经表面处理的铜箔及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种经表面处理的铜箔及其制造方法。该制造方法包括如下步骤：第一步骤，准备电解铜箔；第二步骤，对所述电解铜箔的表面进行酸洗处理；第三步骤，在包含有Mo、Co、W、Mn、Cu、H2SO4、Na中的至少一种物质的镀浴中对所述经酸洗处理的电解铜箔进行粗糙化处理，从而形成凸粒；第四步骤，在形成的所述凸粒的上部形成外盖镀金属层。根据本发明专利技术，通过利用Mo、Co、W、Mn等金属离子对电解铜箔进行粗糙化处理，可以提高铜箔的粘接强度。

【技术实现步骤摘要】
经表面处理的铜箔及其制造方法
本专利技术涉及一种经表面处理的铜箔及其制造方法，尤其涉及一种通过对铜箔进行表面处理而使之具有低粗糙度、高粘接强度的经表面处理的铜箔及其制造方法。
技术介绍
近来，随着电器/电子设备的小型化、轻量化的加速，在基板上形成的印刷电路趋于微细化、高集成化、小型化，因此对使用于印刷电路板的铜箔提出多方面的物性要求。使用于其中的柔性(flexible)基板、高密度贴装用多层基板、高频电路基板等(以下，将这些统称为电路基板或印刷电路板)的制造中利用到的基板用复合材料由导体(铜箔)及对其提供支撑的绝缘基板(包括薄膜)构成，绝缘基板能够确保导体之间的绝缘，并具有能够支撑部件的强度。并且，随着传递到电路板的信号的速度加快，构成电路板的绝缘材料的特性阻抗或信号传递速度等变得重要，于是要求绝缘材料的介电常数、介电体损失等特性提高。作为满足这些条件的绝缘材料而被提供的基板用材料多使用酚醛树脂材料，作为镀金属通孔则多使用环氧树脂材料。而且，近来随着信号的高速传递，需要介电常数低且介电体的损失少的绝缘材料，与之相关的材料已得到开发。并且，作为必须具备耐热性的电路板用绝缘材料，使用到耐本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种经表面处理的铜箔，包括在铜箔的至少一个表面贴附有凸粒的粗糙化处理面，其中，所述表面处理铜箔的表面粗糙度为2.5～3.0μm，贴附于所述铜箔的一个表面的凸粒的高度为1.0～3.0μm，凸粒与凸粒之间的间距为0.1～0.7μm，观察剖面25μm内的凸粒个数为10～60个。

【技术特征摘要】
2015.09.25 KR 10-2015-01366111.一种经表面处理的铜箔，包括在铜箔的至少一个表面贴附有凸粒的粗糙化处理面，其中，所述表面处理铜箔的表面粗糙度为2.5～3.0μm，贴附于所述铜箔的一个表面的凸粒的高度为1.0～3.0μm，凸粒与凸粒之间的间距为0.1～0.7μm，观察剖面25μm内的凸粒个数为10～60个。2.如权利要求1所述的经表面处理的铜箔，其中，所述经表面处理的铜箔的表面粗糙度为2.5～2.8μm。3.如权利要求1所述的经表面处理的铜箔，其中，所述经表面处理的铜箔在低介电常数用半固化片中表现出0.7kgf以上的粘接强度。4.如权利要求3所述的经表面处理的铜箔，其中，所述表面处理铜箔在低介电常数用半固化片中表现出1.0kgf以上的粘接强度。5.如权利要求1所述的经表面处理的铜箔，其中，用于形成所述凸粒的粗糙化处理在由Mo1～10g/L、Co1～10g/L、W0.1～0.5g/L、Cu10～20g/L、H2SO4100～200g/L构成的镀浴中实施。6.如权利要求1所述的经表面处理的铜箔，其中，用于形成所述凸粒的粗糙化处理在由Mo1～10g/L、Mn0.1～0.5g/L、W0.1～0.5g/L、Cu10～20g/L、H2SO4100～200g/L构成的镀浴中实施。7.如权利要求1所述的经表面处理的铜箔，其中，用于形成所述凸粒的粗糙化处理在由Mo1～10g/L、Na1～10g/L构成的镀浴中实施。8.如权利要求1所述的经表面处理的铜箔，其中，在所述粗糙化处理面的凸粒粒子的上部形成有外盖镀金属层。9.一种经表面处理的...

【专利技术属性】
技术研发人员：范元辰，崔恩实，宋基德，
申请(专利权)人：日进材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR