接合结构部制造技术

本发明专利技术提供比以往技术具有更高的耐热性、接合强度和机械强度、并且在对热膨胀率不同的元件和部件彼此之间接合时的氧化进行抑制的同时能够可靠性良好地接合的接合结构部。本发明专利技术通过下述的接合结构部而解决了上述课题，所述接合结构部的特征在于，在含有Sn和Sn‑Cu合金的母相中具有由Sn、Cu和Ni形成的金属间化合物，所述Sn‑Cu合金和所述金属间化合物的至少一部分进行了内延接合。

【技术实现步骤摘要】
接合结构部
本专利技术涉及接合结构部。
技术介绍
在IoT(物联网；InternetofThings)的发展和要求进一步节能的过程中，担负其技术核心的功率半导体的重要性日益增加。可是，对其的有效利用还存在许多课题。功率半导体由于要处理高电压、大电流的大电力，所以会发出大量热而变为高温。目前的Si功率半导体所要求的耐热性可应对约175℃左右的温度，能耐受约200℃的温度的Si功率半导体的开发正在进行，另外，SiC和GaN等下一代的功率半导体要求能耐受250～500℃。为了提高耐热性，在散热性优良的Cu基板上接合元件和部件的方法是最好的，但存在下述问题点：由于热膨胀率的不同，导致元件和部件被破坏、或接合部的接合材发生破损。因此，目前使用的是与元件和部件的热膨胀率相匹配的昂贵的陶瓷基板，需要加以改善。另一方面，说到接合材，具有上述那样的SiC和GaN等下一代的功率半导体所要求的高耐热性的接合材还不存在。例如，专利文献1中公开的SnAgCu系接合材(粉末焊锡材料)只不过能够适用于应对大约125℃左右的功率半导体，不能适用于下一代本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种接合结构部，其特征在于，其是在含有Sn和Sn-Cu合金的母相中具有由Sn、Cu和Ni形成的金属间化合物、并且将金属体或合金体进行接合的接合结构部，其中，/n所述Sn-Cu合金和所述金属间化合物的至少一部分进行了内延接合。/n

【技术特征摘要】
20191004 JP 2019-1835971.一种接合结构部，其特征在于，其是在含有Sn和Sn-Cu合金的母相中具有由Sn、Cu和Ni形成的金属间化合物、并且将金属体或合金体进行接合的接合结构部，其中，
所述Sn-Cu合金和所述金属间化合物的至少一部分进行了内延接合。


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【专利技术属性】
技术研发人员：关根重信，
申请(专利权)人：纳普拉有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP