低阿尔法BGA锡球的制备方法以及BGA锡球技术

本发明专利技术提供一种低阿尔法BGA锡球的制备方法，包括提供制备所述BGA锡球所需的多种低纯度的单质钎料；去除每一所述单质钎料中的杂质以对所述单质钎料进行提纯；将多种提纯后的所述单质钎料合金化后制备所述低阿尔法BGA锡球。本发明专利技术金属直收率高，阿尔法粒子放射量低于0.001cph/cm

【技术实现步骤摘要】
低阿尔法BGA锡球的制备方法以及BGA锡球
本专利技术涉及BGA锡球
，尤其涉及一种低阿尔法BGA锡球的制备方法以及BGA锡球。
技术介绍
电子设备的尺寸和操作电压正不断减小，半导体器件的体积在不断地减小，致使晶体管的尺寸和操作电压也在不断减小，对封装技术和材料带来了新的挑战。半导体器件的尺寸比例缩小，这就意味着半导体中的电路将更加密集、硅片更薄、非永久性存储器的电容电压更低，这将导致半导体器件对软错误(软错误是指由单晶硅辐射而造成设备暂时性功能故障)更加敏感，这是因为低能的阿尔法粒子可以翻转存储单元或改变逻辑电路中时序。半导体器件采用球栅阵列封装(BGA，BallGridArray)，球栅阵列封装的发展，焊接凸点尺寸更小、排列更密集，更加接近活度硅元件，BGA锡球内的短程低能阿尔法粒子(例如，210Pb衰变会形成高能量的阿尔法辐射体210Po)能够诱发软错误，因此需要去除钎料中的阿尔法放射体。现有技术中，用于制备低阿尔法BGA锡球的主要方法有：1、电解法。电解法是将原料在强酸中浸出，将浸出液作为电解液，放入吸附杂本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低阿尔法BGA锡球的制备方法，其特征在于，所述方法包括：/nS10：提供制备所述BGA锡球所需的多种低纯度的单质钎料；/nS20：去除每一所述单质钎料中的杂质以对所述单质钎料进行提纯，具体包括：/nS21：将所述单质钎料分别预先进行真空蒸馏，包括：/n将盛放有所述单质钎料的坩埚放入至真空炉内，真空炉密封并保证炉内的压力达到一定值；/n升温到T1并保温一定时间，所述T1的值小于所述单质钎料和主要杂质中沸点较小的那一个的沸点值；/n保温结束后，取出挥发物和残留物，得到初步提纯的所述单质钎料；/nS22：将初步提纯的所述单质钎料进行区域熔炼，包括：/n将所述单质钎料放入至区域熔炼炉内并通入保...

【技术特征摘要】
1.一种低阿尔法BGA锡球的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
S10：提供制备所述BGA锡球所需的多种低纯度的单质钎料；
S20：去除每一所述单质钎料中的杂质以对所述单质钎料进行提纯，具体包括：
S21：将所述单质钎料分别预先进行真空蒸馏，包括：
将盛放有所述单质钎料的坩埚放入至真空炉内，真空炉密封并保证炉内的压力达到一定值；
升温到T1并保温一定时间，所述T1的值小于所述单质钎料和主要杂质中沸点较小的那一个的沸点值；
保温结束后，取出挥发物和残留物，得到初步提纯的所述单质钎料；
S22：将初步提纯的所述单质钎料进行区域熔炼，包括：
将所述单质钎料放入至区域熔炼炉内并通入保护气；
...

【专利技术属性】
技术研发人员：林文良，吴华丰，袁鹏，
申请(专利权)人：重庆群崴电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;50