半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置保护引线的接合部。半导体装置(100)具备：半导体元件(12)，其在表面具有电极；引线(15)，其与半导体元件(12)的电极接合；树脂层(22b)，其覆盖半导体元件(12)的表面的引线(15)的接合部；以及凝胶填充材料(23)，其密封半导体元件(12)、引线(15)和树脂层(22b)。通过利用树脂层(22b)对引线(15)的接合部进行保护，从而能够缓和其劣化，提高半导体装置(100)的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
本专利技术涉及半导体装置及其制造方法。
技术介绍
在太阳能发电、风力发电等可再生能源领域、混合动力汽车、电动汽车等车载领域和车辆等的铁道领域那样的要求高效的电力变换的领域中，广泛利用功率半导体装置(也简称为半导体装置)。在此，在半导体装置中搭载有碳化硅(SiC)化合物半导体元件等新一代半导体元件。例如在专利文献1中公开了使SiC二极管与硅(Si)半导体开关元件反向并联连接而得到的半导体装置。SiC化合物半导体元件相对于现有的Si半导体元件绝缘破坏电场强度高，因此是高耐压的，另外能够进一步提高杂质浓度，且进一步减薄活性层，因此能够实现高效率且能够高速动作的小型的半导体装置。专利文献1：日本特开2004-95670号公报
技术实现思路
技术问题然而，SiC化合物半导体元件虽然可以耐受高温下的使用，但存在因芯片结温上升而导致电极膜和引线接合部劣化，作为半导体装置的可靠性降低的问题。另外，在半导体装置中要求大的电流容量，另一方面，因为不充分结晶品质而无法使SiC化合物半导体元件构成为大到Si半导体元件的程度，因此必须将设置于半导体元件的周边的电场缓和区域(也称为保护环)设本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具备：第一半导体元件，其具有第一正面电极和第一保护环；第二半导体元件，其具有第二正面电极和第二保护环；第一引线，其与所述第一正面电极接合；第二引线，其与所述第二正面电极接合；第一树脂层，其覆盖所述第一保护环和所述第二保护环中的至少一个；以及凝胶填充材料，其密封所述第一半导体元件和所述第二半导体元件、所述第一引线和所述第二引线、以及所述第一树脂层。

【技术特征摘要】
2016.02.17 JP 2016-0279461.一种半导体装置，其特征在于，具备：第一半导体元件，其具有第一正面电极和第一保护环；第二半导体元件，其具有第二正面电极和第二保护环；第一引线，其与所述第一正面电极接合；第二引线，其与所述第二正面电极接合；第一树脂层，其覆盖所述第一保护环和所述第二保护环中的至少一个；以及凝胶填充材料，其密封所述第一半导体元件和所述第二半导体元件、所述第一引线和所述第二引线、以及所述第一树脂层。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还具备：第二树脂层，其覆盖所述第一正面电极与所述第一引线的第一接合部，以及所述第二正面电极与第二引线的所述第二接合部中的至少一个接合部。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一树脂层包括聚酰亚胺。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述聚酰亚胺的玻璃化转变温度为200℃以上。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一树脂层的厚度为10μm～50μm。6.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第二树脂层的厚度为10μm～50μm。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述凝胶填充材料包括硅凝胶。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一半导体元件为SiC半导体元件，所述第二半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：金井直之，堀元人，金子悟史，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP