采用量子点薄膜的图像传感器及制备方法技术

本发明专利技术提供了一种采用量子点薄膜的图像传感器及制备方法，该图像传感器包括：在衬底表面设置有底部隔离层；位于底部隔离层上的N层隔离层，相邻上层隔离层的金属互连线底部与下层隔离层的金属接触孔顶部相接触；位于第N层隔离层上的第N+1层隔离层，第N+1层隔离层中贯穿设置有第N+1层金属互连线；第N+1层金属互连线底部与第N层金属接触孔顶部一一对应且相接触；在第N+1层金属互连线顶部设置有金属电极；在金属电极表面和暴露的第N+1层隔离层表面覆盖有量子点薄膜。本发明专利技术的图像传感器具有有更强的光线敏感度，更大的动态范围和更优化的成像稳定性。

【技术实现步骤摘要】
采用量子点薄膜的图像传感器及制备方法
本专利技术涉及图像传感器
，具体涉及一种采用量子点薄膜的图像传感器及制备方法。
技术介绍
图像传感器是指将光信号转换为电信号的装置。目前广泛应用的主要有CCD图像传感器和CMOS图像传感器。量子点(quantumdot)是准零维的纳米晶体，由少量的原子构成，形态上一般为球形或类球形，是由半导体材料(通常由IIB～ⅥB或IIIB～VB元素组成)制成的、稳定直径在2～20nm的纳米粒子。它能在特定的波长下发光，采用量子点技术的屏幕在生产时更容易校准，拥有更准确的色彩表现，并且在色彩饱和度方面拥有明显的优势。因此，将量子点应用于传感器中所制备的量子薄膜传感器有着更轻薄的体积，更强的光线敏感度，更大的动态范围、和优化的成像稳定。由于传统的传感器通过令像素变得更小来提高分辨率，这意味着每个像素对光线的敏感度更低，从而降低了图像质量，而相比之下，量子点薄膜是涂在凸镜下面的，更接近镜头的特性使其能更充分地捕捉光线，从而能够有效改善镜头性能。这种新技术打造的传感器能够收集传统传感器芯片两倍的光线，并以两倍的效率将其转变为电信号，同时其生产成本很低。使用量子本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像传感器，其特征在于，包括：衬底，在衬底表面设置有底部隔离层；位于底部隔离层上的N层隔离层，其中，每层隔离层中设置有金属互连线和位于金属互连线上的金属接触孔；每层隔离层中，金属互连线与其下方的隔离层相接触，每个金属接触孔的底部与相应层的金属互连线的顶部一一对应且相接触；金属接触孔的顶部与相应层的隔离层的顶部齐平；相邻上层隔离层的金属互连线底部与下层隔离层的金属接触孔顶部相接触；N为整数且N≥1；位于第N层隔离层上的第N+1层隔离层，第N+1层隔离层中贯穿设置有第N+1层金属互连线；第N+1层金属互连线底部与第N层金属接触孔顶部一一对应且相接触；在第N+1层金属互连线顶部设置有金属电极；以...

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：衬底，在衬底表面设置有底部隔离层；位于底部隔离层上的N层隔离层，其中，每层隔离层中设置有金属互连线和位于金属互连线上的金属接触孔；每层隔离层中，金属互连线与其下方的隔离层相接触，每个金属接触孔的底部与相应层的金属互连线的顶部一一对应且相接触；金属接触孔的顶部与相应层的隔离层的顶部齐平；相邻上层隔离层的金属互连线底部与下层隔离层的金属接触孔顶部相接触；N为整数且N≥1；位于第N层隔离层上的第N+1层隔离层，第N+1层隔离层中贯穿设置有第N+1层金属互连线；第N+1层金属互连线底部与第N层金属接触孔顶部一一对应且相接触；在第N+1层金属互连线顶部设置有金属电极；以及在金属电极表面和暴露的第N+1层隔离层表面覆盖有量子点薄膜。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第N+1层隔离层的相邻像素分界处还设置有像素间隔离结构。3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述金属互连线的高度为0.4～0.5微米，所述金属接触孔的高度为0.4～0.5微米，N层隔离层中，其中一层隔离层的厚度为0.5～1微米。4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述N+1层隔离层中，每个隔离层之间还设置有氮化硅层。5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第N+1层隔离层的高度为0.5～0.6微米。6.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，在量子点薄膜周围的第N+1层金属互连线上还设置有焊盘结构；所述焊盘结构和所述第N+1层隔离层是一体的。7.一种图像传感器的制备方法，其特征在于，包括：步骤01：提供一衬底；并且，在衬底表面形成底部隔离层；步骤02：在底部隔离层上形成第一层金属铝，并且，图案化第一层金属铝，从而形成第一层金属互连线；步骤03：在第一层金属互连线和暴露的底部隔离层上形成第一层隔离层；第一层隔离层的顶部高出所述第一层金属互连线的顶部；步骤04...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨冰，周伟，胡少坚，耿阳，肖慧敏，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，成都微光集电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31