一种图像传感器的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种图像传感器的制备方法，包括：在衬底表面依次形成底部隔离层、第一层金属互连线、第一层隔离层和第一层隔离层中的第一层金属接触孔；再重复循环上述过程，直至形成N层隔离层以及相应层的金属互连线和金属接触孔；在第N层隔离层和第N层金属接触孔上依次形成第N+1层金属互连线和第N+1层隔离层；在对应于焊盘结构区域的第N+1层隔离层中刻蚀出初始焊盘结构，在对应于相邻像素分界处的第N+1层隔离层中刻蚀出隔离结构；在暴露的第N+1层金属互连线顶部形成金属电极；在初始焊盘结构中刻蚀出焊盘开口；在金属电极表面和暴露的第N+1层隔离层表面覆盖一层量子点薄膜。本发明专利技术的方法与CMOS工艺兼容，节约了成本。

【技术实现步骤摘要】
一种图像传感器的制备方法
本专利技术涉及图像传感器
，具体涉及一种图像传感器的制备方法。
技术介绍
图像传感器是指将光信号转换为电信号的装置。目前广泛应用的主要有CCD图像传感器和CMOS图像传感器。量子点(quantumdot)是准零维的纳米晶体，由少量的原子构成，形态上一般为球形或类球形，是由半导体材料(通常由IIB～ⅥB或IIIB～VB元素组成)制成的、稳定直径在2～20nm的纳米粒子。它能在特定的波长下发光，采用量子点技术的屏幕在生产时更容易校准，拥有更准确的色彩表现，并且在色彩饱和度方面拥有明显的优势。因此，将量子点应用于传感器中所制备的量子薄膜传感器有着更轻薄的体积，更强的光线敏感度，更大的动态范围、和优化的成像稳定。由于传统的传感器通过令像素变得更小来提高分辨率，这意味着每个像素对光线的敏感度更低，从而降低了图像质量，而相比之下，量子点薄膜是涂在凸镜下面的，更接近镜头的特性使其能更充分地捕捉光线，从而能够有效改善镜头性能。这种新技术打造的传感器能够收集传统传感器芯片两倍的光线，并以两倍的效率将其转变为电信号，同时其生产成本很低。使用量子点薄膜后，一方面可以降低摄像本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像传感器的制备方法，其特征在于，包括：步骤01：提供一衬底；并且，在衬底表面形成底部隔离层；步骤02：在底部隔离层上形成第一层金属铝，并且，图案化第一层金属铝，从而形成第一层金属互连线；步骤03：在第一层金属互连线和暴露的底部隔离层上形成第一层隔离层；第一层隔离层的顶部高出所述第一层金属互连线的顶部；步骤04：在对应于第一层金属互连线上的第一层隔离层中刻蚀出第一层接触孔；步骤05：在第一层接触孔中填充金属钨，从而形成第一层金属接触孔；步骤06：在第一层金属接触孔顶部和第一层隔离层表面形成第二层金属铝，并且再重复循环步骤02至步骤05K次，直至形成N层隔离层以及相应层的金属互连线和金属接触...

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器的制备方法，其特征在于，包括：步骤01：提供一衬底；并且，在衬底表面形成底部隔离层；步骤02：在底部隔离层上形成第一层金属铝，并且，图案化第一层金属铝，从而形成第一层金属互连线；步骤03：在第一层金属互连线和暴露的底部隔离层上形成第一层隔离层；第一层隔离层的顶部高出所述第一层金属互连线的顶部；步骤04：在对应于第一层金属互连线上的第一层隔离层中刻蚀出第一层接触孔；步骤05：在第一层接触孔中填充金属钨，从而形成第一层金属接触孔；步骤06：在第一层金属接触孔顶部和第一层隔离层表面形成第二层金属铝，并且再重复循环步骤02至步骤05K次，直至形成N层隔离层以及相应层的金属互连线和金属接触孔；其中，K为整数且K≥0；N为整数且N≥1；且K+1＝N；步骤07：在第N层隔离层和第N层金属接触孔上形成第N+1层金属铝，并且，图案化第N+1层金属铝，从而形成第N+1层金属互连线；步骤08：在第N+1层金属互连线和第N层隔离层表面覆盖一层第N+1层隔离层，并且，平坦化第N+1层隔离层顶部；步骤09：在第N+1层隔离层中定义焊盘结构区域和非焊盘结构区域；并且，对应于焊盘结构区域的第N+1层金属互连线上的第N+1层隔离层中刻蚀出初始焊盘结构，在对应于相邻像素分界处的第N+1层隔离层中刻蚀出隔离结构；步骤10：在暴露的第N+1层金属互连线顶部形成金属电极；步骤11：在初始焊盘结构中刻蚀出焊盘开口，将底部对应的第N+1层金属互连线暴露出来，从而形成目标焊盘结构；步骤12：在金属电极表面和暴露的第N+1层隔离层表面覆盖一层量子点薄膜；平坦化后的第N+1层隔离层顶部仍高于第N+1层金属互连线顶部。2.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨冰，周伟，胡少坚，耿阳，肖慧敏，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，成都微光集电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31