经表面处理的铜箔及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种经表面处理的铜箔及其制造方法。该制造方法包括如下步骤：第一步骤，准备电解铜箔；第二步骤，对所述电解铜箔的表面进行酸洗处理；第三步骤，在包含有Mo、Co、W、Mn、Cu、H2SO4、Na中的至少一种物质的镀浴中对所述经酸洗处理的电解铜箔进行粗糙化处理，从而形成凸粒；第四步骤，在形成的所述凸粒的上部形成外盖镀金属层。根据本发明专利技术，通过利用Mo、Co、W、Mn等金属离子对电解铜箔进行粗糙化处理，可以提高铜箔的粘接强度。

【技术实现步骤摘要】
经表面处理的铜箔及其制造方法
本专利技术涉及一种经表面处理的铜箔及其制造方法，尤其涉及一种通过对铜箔进行表面处理而使之具有低粗糙度、高粘接强度的经表面处理的铜箔及其制造方法。
技术介绍
近来，随着电器/电子设备的小型化、轻量化的加速，在基板上形成的印刷电路趋于微细化、高集成化、小型化，因此对使用于印刷电路板的铜箔提出多方面的物性要求。使用于其中的柔性(flexible)基板、高密度贴装用多层基板、高频电路基板等(以下，将这些统称为电路基板或印刷电路板)的制造中利用到的基板用复合材料由导体(铜箔)及对其提供支撑的绝缘基板(包括薄膜)构成，绝缘基板能够确保导体之间的绝缘，并具有能够支撑部件的强度。并且，随着传递到电路板的信号的速度加快，构成电路板的绝缘材料的特性阻抗或信号传递速度等变得重要，于是要求绝缘材料的介电常数、介电体损失等特性提高。作为满足这些条件的绝缘材料而被提供的基板用材料多使用酚醛树脂材料，作为镀金属通孔则多使用环氧树脂材料。而且，近来随着信号的高速传递，需要介电常数低且介电体的损失少的绝缘材料，与之相关的材料已得到开发。并且，作为必须具备耐热性的电路板用绝缘材料，使用到耐热性环氧树脂、聚酰亚胺等。此外，开发出了尺寸稳定性优良的材料、弯曲或扭曲较少的材料、热收缩较少的材料等。然而，在环氧树脂、聚酰亚胺、液晶聚合物、聚醚醚酮系树脂中，尤其液晶聚合物被公知为属于与铜箔之间的粘接强度(拉伸强度)较低的树脂。通常，这些树脂等与铜箔之间的拉伸强度受到较大的铜箔表面粗糙度Rz(在此，表面粗糙度Rz是指JISB0601-1994“表面粗糙度的定义及表示”的5.1十点(tenpoint)平均粗糙度定义中规定的Rz)的影响。当考虑到铜箔的表面粗糙度时，可举出经表面处理的铜箔的表面粗糙度Rz以及对铜箔表面实施粗糙化处理的粗糙化铜箔的Rz。以往，为了提高粘接强度较低的树脂的粘接强度，在进行粗糙化处理时通过增大流过的电流，并增加粗糙化处理时的粒状铜的贴附量而提高了表面粗糙度Rz。然而，对于这种方法而言，虽然作为用于提高粘接强度的方法而适合，但却并不适于虑及高频特性的印刷电路板，如果为了提高粘接强度而过处理铜箔表面，则导致高频信号传输方面的妨碍因素增加，从而出现对信号传输起到消极影响的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种可通过利用Mo、Co、W、Mn等金属离子对电解铜箔进行粗糙化处理而提高铜箔的粘接强度的经表面处理的铜箔及其制造方法。而且，本专利技术的目的在于提供一种通过利用Mo、Co、W、Mn等金属离子对电解铜箔进行粗糙化处理而实现优良的高频特性的经表面处理的铜箔及其制造方法。根据本专利技术之一实施例，提供一种经表面处理的铜箔，所述经表面处理的铜箔的表面粗糙度为2.5～3.0μm，贴附于所述铜箔的一个表面的凸粒的高度为1.0～3.0μm，凸粒与凸粒之间的间距为0.1～0.7μm，观察剖面25μm内的凸粒个数为10～60个。并且，所述经表面处理的铜箔的表面粗糙度优选具有2.5～2.8μm范围。而且，所述经表面处理的铜箔在LowDk用PPG中表现出0.7kgf以上的粘接强度。并且，所述经表面处理的铜箔在LowDk用PPG中表现出1.0kgf以上的粘接强度。而且，用于形成所述凸粒的粗糙化处理可在由Mo1～10g/L、Co1～10g/L、W0.1～0.5g/L、Cu10～20g/L、H2SO4100～200g/L构成的镀浴中实施。并且，用于形成所述凸粒的粗糙化处理可在由Mo1～10g/L、Mn0.1～0.5g/L、W0.1～0.5g/L、Cu10～20g/L、H2SO4100～200g/L构成的镀浴中实施。而且，用于形成所述凸粒的粗糙化处理可在由Mo1～10g/L、Na1～10g/L构成的镀浴中实施。并且，在粗糙化处理面的凸粒颗粒上部形成有用于防止凸粒的脱落的外盖镀金属层。根据本专利技术的另一实施例，提供一种经表面处理的铜箔制造方法，包括如下步骤：第一步骤，准备电解铜箔；第二步骤，对所述电解铜箔的表面进行酸洗处理；第三步骤，在包含有Mo、Co、W、Mn、Cu、H2SO4、Na中的至少一种物质的镀浴中对所述经酸洗处理的电解铜箔进行粗糙化处理，从而形成凸粒；第四步骤，在所述凸粒的上部形成用于防止凸粒的脱落的覆盖镀金属层。所述电解铜箔的粗糙化处理可在由Mo1～10g/L、Co1～10g/L、W0.1～0.5g/L、Cu10～20g/L、H2SO4100～200g/L构成的镀浴中实施。而且，所述电解铜箔的粗糙化处理可在由Mo1～10g/L、Mn0.1～0.5g/L、W0.1～0.5g/L、Cu10～20g/L、H2SO4100～200g/L构成的镀浴中实施。并且，所述电解铜箔的粗糙化处理可在由Mo1～10g/L、Na1～10g/L构成的镀浴中实施。根据本专利技术的又一实施例，提供一种经表面处理的铜箔制造方法，对电解铜箔的表面进行酸洗处理，并在包含有Mo、Co、W、Mn、Cu、H2SO4、Na中的至少一种物质的镀浴中对得到所述酸洗处理的电解铜箔进行粗糙化处理而形成凸粒，从而执行所述电解铜箔的表面处理，其中，所述经表面处理的铜箔的表面粗糙度为2.5～2.8μm，贴附于所述铜箔的一个表面的凸粒的高度为1.0～3.0μm，凸粒与凸粒之间的间距为0.1～0.7μm，观察剖面25μm内的凸粒的个数为10～60个。而且，还可以包括如下的步骤：在所述凸粒的上部形成用于防止凸粒的脱落的外盖镀金属层。根据本专利技术，通过利用Mo、Co、W、Mn等金属离子而对电解铜箔进行粗糙化处理，可以提高铜箔的粘接强度。并且，根据本专利技术，通过利用Mo、Co、W、Mn等金属离子而对电解铜箔进行处理，可以获得高频特性良好的经表面处理的铜箔。附图说明图1为表示根据本专利技术的实施例的表面处理铜箔的制造方法的顺序图。图2为表示在包含有Mo、Co、W、Cu、H2SO4的镀浴中对电解铜箔进行粗糙化处理后形成的凸粒的SEM图片。图3为表示根据本专利技术的表面处理铜箔的剖面的SEM图片。图4为表示在根据本专利技术的表面处理铜箔的电解铜箔的表面形成有凸粒的情形的示意图。具体实施方式以下，为了使本领域技术人员能够容易地理解本专利技术的实施例，而参考附图详细记载必要事项。然而，在本专利技术的权利要求书的记载范围内，本专利技术可实现为多种不同的形态，因此以下记载的实施例与表述无关地仅限于示例。在说明实施例的过程中，如果认为对相关公知功能或构成要素的具体说明有可能对本专利技术的要义造成不必要的混乱，则省略其详细说明。另外应予说明，在附图中，倘若是相同的构成要素，则即使图示在不同的附图中，也尽量用相同的附图标记及符号示出。并且，在附图中，各个层的厚度或大小可能为了说明的简便性和明确性而被夸张地表示，其可能与实际的层厚度或大小有所不同。以下，对关于本专利技术的一实施例的表面处理铜箔及其制造条件进行更加详细的说明。[表面处理铜箔]根据本专利技术的一实施例的表面处理铜箔在铜箔的至少一个表面包括贴附有凸粒的粗糙化处理面，所述表面处理铜箔的表面粗糙度为2.5～3.0μm，在所述铜箔的一个表面上贴附着的凸粒的高度为1.0～3.0μm，凸粒与凸粒之间的间距为0.1～0.7μm，观察剖面25μm内的凸粒的个数为10～60个。在更加优选的情况下，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种经表面处理的铜箔，包括在铜箔的至少一个表面贴附有凸粒的粗糙化处理面，其中，所述表面处理铜箔的表面粗糙度为2.5～3.0μm，贴附于所述铜箔的一个表面的凸粒的高度为1.0～3.0μm，凸粒与凸粒之间的间距为0.1～0.7μm，观察剖面25μm内的凸粒个数为10～60个。

