半导体封装结构及其制造方法技术

一种光学装置包含衬底、光发射器、光检测器、导电结构及不透明材料。将所述光发射器、所述光检测器及所述导电结构安置于所述衬底的表面上且电连接到所述衬底的所述表面上的线路。所述光发射器包含面向所述衬底的发射区域。所述光检测器包含面向所述衬底的接收区域。所述光发射器发射特定波长范围的光，且所述衬底传递由所述光发射器发射的所述光。所述不透明材料安置于所述衬底上，以吸收或衰减所述特定波长范围的光。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构及其制造方法
本专利技术涉及半导体封装结构及其制造方法，且更特定来说，涉及具有玻璃衬底的半导体封装结构及其制造方法。
技术介绍
光学感应器装置广泛地用于健康状况监视器以确定由于非侵袭性性质产生的个人生理特性。举例来说，具有光学感应器装置的健康状况监视器(例如，血氧计)为用于监视人的血液红血球氧饱和度的非侵袭性设备。可将光学感应器装置置放于人身体的皮肤较薄部分(通常为指尖或耳垂)上，或跨越婴儿的脚置放。举例来说，光学感应器装置将两种或多于两种波长的光传递通过身体部位而到光电检测器。测量在每一波长下改变的吸光度，从而允许健康状况监视器确定脉动血液的吸光度。
技术实现思路
在实施例中，一种光学装置包含衬底、光发射器、光检测器、导电结构及不透明材料。将所述光发射器、所述光检测器及所述导电结构安置于所述衬底的表面上且电连接到所述衬底的所述表面上的线路。所述光发射器包含面向所述衬底的发射区域。所述光检测器包含面向所述衬底的接收区域。所述光发射器发射特定波长范围的光，且所述衬底传递由所述光发射器发射的光。将所述不透明材料安置于所述衬底上，以吸收或衰减所述特定波长范围的光。在实施例中，一种光学装置包含衬底、光发射器、光接收器、导电结构及不透明材料。所述光发射器包含面向所述衬底的表面的发射区域，且所述光发射器发射特定波长范围的光。所述光接收器包含面向所述衬底的所述表面的接收区域，且所述光接收器接收从物件反射且传递通过所述衬底的光。将所述导电结构安置于所述衬底上且电连接到所述衬底。将所述不透明材料安置于位于所述光发射器与所述光接收器之间的所述衬底上。在实施例中，一种制造光学装置的方法包含：提供衬底；将光发射器安置于所述衬底的表面上；将光接收器安置于所述衬底的所述表面上；及将不透明材料安置于位于所述光发射器与所述光接收器之间的所述衬底上。所述衬底包含安置于所述衬底上且电连接到所述衬底的导电结构。所述光发射器包含发射区域，且所述光发射器经安置以使得所述发射区域面向所述衬底的所述表面。所述光接收器包含接收区域，且所述光接收器经安置以使得所述接收区域面向所述衬底的所述表面。附图说明图1说明根据本专利技术的实施例的半导体封装结构。图2说明根据本专利技术的另一实施例的半导体封装结构。图3说明根据本专利技术的另一实施例的半导体封装结构。图4说明根据本专利技术的另一实施例的半导体封装结构。图5说明根据本专利技术的另一实施例的半导体封装结构。图6A、6B、6C、6D、6E及6F说明根据本专利技术的实施例的制造方法。图7A、7B、7C及7D说明根据本专利技术的另一实施例的制造方法。图8A、8B、8C及8D说明根据本专利技术的另一实施例的制造方法。图9A及9B说明根据本专利技术的另一实施例的制造方法。图10A、10B及10C说明根据本专利技术的另一实施例的制造方法。图11A、11B、11C、11D、11E及11F说明根据本专利技术的另一实施例的制造方法。贯穿图式及【具体实施方式】使用共同参考标号来指示相同或相似组件。结合随附图式，从以下【具体实施方式】，本专利技术将更显而易见。具体实施方式图1说明根据本专利技术的实施例的半导体封装结构。参看图1，半导体封装结构1包含衬底10、线路11、介电层12、导电结构131及132、光发射器14、光检测器15(例如，光电检测器)、封装体16以及焊球171及172。在一或多个实施例中，介电层12以及导电结构131及132包含于预成型衬底中。在一或多个另外实施例中，此预成型衬底包含内埋线路及通孔，例如内埋于介电层12及/或封装体16中(例如，线路11及/或未展示的线路及通孔)。在一或多个实施例中，介电层12为多个预浸材堆迭而成。在其它实施例中，介电层12为另一合适的材料。衬底10包含对在经选定特定的波长范围内的光透明的材料。衬底10的材料可对可见光透明，例如，可见光的透射率为至少约70％、至少约80％或至少约90％或高于90％。此透明材料的一个实例为玻璃。在一或多个实施例中，衬底10的材料阻挡在一或多个经选定波长范围内的光或其它辐射。将线路11安置于衬底10上。线路11包含例如铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钛(Ti)、其组合或另一合适金属或组合的导电材料。在一或多个实施例中，线路11包含氧化铟锡(IndiumTinOxide,ITO)。线路11可包含连接垫或其它导电连接件。可将形成于衬底10上的线路11并入于重布线路层(Redistributionlayer,RDL)中。将介电层12安置于衬底10上。介电层12包含部分121、部分122及部分123。在一或多个实施例中，介电层12为电绝缘体。在一或多个实施例中，介电层12呈现高机械强度值，例如高强度对重量的比率。