半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种即使在高的工作温度下工作也能够确保耐久性、在充分发挥半导体元件的性能方面有利的半导体装置。本发明专利技术的半导体装置包括将被基座(14)支撑的半导体元件(16)密封的密封层(20)而构成。密封层(20)由纳米复合物结构构成，所述纳米复合物结构由大量nm尺寸(1μm以下)的粒径的由SiO2构成的绝缘性纳米微粒(54)和将这些绝缘性纳米微粒(54)的周围没有间隙地填埋的非晶二氧化硅(56)构成。

Semiconductor device

The present invention provides a semiconductor device that is capable of ensuring durability even when operating at a high operating temperature and is advantageous in giving full play to the performance of a semiconductor device. A semiconductor device of the present invention comprises a sealing layer (20) that is sealed by a semiconductor element (16) supported by a base (14). The sealing layer (20) composed of nano composite structure, the structure of the nano composite material is composed of a large number of nm size (1 m) of the particle size of SiO2 which consists of insulating nanoparticles (54) and the insulating nanoparticles (54) amorphous oxygen around the landfill with no space between the two silicon (56) composition.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术涉及一种半导体装置。
技术介绍
近年来，进行着使用SiC(碳化硅)的SiC半导体元件的开发。SiC半导体元件与Si半导体元件相比较，绝缘击穿电场强度高，带隙宽，因此作为控制大电力的电力设备倍受注目。SiC半导体元件即使在超过Si半导体元件的极限的150℃以上的高温下也能够工作，理论上即使在500℃以上也能够工作(参照专利文献1)。然而，半导体元件为了实现其的保护，以被收纳在壳体中并且被由填充在壳体的内部的树脂制密封材料构成的密封层密封的半导体装置的方式使用。现在，由树脂制密封材料构成的密封层的耐热温度限于150℃以下，如果达到超过SiC半导体元件的工作温度150℃的高温，则密封层发生劣化，在密封层中产生间隙，在确保半导体装置的耐久性方面不利。因此，现在不得不将SiC半导体元件在其工作温度不超过密封层的耐热温度的范围内使用，在充分发挥SiC半导体元件的性能上存在极限。这样的SiC半导体元件例如在将直流电压升压的升压电路、将直流电压变换成交流电压的逆变器(inverter)或变换成直流电压的顺变换器(converter)等的处理大电力的电力变换电路中作为电力设备使用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，其具备：半导体元件；壳体，其收纳所述半导体元件；基座，其在所述壳体的内部支撑所述半导体元件，发挥作为将所述半导体元件发出的热散热的散热部件的功能；配线部件，其配设在所述壳体的内部，与所述半导体元件电连接；和密封层，其填充在所述壳体的内部，将所述半导体元件、所述配线部件密封，其中，所述密封层由纳米复合物结构构成，所述纳米复合物结构由1μm以下的粒径的由SiO2构成的绝缘性纳米微粒和将这些绝缘性纳米微粒的周围没有间隙地填埋的非晶二氧化硅构成。

【技术特征摘要】
2016.02.16 JP 2016-0272631.一种半导体装置，其特征在于，其具备：半导体元件；壳体，其收纳所述半导体元件；基座，其在所述壳体的内部支撑所述半导体元件，发挥作为将所述半导体元件发出的热散热的散热部件的功能；配线部件，其配设在所述壳体的内部，与所述半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：关根重信，
申请(专利权)人：纳普拉有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP