具有借助于有较高密度和较低密度的交替区域的烧结层结合在一起的两个部分的电子夹层结构以及对应的制造方法技术

描述了至少具有第一待结合部分(1)和第二待结合部分(2)的电子夹层结构，该第一待结合部分和该第二待结合部分借助于烧结层(3)烧结在一起。烧结层(3)形成为基本上不间断的连接层，该连接层的密度变化的方式使得至少一个较高密度的区域(4a)和至少一个较低密度的区域(4b)彼此交替。还描述了用于形成电子夹层结构的烧结层(3)的方法，其中首先，将烧结材料层(3)基本上连续地施加到第二待结合部分(2)上作为连接层(3)，随后使这个烧结材料层(3)干燥，并且最终，通过将具有该烧结层(3)的该第二待结合部分(2)烧结在第一待结合部分(1)上来产生该连接层(3)的较高密度(4a)和较低密度(4b)的交替区域。烧结材料可以呈点或条纹来施加。该第一待结合部分(1)和该第二待结合部分(2)的有待结合表面可以被安排成平面平行，在这种情况下，烧结层(3)形成为其表面有规律地不均匀，即，它尤其具有呈限定图案的较大厚度的区域(3a)和较小厚度的区域(3b)，这具有的效果是，在烧结工艺之后，在较厚的烧结糊浆施加区域(3a)中存在较高密度的区域(4a)并且在较薄的烧结糊浆施加区域(3b)中存在较低密度的区域(4b)。替代地，该第一待结合部分(1)和该第二待结合部分(2)的有待结合表面可以至少在某些区域中没有被安排成平面平行，其中，通过最初完全均匀的烧结糊浆施加，在待结合部分(1，2)烧结之后具有较小距离的区域(4a)中获得较薄的烧结层，而在距离较大的区域(4b)中形成较厚的烧结层，这最终具有的效果是，与在待结合部分(1，2)之间的距离较大的区域(4b)中相比，在这两个待结合部分(1，2)距彼此有较小距离的区域(4a)中形成较大的密度。尤其在用于功率电子器件的部件中，即便对于具有不同热膨胀系数的待结合部分(1，2)，也实现了高寿命的通过烧结连接的电子夹层结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有借助于有较高密度和较低密度的交替区域的烧结层结合在一起的两个部分的电子夹层结构以及对应的制造方法
本专利技术涉及一种具有第一待结合部分和第二待结合部分的电子夹层结构，该第一待结合部分和该第二待结合部分借助于烧结层烧结在一起。
技术介绍
这种电子夹层结构被用于多种电子部件、尤其用于功率电子器件的部件。无论是哪种情况要必须确保高电流或高电流密度、非常好的热传递(即，高的热流动)以及可靠的机械承载能力，都使用银烧结连接。为了这个目的，有待被烧结在一起的待结合部分通过银烧结层以材料键合彼此连接，银烧结层是尽可能均匀地薄的(典型地具有10μm至50μm的厚度)并且或多或少地被压紧实。除了均匀的层厚度之外，旨在实现在烧结连接层中银颗粒和其他填充物有尽可能均匀的分布。具体地，所谓的低温连接技术对此已经变为已知。这尤其用于大面积双极型半导体的生产。此外，这种技术还用于IGBT模块生产。对于低温连接技术，在约20MPa至30MPa的高机械负载下约230℃的适当温度下的银粉和化学添加剂被用作连接材料，并且使用烧结条件来用于将两个待结合部分烧结在一起。在这种情况下，在衬底与半导体之间创建多孔连接层。这本文档来自技高网...

【技术保护点】
具有第一待结合部分和第二待结合部分的电子夹层结构，该第一待结合部分和该第二待结合部分借助于烧结层烧结在一起，其特征在于，该烧结层被形成为基本上不间断的连接层，该连接层的密度变化的方式使得至少一个较高密度的区域和至少一个较低密度的区域彼此交替。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.07 DE 102014222818.21.具有第一待结合部分和第二待结合部分的电子夹层结构，该第一待结合部分和该第二待结合部分借助于烧结层烧结在一起，其特征在于，该烧结层被形成为基本上不间断的连接层，该连接层的密度变化的方式使得至少一个较高密度的区域和至少一个较低密度的区域彼此交替。2.根据权利要求1所述的电子夹层结构，其特征在于，该烧结层具有呈限定图案的多个较大密度的区域和多个较低密度的区域。3.根据权利要求2所述的电子夹层结构，其特征在于，这些限定图案由点状圆形面积或条纹面积构成。4.根据权利要求1所述的电子夹层结构，其特征在于，该连接层具有尤其呈限定图案的多个较大厚度的区域和多个较小厚度的区域。5.根据权利要求1至4中任一项所述的电子夹层结构，其特征在于，这些待结合部分具有相应地面朝该连接层的表面，这些表面至少在某些区域中被安排成平面平行于彼此。6.根据权利要求5所述的电子夹层结构，其特征在于，该连接层在这些待结合部分的面朝该连接层的表面的平面平行安排的相应区域中具有基本上恒定的厚度。7.根据权利要求1至4中任一项所述的电子夹层结构，其特征在于，这些待结合部分具有相应地面朝该连接层的表面，这些表面至少在某些区域中没有被安排成平面平行于彼此。8.根据权利要求1至7中任一项所述的电子夹层结构，其特征在于，该第一待结合部分是金属，并且该第二待结合部分是金属化非导体或者金属化半导体。9.根据权利要求1至8中任一项所述的电子夹层结构，其特征在于，该烧结层是基本上含银的连接层。10.根据权利要求1至9中任一项所...

【专利技术属性】
技术研发人员：马汀·贝克尔，罗纳德·艾西尔，加赛克·鲁茨基，弗兰克·奥斯特瓦尔德，
申请(专利权)人：丹佛斯硅动力有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE