【技术实现步骤摘要】
一种具有冷却回路的密封法兰
本技术涉及法兰
,特别是涉及一种具有冷却回路的密封法兰。
技术介绍
目前,一些设备通常采用密封法兰配合配件来进行气体或者液体的密封。例如,氢化物气相外延(HVPE,HydrideVaporPhaseEpitaxy)设备,该设备为化合物生长工艺设备,主要用于在高温环境下通过如H2、HCl等氢化物气体,使衬底表面外延生长一层如GaAs、GaN等的厚膜或晶体。由于H2、HCl等氢化物气体都是危险气体,需要通过密封法兰配合密封圈将这些危险气体密封在HVPE设备的石英管中,一旦泄露,将造成严重后果。然而,HVPE设备由于长期处于高温环境中,密封圈很容易被烧坏,若不能及时更换密封圈,就将导致危险气体泄露。通常的做法就是对密封法兰进行降温冷却,根据温度传导原理使与密封法兰紧密接触的密封圈的温度降下来,从而延长密封圈的使用寿命。如图1所示为现有技术中的具有冷却回路的密封法兰的侧视图,如图2所示为现有技术中的具有冷却回路的密封法兰的仰视图,如图3所示为图2中A-A方向的剖视图,如图4所示为现有技术中的具有冷却回路的密封法兰在进行冷却时冷却水的循环走向示意图。由图1~图4可见,密封法兰的结构主要包括底部1、侧壁2、边缘3、进水口4、出水口5以及挡板6,底部1的中心位置开设有一用于连接外部零部件的连接孔11,挡板6位于进水口4和出水口5之间,在对密封法兰进行冷却时,冷却水(图4中点虚线代表冷却水的流经路线)从进水口4进入侧壁2的一侧,在挡板6的阻挡下流向侧壁2的另一侧,同时从底部1的一侧流向另一侧,冷却水充满底部1并逐渐向侧壁2顶端聚积,在侧壁 ...
【技术保护点】
一种具有冷却回路的密封法兰,其特征在于,所述具有冷却回路的密封法兰至少包括:底部,侧壁,边缘,隔层,进水口,出水口,第一挡板,第二挡板以及第三挡板;所述底部、所述侧壁和所述边缘均为中空结构,且依次连通形成中空腔体;所述隔层位于所述侧壁内,将所述中空腔体分隔为相互独立的上腔体和下腔体,且所述隔层上设有第一通道和第二通道,所述进水口和所述出水口位于所述侧壁的外表面上,且所述进水口和所述出水口的位置高于所述隔层;其中,所述第一通道和所述第二通道与所述进水口和所述出水口相对位于所述密封法兰的两侧;所述第一挡板和所述第二挡板位于所述上腔体内,且分别连接所述隔层和所述侧壁顶端,所述第一挡板的位置处于所述进水口和所述出水口之间,所述第二挡板的位置处于所述第一通道和所述第二通道之间;所述第三挡板位于所述下腔体内,且连接所述隔层和所述底部底端,所述第三挡板的位置处于所述第一通道和所述第二通道之间。
【技术特征摘要】
1.一种具有冷却回路的密封法兰,其特征在于,所述具有冷却回路的密封法兰至少包括:底部,侧壁,边缘,隔层,进水口,出水口,第一挡板,第二挡板以及第三挡板;所述底部、所述侧壁和所述边缘均为中空结构,且依次连通形成中空腔体;所述隔层位于所述侧壁内,将所述中空腔体分隔为相互独立的上腔体和下腔体,且所述隔层上设有第一通道和第二通道,所述进水口和所述出水口位于所述侧壁的外表面上,且所述进水口和所述出水口的位置高于所述隔层;其中,所述第一通道和所述第二通道与所述进水口和所述出水口相对位于所述密封法兰的两侧;所述第一挡板和所述第二挡板位于所述上腔体内,且分别连接所述隔层和所述侧壁顶端,所述第一挡板的位置处于所述进水口和所述出水口之间,所述第二挡板的位置处于所述第一通道和所述第二通道之间;所述第三挡板位于所述下腔体内,且连接所述隔层和所述底部底端,所述第三挡板的位置处于所述第一通道和所述第二通道之间。2.根据权利要求1所述的具有冷却回路的密封法兰,其特征在于,所述具有冷却回路的密封法兰还包括:出水管,所述出水管设置在所述上腔体内,所述出水管的底端连接所述出水口,所述出水管的顶端高度高于所述边缘的底端。3.根据权利要求2所述的具有冷却回路的密封法兰,其特征在于,所述出水管的顶端具有一倾斜面,所述倾斜面的顶端高度达到所述侧壁的顶端,所述出水管的倾斜面与其垂直管道之间的夹角大于等于60°。4.根据权利要求3所述的具有冷却回路的密封法兰,其特征在于,所述边缘顶端的厚度大于所述侧壁顶端的厚度,所述出水管的倾斜面底端的高度高于所述边缘顶端的下表面。5.根据权利要求1所述的具有冷却回路的密封法兰,其特征在于,所述第一通道采用管道设计,所述第一通道的顶端高度高于所述边缘的底端,所述第一通道的横截面为圆形、腰形、方形或者不规则形状。6.根据权利要求5所述的具有冷却回路的密封法兰,其特征在于,所述第一通道的顶端高度高于所述边缘顶端的下表面。7.根据权利要求5所述的具有冷却回路的密封法兰,其特征在于,所述第一通道的顶端具有一倾斜面,所述倾斜面的顶端连接所述侧壁的顶端,所述第一通道的倾斜面与其垂直管道之间的夹角大于等于60°。8.根据权利要求7所述的具有冷却回路的密封法兰,其特征在于,所述边缘顶端的厚度大于所述侧壁顶端的厚度,所述第一通道的倾斜面底端的高度高于所述边缘顶端的下表面。9.根据权利要求1所述的具有冷却回路的密封法兰,其特征在于,所述第二通...
【专利技术属性】
技术研发人员:特洛伊·乔纳森·贝克,王颖慧,
申请(专利权)人:镓特半导体科技上海有限公司,
类型:新型
国别省市:上海,31
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