在一或多个实施例中，介电层12呈现极低(接近于零)吸水率。在一或多个实施例中，介电层12包含呈现高温循环耐久性的材料。在一或多个实施例中，介电层12为具有高机械强度、极低吸水率及高温循环耐久性的电绝缘体。可用于介电层12中的材料的实例包含苯并环丁烯(Benzocyclobutene,BCB)、聚酰亚胺、干膜及玻璃增强型环氧树脂(例如，FR-4)。将光发射器14安置于衬底10上。光发射器14包含面向衬底10的发光区域。光发射器14包含接合垫141。将光发射器14安置于在介电层12的部分121与介电层12的部分123之间界定的空间中。经由接合垫141及焊料凸块142而将光发射器14附接到及电连接到线路11中的相应线路。接合垫141包含例如Cu、Au、Ag、Al、其组合或另一合适金属或组合的导电材料。在一或多个实施例中，光发射器14为发光二极管(LED)或多个LED。在其它实施例中，光发射器14为另一照明装置。在图1中，光发射器14被说明为倒装芯片，但在另一实施例中可为另一类型。光发射器14可为单一芯片或多个芯片。在一或多个实施例中，光发射器14包含两个或大于两个芯片，其各自发射不同波长的光，例如在可见光范围、红外线范围或其它范围中。将光检测器15安置于衬底10上。光检测器15包含面向衬底10的光接收区域。将光检测器15安置于在介电层12的部分122与介电层12的部分123之间界定的空间中。光检测器15包含接合垫151。经由接合垫151及焊料凸块152而将光检测器15附接到及电连接到线路11中的诸线路。在图1中，光检测器15被说明为倒装芯片，但在另一实施例中可为另一类型。光发射器14与光检测器15是由介电层12的部分123分隔。介电层12的部分123为阻挡从光发射器14发射的光直接地到达光检测器15的光阻挡结构。应注意，在横截面视图中识别部分121、122及123；在俯视图(未展示)中，部分121与部分123一起可全面包围光发射器14，且部分122与部分123一起可全面包围光检测器15。举例来说，部分123可提供位于光发射器14与光检测器15之间的分隔物。在此等实施例中，部分121可在其两个末端处耦合到部分123或与部分123一体成型以形成围绕光发射器14的挡墙。相似地，部分122可在其两个末端处耦合到部分123或与部分123一体成型以形成围绕光检测器15的挡墙。封装体16包含封装体部分161及封装体部分162。在一或多个实施例中，封装体部分161与封装体部分162包含相本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光学装置，其包括：衬底；多个线路，其位于所述衬底的表面上；光发射器，其具有发射区域，所述光发射器附接到所述衬底的所述表面且电连接到所述线路中的至少一者，所述发射区域面向所述衬底，所述光发射器设置发射特定波长范围内的光，且所述衬底设置成使所述特定波长范围的光通过；光检测器，其具有光接收区域，所述光检测器附接到所述衬底的所述表面且电连接到所述线路中的至少一者，所述接收区域面向所述衬底；导电结构，其安置于所述衬底的所述表面上且电连接到所述线路中的至少一者；及不透明材料，其安置于所述衬底上，所述不透明材料经配置以吸收或衰减所述特定波长范围的光。

【技术特征摘要】
2015.11.13 US 14/941,0691.一种光学装置，其包括：衬底；多个线路，其位于所述衬底的表面上；光发射器，其具有发射区域，所述光发射器附接到所述衬底的所述表面且电连接到所述线路中的至少一者，所述发射区域面向所述衬底，所述光发射器设置发射特定波长范围内的光，且所述衬底设置成使所述特定波长范围的光通过；光检测器，其具有光接收区域，所述光检测器附接到所述衬底的所述表面且电连接到所述线路中的至少一者，所述接收区域面向所述衬底；导电结构，其安置于所述衬底的所述表面上且电连接到所述线路中的至少一者；及不透明材料，其安置于所述衬底上，所述不透明材料经配置以吸收或衰减所述特定波长范围的光。2.根据权利要求1所述的光学装置，所述不透明材料封装所述光发射器及所述光检测器。3.根据权利要求1所述的光学装置，其中在所述光发射器、所述衬底与所述不透明材料之间界定空间，所述空间经设置以允许从所述光发射器发射的所述特定波长范围的光通过所述衬底。4.根据权利要求1所述的光学装置，其进一步包括介电层，其中将所述导电结构安置于所述介电层内。5.根据权利要求4所述的光学装置，其进一步包括形成于所述介电层的侧挡墙上的光阻挡层。6.根据权利要求5所述的光学装置，其中所述光阻挡层包括金属层。7.根据权利要求6所述的光学装置，其进一步包括形成于所述金属层与所述线路之间的隔离体，所述隔离体经设置以电隔离所述金属层及所述线路。8.根据权利要求1所述的光学装置，其进一步包括安置于所述光发射器及所述光检测器上方的盖体。9.一种光学装置，其包括：衬底；光发射器，其包含面向所述衬底的表面的发射区域，所述光发射器经设置以发射特定波长范围的光；光接收器，其包含面向所述衬底的所述表面的接收区域，所述光接收器经设置以接收从物件反射且通过所述衬底的光；导电结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡育轩，赖律名，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71