一种阵列基板及其制作方法以及显示装置制造方法及图纸

技术编号:16065480 阅读:42 留言:0更新日期:2017-08-22 17:26
本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制作方法以及显示装置,阵列基板包括:基板、依次设置在所述基板上的组合层和阵列结构层;其中,所述组合层包括作为遮光层的第一膜层、第二膜层和第三膜层,本发明专利技术的技术方案不仅提供了一种由三个膜层组合形成的新的遮光层,而且与现有技术相比,还减少了对遮光层的一次掩模工艺,减少了阵列基板制作过程中的掩模工艺的次数,简化了阵列基板工艺,降低了成本,能够实现阵列基板工艺的广泛使用。

Array substrate, manufacturing method thereof and display device

The invention discloses an array substrate and a manufacturing method thereof and display device array substrate includes a substrate and are arranged on the substrate and composite layer array structure layer; among them, the combined layer as the first layer, including a shading layer second layer and third layer, the technical scheme of the invention not only provides a three film formed by the combination of the new shading layer, and compared with the existing technology, but also reduces a mask process on the shading layer, reduce the number of the array substrate in the process of making mask process, simplifies the array substrate process, reduce the cost, widely used to achieve array substrate process.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制作方法以及显示装置
本专利技术涉及显示
,尤指一种阵列基板及其制作方法以及显示装置。
技术介绍
目前,阵列基板的结构包括:基板、以及依次形成在基板上的遮光层、缓冲层和阵列结构层,其中,阵列结构层中包括有源层、栅绝缘层、栅线、公共电极线和栅极的图形等结构。在形成阵列基板的过程中,首先在基板上沉积金属薄膜,通过一次掩模工艺形成遮光层图案,在遮光层图案上形成缓冲层,在缓冲层上再通过一次掩模工艺形成有源层,在有源层上还需要多次掩模工艺,因此,现有的形成阵列基板的过程中使用多次的掩模工艺,由于掩模工艺较复杂,成本较高,因此造成了阵列基板工艺较复杂、成本较高,从而限制了阵列基板工艺的广泛应用。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种阵列基板及其制作方法以及显示装置,能够简化阵列基板工艺,降低成本,实现阵列基板工艺的广泛使用。为了达到本专利技术目的,本专利技术提供了一种阵列基板,包括:基板、依次设置在所述基板上的组合层和阵列结构层;其中,所述组合层包括作为遮光层的第一膜层、第二膜层和第三膜层。进一步地,所述第一膜层设置在所述基板上并覆盖整个基板,所述第二膜层设置在所述第一膜层本文档来自技高网...
一种阵列基板及其制作方法以及显示装置

【技术保护点】
一种阵列基板,其特征在于,包括:基板、依次设置在所述基板上的组合层和阵列结构层;其中,所述组合层包括作为遮光层的第一膜层、第二膜层和第三膜层。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:基板、依次设置在所述基板上的组合层和阵列结构层;其中,所述组合层包括作为遮光层的第一膜层、第二膜层和第三膜层。2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一膜层设置在所述基板上并覆盖整个基板,所述第二膜层设置在所述第一膜层上,所述第三膜层设置在所述第二膜层上,所述第二膜层和第三膜层形成遮光图案,所述遮光图案在基板上的投影大于或等于所述阵列结构层的沟道区域。3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一膜层的厚度为500-1500埃,所述第二膜层的厚度500-1500埃,所述第三膜层的厚度为1000-3000埃。4.根据权利要求1-3任一所述的阵列基板,其特征在于,所述第一膜层、第三膜层的材料为氮化硅、氧化硅或氮化硅和氧化硅的复合薄膜,所述第二膜层的材料为非晶硅。5.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:在基...

【专利技术属性】
技术研发人员:邸云萍曹占锋张斌
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

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