主动元件阵列基板以及显示面板制造技术

本发明专利技术提供一种主动元件阵列基板以及显示面板。主动元件阵列基板包括基板、第一图案化金属层、第一绝缘层、图案化半导体层、第一透光导电图案层、第二图案化金属层、第二绝缘层以及第二透光导电图案层。第二图案化金属层配置于第一透光导电图案层上，且第二图案化金属层与第一透光导电图案层的重叠面积在基板上的正投影与第二图案化金属层在基板上的正投影一致。第二透光导电图案层位在第二绝缘层上且对应于第一透光导电图案层。本发明专利技术可减少制作主动元件阵列基板所需使用的掩膜数量，从而降低显示面板的制作成本。

【技术实现步骤摘要】
主动元件阵列基板以及显示面板
本专利技术涉及一种主动元件阵列基板以及显示面板。
技术介绍
近年来，具有低消耗功率、空间利用效率佳、无辐射、高画质等优越特性的平面显示面板(flatdisplaypanels)已成为市场主流，其中又以液晶显示面板最为普及。随着显示规格不断地朝向大尺寸发展，市场对于液晶显示面板的性能要求亦朝向高对比度、快速反应及广视角等特性发展。目前常见的广视角技术包括共平面切换式(In-PlaneSwitching,IPS)液晶显示面板、多域垂直配向式(Multi-domainVerticalAlignment,MVA)液晶显示面板以及边际场切换式(FringeFieldSwitching,FFS)液晶显示面板。以边界电场切换型液晶显示面板为例，其具有低色偏与高透光率等光学特性，因此被广泛应用于各种电子设备中作为平面显示设备。然而，目前边界电场切换型液晶显示面板的像素数组结构至少需采用六道掩膜工艺，造成其制作成本较高。因此，如何减少掩膜的使用数量成为重要的研发方向之一。
技术实现思路
本专利技术提供一种主动元件阵列基板，其可采用相对少的掩膜数量制作。本专利技术提供一种显示面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种主动元件阵列基板，其特征在于，包括：基板；第一图案化金属层，配置于所述基板上；第一绝缘层，位在所述基板上且覆盖所述第一图案化金属层；图案化半导体层，配置于所述第一绝缘层上；第一透光导电图案层，配置于所述第一绝缘层上且延伸至所述图案化半导体层上，并覆盖所述图案化半导体层的局部区域；第二图案化金属层，配置于所述第一透光导电图案层上，且所述第二图案化金属层与所述第一透光导电图案层的重叠面积于所述基板上的正投影与所述第二图案化金属层于所述基板上的正投影一致；第二绝缘层，覆盖所述第二图案化金属层、被所述第二图案化金属层暴露出的第一透光导电图案层以及被所述第一透光导电图案层暴露出的图案化半导体层以及第...

【技术特征摘要】
1.一种主动元件阵列基板，其特征在于，包括：基板；第一图案化金属层，配置于所述基板上；第一绝缘层，位在所述基板上且覆盖所述第一图案化金属层；图案化半导体层，配置于所述第一绝缘层上；第一透光导电图案层，配置于所述第一绝缘层上且延伸至所述图案化半导体层上，并覆盖所述图案化半导体层的局部区域；第二图案化金属层，配置于所述第一透光导电图案层上，且所述第二图案化金属层与所述第一透光导电图案层的重叠面积于所述基板上的正投影与所述第二图案化金属层于所述基板上的正投影一致；第二绝缘层，覆盖所述第二图案化金属层、被所述第二图案化金属层暴露出的第一透光导电图案层以及被所述第一透光导电图案层暴露出的图案化半导体层以及第一绝缘层；以及第二透光导电图案层，位在所述第二绝缘层上，且对应于所述第一透光导电图案层。2.根据权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，所述第一图案化金属层包括多条扫描线以及多个栅极，所述图案化半导体层包括多个半导体图案，所述第二图案化金属层包括多条数据线、多个源极以及多个漏极，所述多个数据线与所述多个扫描线交错以画分出多个子像素区，所述第一透光导电图案层包括多个第一图案以及多个第二图案，所述多个第一图案于所述基板上的正投影与所述多个数据线及所述多个源极于所述基板上的正投影一致，各所述第二图案位在其中一子像素区中，且各所述漏极位在其中一第二图案上，其中所述多个漏极与所述多个第二图案的重叠面积于所述基板上的正投影与所述多个漏极于所述基板上的正投影一致，所述第二透光导电图案层包括多个第三图案，各所述第三图案位在其中一子像素区中且位在其中一第二图案上方。3.根据权利要求2所述的主动元件阵列基板，其特征在于，各所述子像素区配置有其中一栅极、其中一半导体图案、其中一第一图案、其中一第二图案、其中一源极、其中一漏极以及其中一第三图案，所述第一图案与所述第二图案分别延伸至所述半导体图案上，所述源极覆盖延伸至所述半导体图案上的所述第一图案，所述漏极覆盖延伸至所述半导体图案上的所述第二图案，且所述半导体图案被所述第一图案与所述第二图案暴露出来的区域与所述半导体图案被所述源极与所述漏极暴露出来的区域一致。4.根据权利要求2所述的主动元件阵列基板，其特征在于，还包括：第三绝缘层，设置于所述图案化半导体层与所述第一透光导电图案层间，且所述第三绝缘层具有多个第一开口以及多个第二开口，所述多个第一开口对应所述多个源极设置且分别暴露出各所述半导体图案的一部分区域，所述多个第二开口对应所述多个漏极设置且分别暴露出各所述半导体图案的另一部分区域，所述第一透光导电图案层配置于所述第三绝缘层上，且各所述第一图案通过其中一第一开口与对应的半导体图案接触，而各所述第二图案通过其中一第二开口与对应的半导体图案接触。5.根据权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，所述图案化半导体层为非晶硅半导体层或氧化铟镓锌半导体层，所述第一透光导电图案层为金属氧化物层或金属氧化物的堆叠层。6.根据权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，所述第二图案化金属层的底角小于所述第一透光导...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈德一，苏汉宗，林信宏，高克毅，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71