一种扇出型芯片集成天线封装结构及方法技术

技术编号:16040325 阅读:38 留言:0更新日期:2017-08-19 22:25
本发明专利技术实施例提供了一种扇出型芯片集成天线封装结构及方法,该结构包括:至少一个功能芯片和至少一个天线结构,至少一个功能芯片和至少一个天线结构封装为一体结构,且功能芯片的第一表面和天线结构的第一表面设置于一体结构的第一侧,功能芯片的第一表面设置有第一焊盘,天线结构的第一表面设置有第二焊盘,天线结构中包括基底以及位于基底的第一表面的反射金属层,以及位于与基底的第一表面相对的所述基底的第二表面的天线平面;形成在一体结构的第一侧的重布线层。本发明专利技术实施例提供一种扇出型芯片集成天线封装结构及方法,解决扇出型封装内天线集成,避免了印刷电路板和封装结构之间的焊球高度影响天线性能弊病。

【技术实现步骤摘要】
一种扇出型芯片集成天线封装结构及方法
本专利技术涉及半导体制造
,尤其设计一种扇出型芯片集成天线封装结构及方法。
技术介绍
随着4G/5G通讯系统、物联网、毫米波无线通讯等高频系统的商业应用越来越广泛,特别是短距离高数据无线传输系统、被动成像系统、汽车雷达系统等,对于高性能、小型化、高集成度以及低成本要求越来越高。因此,为了降低系统互连的寄生参数影响,越来越多的无源系统集成在封装体内。天线是通讯系统中典型的无源器件,2000s业界陆续开展天线封装(Antenna-in-package,AiP)研究,主要集中采用LTCC、LCP等基材与有源芯片的集成。随着扇出型封装在汽车雷达等高频领域的应用,以天线为代表的无源器件也开始集成在扇出型封装中。现有技术中基于扇出型封装的AiP研究特点主要有:天线结构为代表的无源器件也开始集成在扇出型封装中,均采用印刷电路板的表面金属层作为信号的反射平面,因此印刷电路板和封装结构之间的焊球的高度会影响天线性能。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术实施例提供一种扇出型芯片集成天线封装结构及方法,解决扇出型封装内天线集成,避免了印刷电路板和封装结构之间的焊球高本文档来自技高网...
一种扇出型芯片集成天线封装结构及方法

【技术保护点】
一种扇出型芯片集成天线封装结构,其特征在于,包括:至少一个功能芯片和至少一个天线结构,所述至少一个功能芯片和所述至少一个天线结构封装为一体结构,且所述功能芯片的第一表面和所述天线结构的第一表面设置于所述一体结构的第一侧,所述功能芯片的第一表面设置有第一焊盘,所述天线结构的第一表面设置有第二焊盘,所述天线结构中包括基底以及位于所述基底的第一表面的反射金属层,以及位于与所述基底的第一表面相对的所述基底的第二表面的天线平面,所述天线平面通过贯穿所述基底的导电过孔与第二焊盘电连接;形成在所述一体结构的第一侧的重布线层,所述重布线层与所述第一焊盘和所述第二焊盘均电连接;形成在所述重布线层上方的钝化层,所...

【技术特征摘要】
1.一种扇出型芯片集成天线封装结构,其特征在于,包括:至少一个功能芯片和至少一个天线结构,所述至少一个功能芯片和所述至少一个天线结构封装为一体结构,且所述功能芯片的第一表面和所述天线结构的第一表面设置于所述一体结构的第一侧,所述功能芯片的第一表面设置有第一焊盘,所述天线结构的第一表面设置有第二焊盘,所述天线结构中包括基底以及位于所述基底的第一表面的反射金属层,以及位于与所述基底的第一表面相对的所述基底的第二表面的天线平面,所述天线平面通过贯穿所述基底的导电过孔与第二焊盘电连接;形成在所述一体结构的第一侧的重布线层,所述重布线层与所述第一焊盘和所述第二焊盘均电连接;形成在所述重布线层上方的钝化层,所述钝化层覆盖所述重布线层且暴露出至少一个对外连接点。2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述基底为硅基底、氮化镓基底,砷化镓基地等半导体基底任意一种,也可以是陶瓷基底、树脂基底、玻璃基底等绝缘基底任意一种。3.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述天线结构的第二表面外侧形成有第一保护层,所述第一保护层暴露出所述一体结构。4.根据权利要求3所述的封装结构,其特征在于,所述功能芯片中与其第一表面相对的第二表面暴露出所述一体结构,所述一体结构的与其第一侧相对的第二侧外设置有第二保护层。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员:李君陈峰汪鑫
申请(专利权)人:华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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