用于形成包括多个子像素的像素的半导体器件制造技术

发光二极管模块、显示面板或其它设备的像素可以包括不同颜色的子像素，子像素之一包括诸如磷光体的波长转换材料，以便将从子像素的关联发光二极管发射的光转换为除了从子像素发射的光的主色之外的颜色。波长转换材料可以具有为调谐像素的颜色坐标而选择的量。可以响应于对其上要形成波长转换材料的子像素或类似制造的子像素的发光二极管所发射的光的光谱强度接近性测量，来确定波长转换材料的量。还公开了其制造方法。

A semiconductor device for forming pixels including a plurality of sub pixels

The pixel light emitting diode module, display panel or other devices may include different color sub pixels of sub pixels, including one of the wavelength converting material such as a phosphor, so that the associated pixel from the luminous light emitting diodes for conversion in addition to the main color of the light emitted from the pixel color. The wavelength conversion material may have a quantity selected for the color coordinates of the pixels to be tuned. The amount of wavelength conversion material can be determined in response to a spectral intensity proximity measurement of a light emitted by a light emitting diode of a wavelength conversion material or a similar manufacturing sub pixel thereon. A manufacturing method thereof is also disclosed.

【技术实现步骤摘要】
用于形成包括多个子像素的像素的半导体器件相关申请的交叉引用本申请要求2016年2月12日向韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2016-0016055的优先权和权益，其全部内容通过引用合并在此。
本专利技术构思涉及用于形成光源模块、显示面板或显示装置中的像素的半导体器件。
技术介绍
半导体发光二极管(LED)已用作各种电子产品中的光源以及照明设备中的光源。具体地，半导体LED器件正广泛用作各种显示设备(诸如TV、移动电话、PC、膝上型PC和PDA)中的光源。显示设备通常包括显示面板(例如液晶显示(LCD)面板)和背光。然而，近来不需要使用背光的将LED器件用作单个像素的显示设备已经变得普及。这种显示设备可以制造为紧凑型的，且可以实现为相较于常规LCD具有改善的光学效率的高亮度显示器。此外，可以设计并制造这种显示设备，以便方便地改变显示器的纵横比，且还可以将这种显示设备实现为较大面积，从而提供具有各种形式的大型显示器。然而，问题在于由于形成子像素的LED芯片的光学特性(例如，峰值波长或亮度特性)的变化，难以在这种LED显示面板中实现目标颜色坐标。
技术实现思路
示例实施例提供了LE本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：第一像素，包括彼此相邻布置的蓝色子像素、绿色子像素和红色子像素；所述红色子像素包括第一发光二极管以及在第一发光二极管上的嵌入有第一磷光体的透射性材料，以发射第一光，所述第一光具有波长等于或大于600nm的红光峰值强度；所述绿色子像素包括第二发光二极管以及在第二发光二极管上的嵌入有第二磷光体的透射性材料，以发射第二光，所述第二光具有波长在500nm和600nm之间的第一绿光峰值强度；以及所述蓝色子像素包括第三发光二极管以及在第三发光二极管上的嵌入有第三磷光体的透射性材料，以发射第三光，所述第三光具有波长小于500nm的蓝光主峰强度以及波长在500nm和600nm之间的第二绿...

【技术特征摘要】
2016.02.12 KR 10-2016-00160551.一种半导体器件，包括：第一像素，包括彼此相邻布置的蓝色子像素、绿色子像素和红色子像素；所述红色子像素包括第一发光二极管以及在第一发光二极管上的嵌入有第一磷光体的透射性材料，以发射第一光，所述第一光具有波长等于或大于600nm的红光峰值强度；所述绿色子像素包括第二发光二极管以及在第二发光二极管上的嵌入有第二磷光体的透射性材料，以发射第二光，所述第二光具有波长在500nm和600nm之间的第一绿光峰值强度；以及所述蓝色子像素包括第三发光二极管以及在第三发光二极管上的嵌入有第三磷光体的透射性材料，以发射第三光，所述第三光具有波长小于500nm的蓝光主峰强度以及波长在500nm和600nm之间的第二绿光次峰强度，所述蓝光主峰强度大于所述第二绿光次峰强度。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中由所述蓝色子像素发射的第三光具有如下光谱：强度相对于波长而变化，并具有所述蓝光主峰强度和所述第二绿光次峰强度；其中代表所述第三光的强度的第一图形相对于波长在第一图形的第一局部谷值和第二局部谷值之间的积分等于S1，其中第一局部谷值和第二局部谷值分别在主峰强度的两侧且邻近主峰强度；其中代表所述第三光的强度的第一图形相对于波长在第一图形的第三局部谷值和第四局部谷值之间的积分等于S2，其中第三局部谷值和第四局部谷值分别在次峰强度的两侧且邻近次峰强度；其中S2小于或等于S1的20.3％。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中S2小于或等于S1的16.5％。4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中S2小于或等于S1的12.7％。5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第二局部谷值和第三局部谷值是相同的谷值。6.根据权利要求1或4所述的半导体器件，其中所述第三光在CIE1931XYZ颜色空间色度图中的z坐标是.76或更大。7.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中所述第三光在CIE1931XYZ颜色空间色度图中的z坐标是.62或更大。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第三光的第二绿光次峰强度具有小于550nm的波长。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一光的红光峰值强度具有630nm至780nm的波长，其中所述第二光的第一绿光峰值强度具有525nm至580nm的波长，以及其中所述第三光的蓝光峰值强度具有440nm至460nm的波长。10.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：李振燮，成汉珪，金容一，金定燮，李薛琪，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR