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本发明属于记忆材料技术领域，具体涉及一种磁应变测量方法。其步骤为：1、将待测NiMnGa薄膜样品固定于夹持器内；2、将夹持器置于磁场和温度场环境中，在未加磁场前，利用强激光脉冲照射NiMnGa薄膜样品，在样品上烧蚀出第一个小孔，通过电磁场对...
该专利属于东北石油大学所有，仅供学习研究参考，未经过东北石油大学授权不得商用。

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