【技术实现步骤摘要】
发光元件
本专利技术涉及发光元件。
技术介绍
提出有如下单片集成构造的发光元件:通过在层叠于1张基板上的半导体层叠体设置槽而划分为多个发光单元,并在多个发光单元之间进行布线。专利文献1中记载有在1张基板上形成有多个发光单元、且以倒置式安装于子安装基板的发光元件(参照图6)。专利文献1:日本特开2010-62592号公报对于专利文献1所记载的发光元件而言,由于从各发光单元的侧面射出的光被金属凸起部(bump)吸收、或者向相邻的其它发光单元入射,因此,难以获得较高的光提取效率。另外,在这些发光元件中,当将多个发光单元串联连接而使用时,在发光单元之间产生电位差。因此,用于电极的Ag等金属材料容易引起迁移(migration)。
技术实现思路
本专利技术的课题在于提供一种发光元件,其抑制了用于电极的金属材料的迁移、且提高了光提取效率。本专利技术的发光元件具备:基板;多个半导体发光单元,它们设置于上述基板的上表面侧且在电气方面相互独立;光反射性电极,其设置于上述多个半导体发光单元各自的上表面;第一绝缘层,其连续地将上述半导体发光单元的侧面以及该侧面之间、和上述光反射性电极的侧面 ...
【技术保护点】
一种发光元件,其中,所述发光元件具备:基板;多个半导体发光单元,它们设置于所述基板的上表面侧、且在电气方面相互独立;光反射性电极,其设置于所述多个半导体发光单元各自的上表面;第一绝缘层,其连续地将所述半导体发光单元的侧面以及该侧面之间、和所述光反射性电极的侧面以及上表面的一部分覆盖;配线电极,其将所述多个半导体发光单元以串联方式电连接,并且隔着所述第一绝缘层而将所述半导体发光单元的侧面以及该侧面之间覆盖;以及光反射性金属层,其隔着所述第一绝缘层而将相邻的两个所述半导体发光单元的侧面以及该侧面之间覆盖,并且与所述半导体发光单元未电连接,所述光反射性金属层的一部分隔着所述第一绝 ...
【技术特征摘要】
2015.12.25 JP 2015-254098;2016.06.30 JP 2016-131021.一种发光元件,其中,所述发光元件具备:基板;多个半导体发光单元,它们设置于所述基板的上表面侧、且在电气方面相互独立;光反射性电极,其设置于所述多个半导体发光单元各自的上表面;第一绝缘层,其连续地将所述半导体发光单元的侧面以及该侧面之间、和所述光反射性电极的侧面以及上表面的一部分覆盖;配线电极,其将所述多个半导体发光单元以串联方式电连接,并且隔着所述第一绝缘层而将所述半导体发光单元的侧面以及该侧面之间覆盖;以及光反射性金属层,其隔着所述第一绝缘层而将相邻的两个所述半导体发光单元的侧面以及该侧面之间覆盖,并且与所述半导体发光单元未电连接,所述光反射性金属层的一部分隔着所述第一绝缘层而将在所述相邻的两个半导体发光单元的上表面设置的各光反射性电极的上表面的一部分覆盖。2.根据权利要求1所述的发光元件,其中,所述半导体发光单元在所述基板的上表面侧以两行以上...
【专利技术属性】
技术研发人员:榎村惠滋,井上芳树,寸田高政,
申请(专利权)人:日亚化学工业株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。