献学，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11