低熔点金属的超微量元素控制装置及控制方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及低熔点金属的超微量元素控制装置及控制方法，更详细地，涉及如下的低熔点金属的超微量元素控制装置及控制方法，即，可使为了提高金属的纯度而对包含于金属的超微量元素进行控制的装置还对包含于因熔点低而不易形成再结晶的Ga、In等低熔点金属的超微量元素进行控制。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】低熔点金属的超微量元素控制装置及控制方法
本专利技术涉及低熔点金属的超微量元素控制装置及控制方法，更详细地，涉及如下的低熔点金属的超微量元素控制装置及控制方法，即，可使为了提高金属的纯度而对包含于金属的超微量元素进行控制的装置还对包含于因熔点低而不易形成再结晶的Ga、In等低熔点金属的超微量元素进行控制。
技术介绍
将以往的通过去除单晶固体杂质来用于提高纯度的工序称之为区域提纯法(zonerefining)。在图1中简单示出了上述区域提纯法的原理。通过使用宽度窄的环状加热器来对杆形状的单晶铸锭(ingot)进行加热并熔融，以如上所述的方式部分被熔融的部分(moltenzone)随着加热器的移动从铸锭的一侧末端向另一末端逐渐移动。此时，由于在随着加热器的移动而形成再结晶时，因被熔融而成为液体的主物质存在相同的物质之间所要形成结晶的倾向，因而在液体和固体界面中，杂质(impurity)向液体状态的熔融部分移动。即，铸锭的一部分反复熔融-结晶过程，杂质逐渐沿着加热器的移动方向进行移动，最终聚集在一侧末端。通过多次反复上述过程，并最终切断聚集有杂质的铸锭的一侧末端，从而可获得高纯度的结晶体。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属的杂质元素控制装置，其特征在于，包括：管，在内部形成有空心空间，用于收容对象金属；舟皿，位于所述管的内部，用于盛装所述对象金属；加热单元，对所述管内部的所述对象金属进行局部加热来形成液体状态的熔融部；移动单元，使所述加热单元沿着所述管的长度方向移动；冷却单元，以使所述对象金属中的除所述熔融部以外的区域成为固体状态的结晶部的方式对所述对象金属进行冷却；以及控制部，对所述加热单元的加热温度、所述冷却单元的冷却温度、所述移动单元的移动速度以及所述移动单元的移动范围中的一种以上进行控制，包含于所述对象金属的杂质聚集于所述熔融部，随着所述加热单元的移动，使所述杂质集中于所述对象金属的一侧末端部。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.03 KR 10-2014-0116876;2014.09.03 KR 10-2011.一种金属的杂质元素控制装置，其特征在于，包括：管，在内部形成有空心空间，用于收容对象金属；舟皿，位于所述管的内部，用于盛装所述对象金属；加热单元，对所述管内部的所述对象金属进行局部加热来形成液体状态的熔融部；移动单元，使所述加热单元沿着所述管的长度方向移动；冷却单元，以使所述对象金属中的除所述熔融部以外的区域成为固体状态的结晶部的方式对所述对象金属进行冷却；以及控制部，对所述加热单元的加热温度、所述冷却单元的冷却温度、所述移动单元的移动速度以及所述移动单元的移动范围中的一种以上进行控制，包含于所述对象金属的杂质聚集于所述熔融部，随着所述加热单元的移动，使所述杂质集中于所述对象金属的一侧末端部。2.根据权利要求1所述的金属的杂质元素控制装置，其特征在于，所述对象金属为选自Ga、In、Bi、Pb、Sn、Li、Na、Rb中的一种。3.根据权利要求1所述的金属的杂质元素控制装置，其特征在于，所述舟皿由具有导热性的金属形成，且被聚四氟乙烯材质所涂敷。4.根据权利要求1所述的金属的杂质元素控制装置，其特征在于，所述冷却单元包括：微细管，与所述舟皿的下部外侧面或长度方向的左右外侧面相接触，形成有之字形态的弯曲部，从而用作使冷却水循环的通道；以及冷却控制装置，与所述微细管的两侧末端相连接，用于控制冷却水的循环。5.根据权利要求1所述的金属的杂质元素控制装置，其特征在于，所述加热单元以与所述对象金属隔开规定距离的方式设置于所述管的外侧面中的除所述冷却单元所在的侧面以外的至少一面。6.根据权利要求1所述的金属的杂质元素控制装置，其特征在于，所述管与用于使所述管的内部呈真空状态的真空泵相连接，在所述管的一侧设置有用于使气氛气体流入的喷嘴。7.根据权利要求1所述的金属的杂质元素控制装置，其特征在于，所述管与所述控制部相连接，在所述管还设置有用于测定...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹在植，
申请(专利权)人：韩国基础科学支持研究院，
类型：发明
国别省市：韩国,KR