图像传感器制造技术

本发明专利技术提供一种图像传感器，包括：阵列分布于半导体衬底中的多个像素单元，每个像素单元包括：复位晶体管，所述复位晶体管的源极连接选择电压；源跟随晶体管，所述源跟随晶体管的漏极连接工作电压；所述半导体衬底连接负电压。本发明专利技术中，能够提高源跟随晶体管的阈值电压，降低源跟随晶体管漏极所需的工作电压，从而降低图像传感器的电源噪声。此外，源跟随晶体管的沟道采用埋沟道，进一步提高源跟随晶体管的阈值电压，从而降低源跟随晶体管漏极所需的工作电压。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器
本专利技术涉及图像传感器
，尤其涉及一种降低电源噪声的图像传感器。
技术介绍
图像传感器是数字摄像头的重要组成部分，是一种将光学图像转换成电学信号的设备，它被广泛地应用在数码相机、移动终端、便携式电子装置和其他电子光学设备中。图像传感器按照元件的不同，可分为CCD（ChargeCoupledDevice，电荷耦合元件）和CMOS（ComplementaryMetaloxideSemiconductor，互补型金属氧化物半导体元件）图像传感器两大类。CCD图像传感器除了大规模应用于数码相机外，还广泛应用于摄像机、扫描仪、以及工业领域等。而CMOS图像传感器由于其高度集成化、低功率损耗和局部像素可编程随即读取、速度快、成本低等优点，可适用于数码相机、PC摄像机、移动通信产品等领域。随着图像传感器的持续快速的发展，促进了其进一步的小型化和集成。CCD图像传感器和CMOS图像传感器都是采用光电转换区域，一般采用光电二极管（PhotodiodeorPhotodetector）收集入射光，并将其转换为能够进行图像处理的光电荷。现有的CMOS图像传感器中，若干个像素单元组成的像素本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像传感器，其特征在于，包括：阵列分布于半导体衬底中的多个像素单元，每个像素单元包括：复位晶体管，所述复位晶体管的源极连接选择电压；源跟随晶体管，所述源跟随晶体管的漏极连接工作电压；所述半导体衬底连接负电压。

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：阵列分布于半导体衬底中的多个像素单元，每个像素单元包括：复位晶体管，所述复位晶体管的源极连接选择电压；源跟随晶体管，所述源跟随晶体管的漏极连接工作电压；所述半导体衬底连接负电压。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述半导体衬底连接-2.0V~0V的负电压。3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括：噪声滤除电路，所述噪声滤除电路提供所述工作电压至所述源跟随晶体管的漏极。4.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述源跟随晶体管的漏极连接1.0V~2....

【专利技术属性】
技术研发人员：赵立新，乔劲轩，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31