碳化硅单晶的制造方法技术

准备具有筒状内表面(10)的坩埚(5)。以与内表面(10)接触的方式布置原料(12)，并在坩埚(5)内以面对原料(12)的方式布置晶种(11)。通过使原料(12)升华而在晶种(11)上生长碳化硅单晶(20)。内表面(10)由包围原料(12)的第一区域(10b)和第一区域(10b)以外的第二区域(10a)形成。在生长碳化硅单晶(20)的步骤中，第一区域(10b)中每单位面积的热量小于第二区域(10a)中每单位面积的热量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】碳化硅单晶的制造方法
本公开涉及碳化硅单晶的制造方法。
技术介绍
近年来，为了使半导体装置具有较高的击穿电压、较低的损失等，已经越来越多地采用碳化硅作为形成半导体装置的材料。日本特表2012-510951号公报(专利文献1)记载了用于通过升华法制造碳化硅单晶的坩埚。将电阻加热器设置成包围所述坩埚的外表面。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特表2012-510951号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本公开的一个实施方式的目的是提供能够改善碳化硅单晶的生长速率的碳化硅单晶的制造方法。解决技术问题的技术手段本公开的一个实施方式的碳化硅单晶的制造方法包括以下步骤。准备具有筒状内表面的坩埚。以与所述内表面接触的方式布置原料、并在所述坩埚内以面对所述原料的方式布置晶种。通过使所述原料升华而在所述晶种上生长碳化硅单晶。所述内表面由包围所述原料的第一区域和所述第一区域以外的第二区域形成。在所述生长碳化硅单晶的步骤中，所述第一区域中每单位面积的热量小于所述第二区域中每单位面积的热量。专利技术的效果根据上述，可提供能够改善碳化硅单晶的生长速率的碳化硅单晶的制造方法。附图说明图1为示意性显示第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碳化硅单晶的制造方法，所述方法包括：准备具有筒状内表面的坩埚的步骤；以与所述内表面接触的方式布置原料、并在所述坩埚内以面对所述原料的方式布置晶种的步骤；和通过使所述原料升华而在所述晶种上生长碳化硅单晶的步骤，所述内表面由包围所述原料的第一区域和所述第一区域以外的第二区域形成，在所述生长碳化硅单晶的步骤中，所述第一区域中每单位面积的热量小于所述第二区域中每单位面积的热量。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.25 JP 2014-2379721.一种碳化硅单晶的制造方法，所述方法包括：准备具有筒状内表面的坩埚的步骤；以与所述内表面接触的方式布置原料、并在所述坩埚内以面对所述原料的方式布置晶种的步骤；和通过使所述原料升华而在所述晶种上生长碳化硅单晶的步骤，所述内表面由包围所述原料的第一区域和所述第一区域以外的第二区域形成，在所述生长碳化硅单晶的步骤中，所述第一区域中每单位面积的热量小于所述第二区域中每单位面积的热量。2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶的制造方法，其中，在所述生长碳化硅单晶的步骤中，用电阻加热器对所述原料进行加热。3.根据权利要求2所述的碳化硅单晶的制造方法，其中，当沿着垂直于所述内表面的方向观察时，所述电阻加热器与所述第一区域重叠的面积小于所述电阻加热器与所述第二区域重叠的面积。4.根据权利要求2所述的碳化硅单晶的制造方法，其中，在垂直于所述内表面的方向上，面对所述第一区域的所述电阻加热器的第一部分的厚度大于面对所述第二区域的所述电阻加热器的第二部分的厚度。5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木将，高须贺英良，原田真，堀勉，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP