一种g-C3N4纳米片及其制备方法与应用技术
A G C3N4 nano film and preparation method and application thereof
The invention discloses a G C3N4 nano film, the thickness of 1 200nm, specific surface area of 10 200m
【技术实现步骤摘要】
一种g-C3N4纳米片及其制备方法与应用
本专利技术属于纳米材料以及光降解领域，尤其涉及一种g-C3N4纳米片及其制备方法与应用。
技术介绍
以半导体为催化剂的多相光催化反应由于其反应条件温和，直接利用太阳光、深度矿化等独特的优势，在太阳能转化和环境污染治理方面有巨大的潜力。半导体材料将太阳能直接转化为能源燃料和化学能，一直被视为一种绿色可持续的途径，能用于应对未来的能源和环境危机。光催化反应是在太阳光作为驱动力，用适当的半导体材料进行大量催化反应，如水分裂产生H2和O2，还原二氧化碳合成碳氢燃料，有机污染物的降解，水体杀菌消毒和有机化合物的选择性合成。石墨相氮化碳(g-C3N4)聚合物材料由于其合成简单、适中的电子能带结构、物理化学稳定性好和原料丰富的特点，成为了研究者心中的下一代光催化剂。g-C3N4材料由于存在电子与空穴的复合率高、电子电导率低和无法利用460nm以上的太阳光等不足，使其在光催化领域的应用受到限制。目前，优化g-C3N4材料光催化性能的方法包括合成路线的设计、电子结构的调控和纳米结构的设计。共聚和掺杂是修饰g-C3N4材料的电子结构和能带调控...
【技术保护点】
一种g‑C3N4纳米片，其特征在于，所述纳米片片层厚度为1‑200nm，比表面积为10‑200m
【技术特征摘要】
1.一种g-C3N4纳米片，其特征在于，所述纳米片片层厚度为1-200nm，比表面积为10-200m2g-1。2.一种如权利要求1所述的g-C3N4纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将含碳氮有机物与三聚氰酸研磨混合，制备前驱体；(2)将前驱体倒入坩埚中进行煅烧，反应得到g-C3N4纳米片。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中三聚氰酸与含碳氮有机物的摩尔比为1:9-9:1。4.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，所述含碳氮有机物为三聚氰胺、氰胺、二氰胺中的一种或多种。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述含碳氮有机物为三聚氰...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘素琴，丁望，袁修贵，何震，
申请(专利权)人：中南大学，
类型：发明
国别省市：湖南,43
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