图案化基底的制备方法技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】图案化基底的制备方法
本申请要求2014年9月30日提交的韩国专利申请第2014-0131964号、2015年6月4日提交的韩国专利申请第2015-0079468号、2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175411号、2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175414号、2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175410号、2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175415号、2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175412号、2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175413号、2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175407号、2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175406号、2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175400号、2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175401号和2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175402号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。本申请涉及制造图案...
【技术保护点】
一种制造图案化基底的方法，包括：在基底上的沟槽内形成包含嵌段共聚物的聚合物层，所述沟槽由在所述基底上形成并排列以使其间具有间隔的台面结构形成；以及实现所述嵌段共聚物的自组装结构，其中在与包含所述嵌段共聚物的所述聚合物层接触的所述沟槽中的表面上不进行中性处理。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.30 KR 10-2014-0131964;2014.12.08 KR 10-2011.一种制造图案化基底的方法，包括：在基底上的沟槽内形成包含嵌段共聚物的聚合物层，所述沟槽由在所述基底上形成并排列以使其间具有间隔的台面结构形成；以及实现所述嵌段共聚物的自组装结构，其中在与包含所述嵌段共聚物的所述聚合物层接触的所述沟槽中的表面上不进行中性处理。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述沟槽通过包括以下的方法形成：在所述基底上依次形成台面结构形成材料层、抗反射层和抗蚀剂层；使所述抗蚀剂层图案化；以及使用所述经图案化的抗蚀剂层作为掩模蚀刻所述台面结构形成材料层。3.根据权利要求2所述的方法，其中蚀刻所述台面结构形成材料层通过反应离子蚀刻进行。4.根据权利要求1所述的方法，其中间隔开以形成所述沟槽的所述台面结构的所述间隔(D)相对于所述台面结构的高度(H)之比(D/H)为0.1至10。5.根据权利要求1所述的方法，其中间隔开以形成所述沟槽的所述台面结构的所述间隔(D)相对于所述台面结构的宽度(W)之比(D/W)为0.5至10。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述嵌段共聚物的所述自组装结构是层状结构，并且所述台面结构之间的所述间隔为1L至20L，并且其中所述L为所述层状结构的间距。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述嵌段共聚物的所述自组装结构是层状结构，并且所述聚合物层的厚度为1L至10L，并且其中所述L为所述层状结构的间距。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述自组装结构包含垂直取向的嵌段共聚物。9.根据权利要求1所述的方法，其中所述嵌段共聚物的所述自组装结构是层状结构。10.根据权利要求1所述的方法，其中所述嵌段共聚物包含第一嵌段和不同于所述第一嵌段的第二嵌段，并且其中所述第一嵌段示出了在GIWAXS光谱的12nm-1至16nm-1的散射矢量的衍射图案中-90度至-70度方位角处和70度至90度方位角处的峰。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述嵌段共聚物包含第一嵌段和化学结构不同于所述第一嵌段的第二嵌段，并且其中所述第一嵌段通过差示扫描量热法(DSC)分析示出了-80℃至200℃范围内的熔融转变峰或各向同性转变峰。12.根据权利要求1所述的方法，其中所述嵌段共聚物包含第一嵌段和化学结构不同于所述第一嵌段的第二嵌段，并且其中所述第一嵌段通过XRD分析示出了在0.5nm-1至10nm-1的散射矢量(q)范围内半峰全宽(FWHM)为0.2nm-1至0.9nm-1的峰。13.根据权利要求1所述的方法，其中所述嵌段共聚物包含第一嵌段和化学结构不同于所述第一嵌段的第二嵌段，其中所述第一嵌段包含侧链，并且其中所述侧链的成链原子数目(n)和通过在所述第一嵌段上进行的XRD分析获得的散射矢量(q)满足方程式2：[方程式2]3nm-1至5nm-1＝nq/(2×π)在方程式2中，n为所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：具世真，李美宿，柳亨周，金廷根，尹圣琇，朴鲁振，李济权，崔银英，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：韩国,KR
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