【技术特征摘要】
2015.09.25 KR 10-2015-01366111.一种经表面处理的铜箔，包括在铜箔的至少一个表面贴附有凸粒的粗糙化处理面，其中，所述表面处理铜箔的表面粗糙度为2.5～3.0μm，贴附于所述铜箔的一个表面的凸粒的高度为1.0～3.0μm，凸粒与凸粒之间的间距为0.1～0.7μm，观察剖面25μm内的凸粒个数为10～60个。2.如权利要求1所述的经表面处理的铜箔，其中，所述经表面处理的铜箔的表面粗糙度为2.5～2.8μm。3.如权利要求1所述的经表面处理的铜箔，其中，所述经表面处理的铜箔在低介电常数用半固化片中表现出0.7kgf以上的粘接强度。4.如权利要求3所述的经表面处理的铜箔，其中，所述表面处理铜箔在低介电常数用半固化片中表现出1.0kgf以上的粘接强度。5.如权利要求1所述的经表面处理的铜箔，其中，用于形成所述凸粒的粗糙化处理在由Mo1～10g/L、Co1～10g/L、W0.1～0.5g/L、Cu10～20g/L、H2SO4100～200g/L构成的镀浴中实施。6.如权利要求1所述的经表面处理的铜箔，其中，用于形成所述凸粒的粗糙化处理在由Mo1～10g/L、Mn0.1～0.5g/L、W0.1～0.5g/L、Cu10～20g/L、H2SO4100～200g/L构成的镀浴中实施。7.如权利要求1所述的经表面处理的铜箔，其中，用于形成所述凸粒的粗糙化处理在由Mo1～10g/L、Na1～10g/L构成的镀浴中实施。8.如权利要求1所述的经表面处理的铜箔，其中，在所述粗糙化处理面的凸粒粒子的上部形成有外盖镀金属层。9.一种经表面处理的...

【专利技术属性】
技术研发人员：范元辰，崔恩实，宋基德，
申请(专利权)人：日进材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR