半导体制造装置用耐腐蚀性构件及其制法制造方法及图纸

首先，将Yb2O3原料粉末通过200kgf/cm

【技术实现步骤摘要】
半导体制造装置用耐腐蚀性构件及其制法本专利技术为下述申请的分案申请。专利技术名称：半导体制造装置用耐腐蚀性构件及其制法申请日：2011年03月18日申请号：201180015793.9(PCT/JP2011/056624)
本专利技术关于半导体制造装置用耐腐蚀性构件及其制法。
技术介绍
半导体制造中实施干燥工序和等离子体喷涂等时所利用的半导体制造装置中，作为蚀刻、清洗用，使用的是反应性高的F、Cl系等离子体。因此，用于此种装置的构件必须有高耐腐蚀性，对于静电卡盘和加热器等与Si晶片接触的构件，需要更高耐腐蚀。作为应对此种需求的耐腐蚀性构件，专利文献1中公开了通过PVD法形成的Yb2O3和Dy2O3的薄膜。这些薄膜，在等离子体中的腐蚀速率较之于氧化铝烧结体等非常小。专利文献1：日本专利特开2002-222803号公报
技术实现思路
但是，由于薄膜在成膜时内部易出现气孔和裂纹，因此等离子体易造成腐蚀，再由于与基材性质的差异和附着性问题造成的腐蚀以及重复使用所伴随的剥离等，可能对设备特性造成影响，用于静电卡盘等时存在问题。这些构件适宜使用烧结体，但上述的专利文献1中，虽然对通过PVD法形成的Y本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体制造装置用耐腐蚀性构件，其开孔率在0.3％以下，由含有选自氧化镱以及氧化镝构成的群的至少1种的烧结体构成，所述烧结体中，分散有包含了选自Mg、Ca以及Sr构成的群的至少1种和O以及F中的至少1种的晶界相。

【技术特征摘要】
2010.03.30 JP 2010-0792511.一种半导体制造装置用耐腐蚀性构件，其开孔率在0.3％以下，由含有选自氧化镱以及氧化镝构成的群的至少1种的烧结体构成，所述烧结体中，分散有包含了选自Mg、Ca以及Sr构成的群的至少1种和O以及F中的至少1种的晶界相。2.根据权利要求1所述的半导体制造装置用耐腐蚀性构件，该耐腐蚀性构件的体积密度为8.8～9.2g/cm3，由氧化镱的烧结体构成。3.一种半导体制造装置用...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡边守道，胜田祐司，早濑徹，神藤明日美，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP