触点环绕结构制造技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】触点环绕结构相关申请的交叉引用本申请依据35U.S.C.§119(e)要求于2014年11月24日以JeffreyJunhaoXU等人的名义提交的题为“CONTACTWRAPAROUNDSTRUCTURE(触点环绕结构)”的美国临时专利申请号62/083,714的权益，其公开内容通过援引全部明确纳入于此。背景领域本公开的诸方面涉及半导体器件，并且尤其涉及触点环绕结构。背景随着集成电路(IC)技术的进步，器件的几何形状减小。减小器件之间的几何形状和“间距”(间隔)可使得器件在正确的操作方面相互干扰。基于鳍的器件是半导体基板的表面上的三维结构。基于鳍的晶体管(其可以是基于鳍的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET))可被称为FinFET。纳米导线场效应晶体管(FET)也是半导体基板的表面上的三维结构。纳米导线FET包括纳米导线的掺杂部分，该掺杂部分接触沟道区并且用作该器件的源极和漏极区。纳米导线FET也是MOSFET器件的示例。MOSFET器件的性能可受到包括沟道长度、应变和外部电阻在内的众多因素影响。对外部电阻作出贡献的一个重要因素是源极/漏极区与导电层之间的接触...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：栅极堆叠；以及环绕触点，所述环绕触点被安排成围绕以及接触所述半导体器件的紧邻所述栅极堆叠的经重新生长的源极/漏极区的基本上所有表面区域。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.24 US 62/083,714;2015.03.30 US 14/673,4851.一种半导体器件，包括：栅极堆叠；以及环绕触点，所述环绕触点被安排成围绕以及接触所述半导体器件的紧邻所述栅极堆叠的经重新生长的源极/漏极区的基本上所有表面区域。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括鳍式场效应晶体管(FinFET)，并且所述经重新生长的源极/漏极区包括鳍的经重新生长的具有基本上平行的侧壁的鳍部分。3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极堆叠在所述鳍的基部鳍部分的表面上。4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述鳍的所述基部鳍部分包括：硅、锗、硅锗、或磷酸铟。5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述环绕触点是包括金属绝缘体半导体(MIS)触点或直接触点的非硅化物触点。6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述MIS触点耦合至所述半导体器件的n型金属氧化物半导体(NMOS)区，以及所述直接触点耦合至所述半导体器件的p型金属氧化物半导体(PMOS)区。7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述MIS触点包括：所述半导体器件的所述NMOS区上的氧化钛层(Tio2)；以及所述氧化钛层上的钛层(T)。8.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述直接触点包括所述半导体器件的所述PMOS区上的钛层(T)。9.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括栅极全包围纳米导线场效应晶体管(FET)。10.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元、和/或位置固定的数据单元中。11.一种用于制造包括触点环绕结构的半导体器件的方法，所述方法包括：重新生长所述半导体器件的源极/漏极区；用栅极堆叠来替代所述半导体器件的虚设栅极；以及制造环绕触点，所述环绕触点围绕以及接触所述半导体器件的紧邻所述栅极堆叠的经重新生长的源极/漏极区的基本上所有表面区域。12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述重新生长所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·J·徐，S·S·宋，V·马赫卡奥特桑，M·巴达罗格鲁，J·鲍，J·J·朱，D·杨，C·F·耶普，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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