【技术实现步骤摘要】
声波滤波器装置、制造声波滤波器装置的封装件和方法本申请要求于2016年2月17日提交到韩国知识产权局的第10-2016-0018303号韩国专利申请的优先权和权益,所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
以下描述涉及一种声波滤波器装置。
技术介绍
近年来,使用体声波(BAW)滤波器的装置已在无线通信系统的小型化、多功能化和性能改进中起到了非常重要的作用。为实现BAW滤波器装置的特性,需要能够在真空状态保持可靠的密封以阻挡水分的渗入的气密封。因此,在制造BAW滤波器装置时普遍使用的结合技术中,晶圆级结合技术已经被用于保持气密封,这种晶圆级结合技术包括硅-硅(Si-Si)直接结合技术、硅-玻璃(Si-Glass)阳极结合技术和使用火石玻璃的结合技术。然而,由于结合温度高或可加工性差,这些技术不是普遍适于BAW滤波器装置的封装件。
技术实现思路
提供该
技术实现思路
以简化的形式对挑选出来的构思进行描述,并在具体实施方式中对所述构思进行进一步描述。本
技术实现思路
既不意在限定所要求保护的主题的主要特征或必要特征,也不意在帮助确定所要求保护的主题的范围。根据实施例,提供 ...
【技术保护点】
一种声波滤波器装置,包括:声波滤波器件;基体,所述声波滤波器件形成在基体上,并且所述基体包括结合件,所述结合件被形成为围绕声波滤波器件;盖,包括形成在所述盖中的凹槽以及结合对应件,所述结合对应件被形成为与结合件相对应,其中,所述凹槽位于声波滤波器件的上方,其中,所述结合件和所述结合对应件接收电压,以使结合件和结合对应件变形且彼此结合。
【技术特征摘要】
2016.02.17 KR 10-2016-00183031.一种声波滤波器装置,包括:声波滤波器件;基体,所述声波滤波器件形成在基体上,并且所述基体包括结合件,所述结合件被形成为围绕声波滤波器件;盖,包括形成在所述盖中的凹槽以及结合对应件,所述结合对应件被形成为与结合件相对应,其中,所述凹槽位于声波滤波器件的上方,其中,所述结合件和所述结合对应件接收电压,以使结合件和结合对应件变形且彼此结合。2.根据权利要求1所述的声波滤波器装置,其中,所述结合对应件位于盖的边缘上,与结合件相对对齐,其中,所述结合件形成在基体的上表面上。3.根据权利要求1所述的声波滤波器装置,其中,所述结合件和所述结合对应件由金形成。4.根据权利要求3所述的声波滤波器装置,其中,所述结合件和所述结合对应件包括与声波滤波器件的形状相对应的带状形状。5.一种制造声波滤波器装置的封装件,包括:声波滤波器件;基体晶圆,所述声波滤波器件形成在基体晶圆上,并且所述基体晶圆包括结合件,所述结合件被形成为围绕所述声波滤波器件;盖晶圆,包括形成在所述盖晶圆中的凹槽和结合对应件,所述结合对应件被形成为与结合件相对应,其中,所述凹槽位于声波滤波器件的上方,其中,所述结合件和所述结合对应件接收电压,以使结合件和结合对应件变形且彼此结合。6.根据权利要求5所述的封装件,其中,所述结合件和所述结合对应件由金形成。7.根据权利要求5所述的封装件,所述封装件还包括:第一垫,用于向形成在所述基体晶圆上的结合件施加电压;第二垫,用于向形成在所述盖晶圆上的结合对应件施加电压。8.根据权利要求5所述的封装件,所述封装件还包括:第一垫,连续地形成在所述基体晶圆的下表面的两端部、所述基体晶圆的侧部和所述基体晶圆的上表面的两端部...
【专利技术属性】
技术研发人员:康崙盛,南智惠,金光洙,姜珌中,李桢日,
申请(专利权)人:三星电机株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。