IGBT模组及其制造方法技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】IGBT模组及其制造方法
本专利技术涉及半导体器件领域，具体地说，是涉及一种散热性能好的IGBT散热板及IGBT模组的制造方法。
技术介绍
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由一种由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，作为一种常见的电子器件已经广泛应用在各种电子设备上。随着变频器等高电流电子设备的发展，对IGBT芯片的性能提出了更高的要求，例如要求IGBT芯片承受更高的电流等，但是随着IGBT芯片承受的电流的增加，其工作时产生的热量也不断增加，如果不及时将IGBT芯片产生的热量散发，将严重影响IGBT芯片的工作，甚至影响电路板上其他电子器件的工作，因此，具有高散热能力的IGBT模组已经成为业界共同追求的目标。现有的IGBT芯片通常封装在电路板上，通常，电路板一侧设有散热板，为了实现散热板的绝缘，通常在散热板的一侧设置陶瓷片，而IGBT芯片的一部分引脚，如门极和发射极通常通过贴片工艺封装在陶瓷片上，而集电极则往往通过金属导线连接至电路板的线路上。由于...
【技术保护点】
IGBT模组，包括散热基板，所述散热基板内嵌埋有第一陶瓷散热体，且所述散热基板的表面上设有第一线路层，IGBT芯片的第一侧贴装在所述第一线路层上；其特征在于：所述IGBT芯片的第二侧设有导热金属板，且所述第一线路层的一侧设有带第一通孔的第一散热板，所述IGBT芯片及所述导热金属板位于所述第一通孔内，所述第一散热板远离所述IGBT芯片的一侧设有第二线路层，且所述第二线路层设置在所述导热金属板的一侧；所述第二线路层远离所述IGBT的一侧上设有第二陶瓷散热体以及带第二通孔的第二散热板，所述第二陶瓷散热体位于所述第二通孔内，所述第二散热板上还设有第三线路层；所述第一散热板与所述散热...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.IGBT模组，包括散热基板，所述散热基板内嵌埋有第一陶瓷散热体，且所述散热基板的表面上设有第一线路层，IGBT芯片的第一侧贴装在所述第一线路层上；其特征在于：所述IGBT芯片的第二侧设有导热金属板，且所述第一线路层的一侧设有带第一通孔的第一散热板，所述IGBT芯片及所述导热金属板位于所述第一通孔内，所述第一散热板远离所述IGBT芯片的一侧设有第二线路层，且所述第二线路层设置在所述导热金属板的一侧；所述第二线路层远离所述IGBT的一侧上设有第二陶瓷散热体以及带第二通孔的第二散热板，所述第二陶瓷散热体位于所述第二通孔内，所述第二散热板上还设有第三线路层；所述第一散热板与所述散热基板之间、所述第一散热板与所述第二散热板之间均填充有有机绝缘介质。2.根据权利要求1所述的IGBT模组，其特征在于：所述第一线路层的一侧还设有带有散热片的IC芯片，所述IC芯片及所述散热片位于所述第二通孔内。3.根据权利要求2所述的IGBT模组，其特征在于：一个所述第二通孔内具有一个所述IGBT芯片或者一个所述IC芯片。4.根据权利要求1至3任一项所述的IGBT模组，其特征在于：所述导热金属板设置在所述IGBT芯片的集电极上，所述IGBT芯片的门极以及发射极贴装在所述第一线路层上。5.根据权利要求1至4任一项所述的IGBT模组，其特征在于：所述第一散热板和/或所述第二散热板包括玻璃纤维板，所述玻璃纤维板的两侧均设有第一金属层。6.根据权利要求1至5任一项所述的IGBT模组，其特征在于：所述第一陶瓷散热体和/或所述第二陶瓷散热体包括一个陶瓷体，所述陶瓷体的两侧均设有第二金属层。7.根据权利要求1至6任一项所述的IGBT模组，其特征在于：所述导热金属板的厚度大于所述第二线路层的厚度。8.根据权利要求1至7任一项所述的IGBT模组，其特征在于：所述有机绝缘介质为聚丙烯或者环氧树脂或者硅烷。9.IGBT模组的制造方法，其特征在于，包括制造散热基板，所述散热基板内嵌埋有第一陶瓷散热体，且所述散热基板的表面上形成有第一线路层；其特征在于：将IGBT芯片贴装在导热金属板上，然后将贴装所述导热金属板的所述IGBT芯片贴装在所述第一线路层上，使所述IGBT芯片的两个相对的表面分别贴装在所述导热金属板与所述第一线路层上；在所述第一线路...
【专利技术属性】
技术研发人员：钟山，高卫东，胡启钊，林伟健，
申请(专利权)人：乐健科技珠海有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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