用于测量温度的方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于在使用具有作为电容来连接的金属‑绝缘体‑半导体结构的传感器下测量温度（T1，T2）的方法，所述金属‑绝缘体‑半导体结构则具有取决于温度的自动放电（112）。所述方法包括在使用在测量时刻（114）加载在所述电容上的电位（116，118）下确定代表着所述传感器的温度（T1，T2）的温度信息的步骤。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于测量温度的方法和装置
本专利技术涉及一种用于测量温度的方法、一种相应的装置以及一种相应的计算机程序。
技术介绍
可以在使用光电的传感器下记录红外线辐射。为了在此达到足够的图像质量，必须对所述传感器进行冷却。
技术实现思路
面对这种背景，用这里所介绍的方案介绍按照独立权利要求所述的、一种用于测量温度的方法、此外一种使用这种方法的装置以及最后一种相应的计算机程序。有利的设计方案从相应的从属权利要求和以下的说明书中产生。可以探测到红外线辐射，方法是：测量将所述红外线辐射吸收的吸收面的温度。在恒定地辐射时，在流向所述吸收面的能量、温度与从所述吸收面上流出的能量之间出现平衡。在此所述能量流入基本上代表着入射的红外线辐射并且确定所述吸收面的温度。能量流出取决于所述吸收面的温度并且基本上通过热传导中产生。在使用针对被辐射的物体的温度测量下探测红外线辐射的做法被称为测辐射热的原理。使用所述测辐射热的原理的传感器被称为辐射热计。微型辐射热计可以在金属-绝缘体-半导体-电容的基础上构成。在此大的优点在于：与部分地在微型辐射热计中所使用的pn-二极管相比在提高了三个数量级的温度敏感性的同时获得非常高的微型本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于在使用具有作为电容（304）来连接的金属‑绝缘体‑半导体结构的传感器（302）下测量温度（T1，T2）的方法（200），所述金属‑绝缘体‑半导体结构具有取决于温度的自动放电（112），其中所述方法（200）具有以下步骤：在使用在测量时刻（114）加载在所述电容（304）上的电位（116，118）下确定（202）代表着所述传感器（302）的温度（T1，T2）的温度信息（314）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.21 DE 102014221270.71.用于在使用具有作为电容（304）来连接的金属-绝缘体-半导体结构的传感器（302）下测量温度（T1，T2）的方法（200），所述金属-绝缘体-半导体结构具有取决于温度的自动放电（112），其中所述方法（200）具有以下步骤：在使用在测量时刻（114）加载在所述电容（304）上的电位（116，118）下确定（202）代表着所述传感器（302）的温度（T1，T2）的温度信息（314）。2.按权利要求1所述的方法（200），具有在所述测量时刻（114）之前进行的充电（106）的步骤（204），在所述充电的步骤中将所述电容（304）充电到起始电位（108），其中在所述测量时刻（114）在所述电容（304）上检测电位（116，118）。3.按前述权利要求中任一项所述的方法（200），具有在所述测量时刻（114）之前进行的分开的步骤（206），在所述分开的步骤中在分开时刻（110）将所述电容（304）至少在一侧无电位地连接，其中在所述分开时刻（110）与所述测量时刻（114）之间等候一测量持续时间（120）。4.按前述权利要求中任一项所述的方法（200），其中在所述确定的步骤（202）中此外在使用处理规定下确定所述温度信息（314），其中处理函数描绘在所述测量时刻（114）在所述温度（T...

【专利技术属性】
技术研发人员：F乌特默伦，F亨里齐，
申请(专利权)人：罗伯特·博世有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE