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描述了至少具有第一待结合部分(1)和第二待结合部分(2)的电子夹层结构，该第一待结合部分和该第二待结合部分借助于烧结层(3)烧结在一起。烧结层(3)形成为基本上不间断的连接层，该连接层的密度变化的方式使得至少一个较高密度的区域(4a)和至少...
该专利属于丹佛斯硅动力有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过丹佛斯硅动力有限责任公司授权不得商用。

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