一种磁应变测量方法技术

本发明专利技术属于记忆材料技术领域，具体涉及一种磁应变测量方法。其步骤为：1、将待测NiMnGa薄膜样品固定于夹持器内；2、将夹持器置于磁场和温度场环境中，在未加磁场前，利用强激光脉冲照射NiMnGa薄膜样品，在样品上烧蚀出第一个小孔，通过电磁场对样品施加磁场，磁场强度在0至2特斯拉之间调节，温度场范围为0至100摄氏度；样品伸长后，再用激光束位置不变的强激在样品上烧蚀出第二个小孔；3、测量样品上第一个小孔和第二个小孔之间的距离，其方法为：将样品的两个小孔通过成像镜头成像在线阵CCD芯片像敏元阵列上，通过平行光源垂直照射样品上的两个小孔，通过CCD输出端口的输出电压计算出两个小孔之间的距离△L。

【技术实现步骤摘要】
一种磁应变测量方法
：本专利技术属于记忆材料
，具体涉及一种磁应变测量方法。
技术介绍
：微型化的微机电系统(MEMS)近年来在IT、国防和生物医学等领域得到迅猛发展和广泛应用，MEMS用微材料的优劣决定了整个系统的智能特性。形状记忆合金薄膜作为一种集感知与驱动为一体的智能材料，因其输出应变大，输出力高，可有效简化MEMS系统的结构，减少装配环节，应用前景广阔。TiNi记忆合金薄膜作为一种常用的MEMS驱动材料已获得了广泛应用，现已成功用于制造微泵、微阀、微手臂和光开关等。已有研究表明，TiNi合金薄膜响应频率比体材料高2个数量级，最大可恢复应变达4％。然而，尽管薄膜的响应频率比体材料有了较大提高，但因受温度场驱动，其响应频率也只能达10Hz左右，仍难以满足微型机电系统日益发展的需求。以Ni-Mn-Ga为代表的铁磁性形状记忆合金是近二十年来发展起来的一类新型形状记忆材料，它可以在外磁场的作用下发生马氏体孪晶变体再取向或磁场诱发马氏体相变从而产生大的可逆应变，实现了大输出应变量与高响应频率的结合，一直是形状记忆合金领域的研究热点。K.Ullkko等人在Ni-Mn-Ga单晶中获得了本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁应变测量方法，其特征在于：该测量方法的步骤为：步骤一、将待测NiMnGa薄膜样品放入夹持器内，并夹持NiMnGa薄膜样品的左端，其右端不受约束；步骤二、将夹持有NiMnGa薄膜样品的夹持器置于磁场和温度场环境中，在未加磁场前，利用强激光脉冲照射NiMnGa薄膜样品，在NiMnGa薄膜样品上烧蚀出第一个小孔，通过电磁场对NiMnGa薄膜样品施加磁场，磁场强度在0至2特斯拉之间调节，温度场范围为0至100摄氏度；NiMnGa薄膜样品伸长后，再用激光束位置不变的强激光脉冲照射NiMnGa薄膜样品，在NiMnGa薄膜样品上烧蚀出第二个小孔；步骤三、测量NiMnGa薄膜样品上第一个小孔和第二个小孔...

【技术特征摘要】
1.一种磁应变测量方法，其特征在于：该测量方法的步骤为：步骤一、将待测NiMnGa薄膜样品放入夹持器内，并夹持NiMnGa薄膜样品的左端，其右端不受约束；步骤二、将夹持有NiMnGa薄膜样品的夹持器置于磁场和温度场环境中，在未加磁场前，利用强激光脉冲照射NiMnGa薄膜样品，在NiMnGa薄膜样品上烧蚀出第一个小孔，通过电磁场对NiMnGa薄膜样品施加磁场，磁场强度在0至2特斯拉之间调节，温度场范围为0至100摄氏度；NiMnGa薄膜样品伸长后，再用激光束位置不变的强激光脉冲照射NiMnGa薄膜样品，在NiMnGa薄膜样品上烧蚀出第二个小孔；步骤三、测量NiMnGa薄膜样品上第一个小孔和第二个小孔之间的距离，其测量方法为：将NiMnGa薄膜样品的两个小孔通过成像镜头成像在线阵CCD芯片像敏元阵列上，通过平行光源垂直照射NiMnGa薄膜样品上的两个小孔，使得光源垂直通过Ni...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘超，汪发美，吕靖薇，韩建，付天舒，牟海维，
申请(专利权)人：东北石油大学，
类型：发明
国别省市：黑龙江,23