NiCo2S4纳米材料及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种NiCo2S4纳米材料的制备方法，包括以下步骤，首先将可溶性钴源、可溶性镍源、尿素和溶剂混合后，得到反应前驱液；然后将导电衬底置于上述步骤得到的反应前驱液中，在微波作用下进行反应后，再经过热处理，得到NiCo2O4纳米片；最后将上述步骤得到的NiCo2O4纳米片与硫化物再次反应后，得到NiCo2S4纳米材料。本发明专利技术工艺简单，成本低廉，耗能小，反应时间短，有利于大规模产业化扩展，而且NiCo2S4半导体纳米片形貌均匀，比表面积大，能够实现纳米结构薄膜的可控生长，从而可与电解液充分接触，保证离子快速扩散和电荷的有效传输，能够直接用作染料敏化太阳能电池的对电极，有着巨大的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
NiCo2S4纳米材料及其制备方法
本专利技术涉及纳米材料
，涉及一种三元过渡族金属硫化物纳米材料及其制备方法、应用，尤其涉及一种NiCo2S4纳米材料及其制备方法、应用。
技术介绍
近些年来，纳米材料得到了蓬勃发展，由于它的尺寸已经接近电子的相干长度，它的性质因为强相干所带来的自组织使得性质发生很大变化。因此其所表现的特性，例如熔点、磁性、光学、导热、导电特性等等，往往不同于该物质在整体状态时所表现的性质。这其中，化合物半导体纳米材料，由于化合物半导体自身的光电性能，再结合纳米级结构，会具有诸多更特殊的性能，因而引起了学者们的广泛重视。化合物半导体又称晶态无机化合物半导体，是指由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物，并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质。包括晶态无机化合物(如III-V族、II-VI族化合物半导体)及其固溶体、非晶态无机化合物(如玻璃半导体)、有机化合物(如有机半导体)和氧化物半导体等。在众多化合物半导体纳米材料中，铜基硫化物纳米材料作为一种重要的半导体材料，尤其是三元过渡金属硫族化合物，由于具有更多的可控变量，从而表现出更加新颖奇特的性质(如本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种NiCo2S4纳米材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：A)将可溶性钴源、可溶性镍源、尿素和溶剂混合后，得到反应前驱液；B)将导电衬底置于上述步骤得到的反应前驱液中，在微波作用下进行反应后，再经过热处理，得到NiCo2O4纳米片；C)将上述步骤得到的NiCo2O4纳米片与硫化物再次反应后，得到NiCo2S4纳米材料。

【技术特征摘要】
1.一种NiCo2S4纳米材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：A)将可溶性钴源、可溶性镍源、尿素和溶剂混合后，得到反应前驱液；B)将导电衬底置于上述步骤得到的反应前驱液中，在微波作用下进行反应后，再经过热处理，得到NiCo2O4纳米片；C)将上述步骤得到的NiCo2O4纳米片与硫化物再次反应后，得到NiCo2S4纳米材料。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述可溶性钴源包括硫酸钴、氯化钴、醋酸钴和硝酸钴中的一种或多种；所述可溶性镍源包括硫酸镍、氯化镍、醋酸镍和硝酸镍中的一种或多种；所述溶剂包括水、乙醇、甲醇和甲苯中的一种或多种；所述硫化物包括硫化钠、硫化钾和硫化亚铁中的一种或多种；所述硫化物为硫化物水溶液。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述可溶性钴源与所述可溶性镍源的摩尔比为(1.5～2.5)：1；所述尿素与所述可溶性镍源的摩尔比为1：(5～20)；所述可溶性镍源在所述反应前驱液中的浓度为0.01～0.1mol/L；所述硫化物水溶液的浓度为0.03～0.1mol/L。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述混合的时间为20～40min；所述微波的功率为700～900W；所述反应的温度为90～110℃；所述反应的时间为0.5～2h。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘俊，刘康乐，李成辉，魏爱香，招瑜，肖志明，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：广东,44