IGBT模块内部杂散电感测量装置及测量方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种IGBT模块内部杂散电感测量装置，其特征在于，所述测量装置包括电源装置、待测IGBT模块、电流探头、电压探头、示波器、脉冲触发装置，可控开关S1、S2、S3、直流电容C1、直流泄放电阻R1、负载电感L1和续流二极管D1，所述可控开关S2和直流泄放电阻R1串联，并与直流电容C1并联，续流二极管D1、可控开关S3与待测IGBT模块串联，脉冲触发装置连接可控开关S3，负载电感L1并联在续流二极管D1的两侧，该装置能够有效评估在IGBT模块关断暂态，内部封装寄生参数的感应电压，根据寄生电感两端的电压和电流计算出封装的杂散电感，更切合实际，可以用来评估IGBT安全裕量，同时也可以验证IGBT模块设计，对半导体厂商和IGBT应用方具有一定的意义。

【技术实现步骤摘要】
IGBT模块内部杂散电感测量装置及测量方法
本专利技术涉及一种测量装置，具体涉及一种IGBT模块内部杂散电感测量装置，属于电力电子

技术介绍
IGBT模块广泛应用于电力电子行业。IGBT模块由IGBT芯片和封装两部分组成，封装存在一定的寄生电感，影响IGBT芯片的安全工作裕量。目前关于IGBT内部封装寄生电感提取的研究相对较少，常规的方法是采用有限元分析仿真，然而该方法只能估算出IGBT出厂时的寄生电感参数，是基于仿真参数的，与实际存在一定的误差。
技术实现思路
本专利技术正是针对现有技术中存在的技术问题，提供一种IGBT模块内部杂散电感测量装置，该装置能够有效评估在IGBT模块关断暂态，内部封装寄生参数的感应电压，根据寄生电感两端的电压和电流计算出封装的杂散电感，更切合实际，可以用来评估IGBT安全裕量，同时也可以验证IGBT模块设计，对半导体厂商和IGBT应用方具有一定的意义。为了实现上述目的，本专利技术的技术方案如下，一种IGBT模块内部杂散电感测量装置，其特征在于，所述测量装置包括电源装置、待测IGBT模块、电流探头、电压探头、示波器、脉冲触发装置，可控开关S1、S2、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种IGBT模块内部杂散电感测量装置，其特征在于，所述测量装置包括电源装置、待测IGBT模块、电流探头、电压探头、示波器、脉冲触发装置，可控开关S1、S2、S3、直流电容C1、直流泄放电阻R1、负载电感L1和续流二极管D1，所述可控开关S2和直流泄放电阻R1串联，并与直流电容C1并联，续流二极管D1、可控开关S3与待测IGBT模块串联，脉冲触发装置连接可控开关S3，负载电感L1并联在续流二极管D1的两侧，所述电源装置的正极与可控开关S1的一端相连，可控开关S1的另一端与直流电容C1正极、可控开关S2的一端相连，所述可控开关S2的另一端与直流泄放电阻R1的一端相连，直流泄放电阻R1的另一端与直流...

【技术特征摘要】
1.一种IGBT模块内部杂散电感测量装置，其特征在于，所述测量装置包括电源装置、待测IGBT模块、电流探头、电压探头、示波器、脉冲触发装置，可控开关S1、S2、S3、直流电容C1、直流泄放电阻R1、负载电感L1和续流二极管D1，所述可控开关S2和直流泄放电阻R1串联，并与直流电容C1并联，续流二极管D1、可控开关S3与待测IGBT模块串联，脉冲触发装置连接可控开关S3，负载电感L1并联在续流二极管D1的两侧，所述电源装置的正极与可控开关S1的一端相连，可控开关S1的另一端与直流电容C1正极、可控开关S2的一端相连，所述可控开关S2的另一端与直流泄放电阻R1的一端相连，直流泄放电阻R1的另一端与直流电容C1的负极、电源装置的负极相连，所述直流电容C1与IGBT模块集电极功率端子相连，IGBT模块发射极功率端子与续流二极管阴极相连，负载电感L并接在续流二极管两端，所述续流二极管阳极与可控开关S3一端相连，可控开关S3与直流电容C1的负极相连，所述电流探头绕在IGBT模块集电极功率端子上，所述电压探头并接在IGBT模块集电极与发射极功率端子上。2.根据权利要求1所述的IGBT模块内部杂散电感测量装置，其特征在于，所述可控开关S1和S2设置为机械开关或者为电子开关。3.根据权利要求2所述的IGBT模块内部杂散电感测量装置，其特征在于，所述机械开关为接触器，刀闸；所述电子开关为IGBT，MOSFET。4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：何凤有，耿程飞，封安波，谭国俊，张经纬，范长海，
申请(专利权)人：徐州中矿大传动与自动化有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32