【技术实现步骤摘要】
一种复合焊料预成型片及其制备方法、及封装方法
本专利技术属于电子材料
,尤其涉及一种复合焊料预成型片及其制备方法、及封装方法。
技术介绍
目前,功率半导体器件广泛地应用于电力电子领域,可以实现电力设备的电能转换、信号控制等功能。由于其服役时要在高频、高电流密度下工作,功率半导体芯片会产生大量热量。为了保证芯片的可靠运行,需要通过高散热的连接材料进行热耗散。此外为了降低焊接后的热应力,提升器件可靠性,低温连接也是芯片封装的诉求之一。纳米银焊料,如纳米银膏、纳米银膜,是目前最具前景的功率半导体芯片的互连材料。纳米银由于其较高的表面能,可以在较低的温度下实现烧结,形成焊点结构,且具有优异的导热导电性能和机械强度。然而,受制于其烧结机制的影响,基板材料的表面往往需要进行镀银的金属化处理,才能保证烧结后的焊点结合性能。对于铝基板比如陶瓷基板而言,纳米银烧结存在界面氧化、结合力差的问题。对于铜、金表面金属化的基板而言,纳米银烧结存在界面扩散速率快,界面性能退化的问题。因此,需要开发一种新的烧结互连材料,改善烧结材料与异质基 ...
【技术保护点】
1.一种复合焊料预成型片,其特征在于:其包括基体,所述基体为预烧结银薄膜,所述基体的一面或两面设有焊料层,所述焊料层的焊料为低温锡基焊料或高温玻璃料。/n
【技术特征摘要】
1.一种复合焊料预成型片,其特征在于:其包括基体,所述基体为预烧结银薄膜,所述基体的一面或两面设有焊料层,所述焊料层的焊料为低温锡基焊料或高温玻璃料。
2.根据权利要求1所述的复合焊料预成型片,其特征在于:所述预烧结银薄膜的厚度为20-200μm,银含量大于95%,孔隙率为50-90%。
3.根据权利要求1所述的复合焊料预成型片,其特征在于:所述焊料层通过冷喷涂、蒸镀或溅射的方式形成在基体的表面。
4.根据权利要求3所述的复合焊料预成型片,其特征在于:所述焊料层的厚度为5μm-50μm。
5.根据权利要求1所述的复合焊料预成型片,其特征在于:所述低温锡基焊料为锡、锡银铜焊料、锡银焊料、锡铜焊料或锡锌焊料;所述高温玻璃料包括V2O5、ZrO2、ZnO、BaO、BiO中的一种或几种的混合物。
6.如权利要求1~5任意一项所述的复合焊料预成型片的制备方法,其特征在于,其包括以下步骤:
步骤S1,制备银浆料;
步骤S2,对银浆料进行加热获得预烧结银薄膜;
步骤S3,在银薄膜上制备焊料层。
7.根据权利要求6所述的复合焊料预成型片的制备方法...
【专利技术属性】
技术研发人员:李明雨,杨帆,祝温泊,胡博,
申请(专利权)人:哈尔滨工业大学深圳,
类型:发明
国别省市:广东;44
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