半导体装置制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术涉及半导体装置，尤其是涉及具备二极管作为ESD保护元件的半导体装置。
技术介绍
作为构成便携终端机等的功率放大器模块的晶体管，应用异质接合型的双极晶体管。这种双极晶体管被称为HBT(HeteroJunctionBipolarTransistor:异质结双极型晶体管)，具有平台结构。为了防止这种双极晶体管等半导体元件由于静电放电而被损坏或者由于静电放电而误动作等不良状况，在半导体装置中形成有ESD(ElectroStaticDischarge：静电释放)保护元件。作为该ESD保护元件之一，有二极管。作为双极晶体管的ESD保护元件的二极管在二极管的耐压以及电阻等电特性上，以多个二极管串联连接的方式形成。作为其图案(布局)，如图19所示，有使规定数的二极管JD在单方向上直线状地连接的图案。在形成有该图案的半导体装置101中，直线状地连接的多个二极管JD中的、位于一端侧的二极管的P型区域连接输入端子108，位于另一端侧的二极管JD的N型区域连接输出端子109。此外，作为公开了ESD保护元件的二极管的专利文献，例如有专利文献1以及专利文献2。专利文献1...
【技术保护点】
一种半导体装置，具有：基板，具有主表面；输入端子以及输出端子，分别形成于所述基板；以及多个二极管，形成于所述基板，分别包含N型区域以及P型区域，从所述输入端子依次串联连接并连接至所述输出端子，在所述多个二极管的各个中，在所述N型区域和所述P型区域位于俯视的方式下，所述P型区域形成为与所述N型区域的一部分相接，串联连接的所述多个二极管具备：第一串联连接部，从所述输入端子沿第一方向延伸，电流流动成从所述输入端子离开；以及第二串联连接部，包含电流流动成接近所述输入端子的部分，在所述第一串联连接部中包含从所述输入端子数起第一个第一二极管，在所述第二串联连接部中包含从所述输出端子数起...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.22 JP 2014-1926641.一种半导体装置，具有：基板，具有主表面；输入端子以及输出端子，分别形成于所述基板；以及多个二极管，形成于所述基板，分别包含N型区域以及P型区域，从所述输入端子依次串联连接并连接至所述输出端子，在所述多个二极管的各个中，在所述N型区域和所述P型区域位于俯视的方式下，所述P型区域形成为与所述N型区域的一部分相接，串联连接的所述多个二极管具备：第一串联连接部，从所述输入端子沿第一方向延伸，电流流动成从所述输入端子离开；以及第二串联连接部，包含电流流动成接近所述输入端子的部分，在所述第一串联连接部中包含从所述输入端子数起第一个第一二极管，在所述第二串联连接部中包含从所述输出端子数起第一个最终二极管，所述最终二极管相对于所述第一二极管在与所述第一方向交叉的第二方向上隔开距离而配置，在所述第一二极管以及所述最终二极管中，所述第一二极管的所述P型区域和所述最终二极管的所述N型区域被设定成在俯视时直接对置的配置以外的配置。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述第一二极管以及所述最终二极管中，所述第一二极管的所述N型区域和所述最终二极管的所述P型区域被设定成在俯视时直接对置的配置。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述第一二极管以及所述最终二极管中，所述第一二极管的所述P型区域和所述最终二极管的所述P型区域被设定成在俯视时直接对置的配置。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述第一二极管以及所述最终二极管中，所述第一二极管的所述N型区域和所述最终二极管的所述N型区域被设定成在俯视时直接对置的配置。5.根据权利要求1～4中任意一项所述的半导体装置，其中，所述最终二极管相对于所述第一二极管在作为所述第二方向的与所述第一方向正交的方向上隔开距离而配置。6.根据权利要求1～4中任意一项所述的半导体装置，其中，所述最终二极管相对于所述第一二极管在作为所述第二方向的从与所述第一方向正交的方向斜向倾斜的方向上隔开距离而配置。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述最终二极管相对于从所述输入端子数起第二个第二二极管在与所述第一方向正交的方向上隔开距离而配置。8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述最终二极管以从所述输出端子数起第二个二极管相对于所述第一二极管在与所述第一方向正交的方向上隔开距离的方式被...
【专利技术属性】
技术研发人员：宇野哲史，川口浩，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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