用于防止熔体污染的拉晶机制造技术

一种用于生长晶锭的拉晶机，该拉晶机包括壳体、隔离装置、坩埚组件、隔热罩和灰尘阻隔装置。该壳体包围生长室，并且具有上壁，该上壁具有内表面和孔。该隔离装置将壳体的内部分成上部区域和下部区域，并且具有中心开口。坩埚组件位于下部区域中以容纳熔体。隔热罩邻近隔离装置的中心开口，并且与坩埚组件构成迷宫式气体路径。灰尘阻隔装置从上壁的内表面延伸到隔离装置和隔热罩中的一个，并且围绕该孔与上壁构成密封，以阻止颗粒物通过壳体的上部区域进入生长室。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于防止熔体污染的拉晶机相关申请的交叉引用本申请要求2014年9月19日提交的美国临时申请No.62/052,914的优先权，其全文通过引用结合在本文中。
本专利技术总体上涉及用于生长半导体或太阳能级材料的单晶锭的拉晶机，更具体地涉及用在拉晶机中的灰尘阻隔装置，以防止颗粒物进入与生长的晶锭邻近的熔体。
技术介绍
在通过直拉(CZ)法生长的单晶硅的制造中，首先在拉晶装置的诸如石英坩埚那样的坩埚中熔化多晶硅，以形成硅熔体。拉晶机然后将晶种下降到熔体中，并且缓慢地将该晶种提升出熔体，使熔体凝固到晶种上。为了使用该方法制造高品质单晶，必须使紧邻晶锭的熔体的表面的稳定性大体上保持恒定。另外，应当使紧邻晶锭的熔体大体上保持没有固体颗粒物和其它污染物，以防止不能实现零位错生长。用于实现这些目标的现有系统不完全令人满意。因此，需要更加高效且有效的系统，以防止固体颗粒物到达邻近晶锭的熔体和限制邻近晶锭的熔体中的表面破裂。此“
技术介绍
”章节意在向读者介绍可能与下文所描述和/或要求保护的本专利技术的各种方面有关的技术的多个方面。相信该讨论有助于向读者提供背景信息，以便于更好地理解本专利技术的各方面。因此，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于从熔体生长晶锭的拉晶机，该拉晶机包括：包围生长室的壳体，该壳体具有上壁，该上壁具有内表面和孔，该孔用于将晶锭从生长室移走；将壳体的内部分成上部区域和下部区域的隔离装置，该隔离装置具有中心开口；在下部区域中的用于容纳熔体的坩埚组件；邻近隔离装置的中心开口的隔热罩，该隔热罩与坩埚组件构成迷宫式气体路径；和从上壁的内表面延伸到隔离装置和隔热罩中的一个的灰尘阻隔装置，该灰尘阻隔装置围绕所述孔与上壁构成密封，以阻止颗粒物通过壳体的上部区域进入生长室。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.19 US 62/052,9141.一种用于从熔体生长晶锭的拉晶机，该拉晶机包括：包围生长室的壳体，该壳体具有上壁，该上壁具有内表面和孔，该孔用于将晶锭从生长室移走；将壳体的内部分成上部区域和下部区域的隔离装置，该隔离装置具有中心开口；在下部区域中的用于容纳熔体的坩埚组件；邻近隔离装置的中心开口的隔热罩，该隔热罩与坩埚组件构成迷宫式气体路径；和从上壁的内表面延伸到隔离装置和隔热罩中的一个的灰尘阻隔装置，该灰尘阻隔装置围绕所述孔与上壁构成密封，以阻止颗粒物通过壳体的上部区域进入生长室。2.根据权利要求1所述的拉晶机，其中，所述灰尘阻隔装置在所述孔的径向外部密封地连接到上壁，以允许通过上壁无障碍地进入生长室。3.根据权利要求1所述的拉晶机，其中，所述灰尘阻隔装置具有压靠上壁的顶部部分。4.根据权利要求1所述的拉晶机，其中，所述灰尘阻隔装置具有与隔离装置和隔热罩中的一个连接的底部部分。5.根据权利要求1所述的拉晶机，其中，所述灰尘阻隔装置包括防尘罩和密封件，该防尘罩通过密封件与上壁连接，以阻止颗粒物在防尘罩和上壁之间通过。6.根据权利要求5所述的拉晶机，其中，所述密封件包括密封圈和弹簧，该弹簧用于在密封圈上施加移位力，以偏压密封圈远离防尘罩。7.根据权利要求6所述的拉晶机，其中，所述防尘罩包括与密封圈交叠的壁部。8.根据权利要求6所述的拉晶机，其中，所述上壁包括唇部，该唇部的尺寸被确定为与密封圈交叠。9.根据权利要求1所述的拉晶机，其中，所述隔热罩和灰尘阻隔装置作为单个单元构成。10.根据权利要求1所述的拉晶机，其中，所述上壁包括端口，以允许在晶锭生长过程期间进入生长室，所述灰尘阻隔装置在该端口的径向外部与上壁连接，以...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·L·金贝尔，B·M·迈耶，S·塞佩达，S·J·弗格森，
申请(专利权)人：爱迪生太阳能公司，
类型：发明
国别省市：美国,US