用于制造控制的信号检测方法技术

本发明专利技术涉及一种用于制造控制的信号检测方法，其提供一种用于代表各单独的制程信号配置的模拟单独处理步骤以及制造参数的方法以及设备，本发明专利技术的实施例包括通过一编程处理器，在半导体设备制造的处理步骤期间收集电子特征形式的晶圆级数据；在各该处理步骤期间将该电子特征转换为信号矩阵(MS)建模参数；比较该MS建模参数与预定的MS建模参数；以及根据该比较步骤的一结果，调整至少一处理步骤以用于制程控制。

【技术实现步骤摘要】
用于制造控制的信号检测方法
本专利技术涉及一种利用信号检测技术的制造(FAB)控制的方法以及设备，尤其涉及32纳米(nm)及上下的技术节点的半导体设备的信号检测技术。
技术介绍
信号检测方法已被用于半导体设备的叠层错位建模及透镜像差分析。先前已执行了全尺寸晶圆测量且已将测量值转换为特定的参数值以及残值(residual)。在其他的领域，测量技术以及模拟技术被应用于半导体设备的晶圆应力建模分析。随着半导体产量的控制，半导体制造中的每一个制程都有其自身的电子特征，这些电子特征需要作为采样测量值进行维护，且在大部分的时间内，一个制程中的变化可以由其他后续的制程来补偿。然而，电子特征不能通过传统的方式来正确的维护。因此，需要一种在半导体制造的各个制程期间，用于量化以及监测晶圆配置特征的方法及设备。
技术实现思路
本专利技术的一个方面为提供一种代表各单独的处理信号配置的模拟单独处理步骤以及制造参数的方法以及设备。本专利技术的另一方面包括优化一晶圆配置中的多个制程，以获取一半导体设备最终产品的最佳漏电流及性能。本专利技术的另一方面包括为各处理步骤创建一电子特征以生成一信号矩阵(MS)，或标准特征，其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，其特征为，该方法包括：通过一编程处理器收集在一半导体设备制造的处理步骤期间的电子特征形式的晶圆级数据；在各该处理步骤期间将该电子特征转换为信号矩阵(MS)建模参数；比较该MS建模参数与预定的MS建模参数；以及根据该比较步骤的一结果，调整至少一处理步骤以用于制程控制。

【技术特征摘要】
2016.01.12 US 14/993,3201.一种方法，其特征为，该方法包括：通过一编程处理器收集在一半导体设备制造的处理步骤期间的电子特征形式的晶圆级数据；在各该处理步骤期间将该电子特征转换为信号矩阵(MS)建模参数；比较该MS建模参数与预定的MS建模参数；以及根据该比较步骤的一结果，调整至少一处理步骤以用于制程控制。2.根据权利要求1所述的方法，其特征为，该方法包括：在该半导体设置制造中的模拟处理步骤期间收集该晶圆级数据。3.根据权利要求1所述的方法，其特征为，该半导体设备表现为模拟高密度模式。4.根据权利要求2所述的方法，其特征为，收集该晶圆级数据包括：收集临界尺寸(CD)、厚度、电阻(RS)、叠对误差(OVL)以及光学临界尺寸(OCD)的计量系统数据。5.根据权利要求2所述的方法，其特征为，该方法包括：使用第三阶或更高的建模收集该晶圆级数据。6.根据权利要求1所述的方法，其特征为，调整至少一处理步骤包括：调整在该半导体设备的实际生产中使用的处理设备的设置。7.根据权利要求1所述的方法，其特征为，该方法包括：在该处理步骤期间，收集该晶圆整个表面的晶圆级数据。8.根据权利要求2所述的方法，其特征为，该方法还包括：优化该晶圆级数据以改善一半导体设备最终产品的漏电流。9.根据权利要求8所述的方法，其特征为，该方法还包括：优化该晶圆级数据以改善一半导体设备最终产品的性能。10.根据权利要求1所述的方法，其特征为，该方法还包括：在该调整步骤之前生成一早期预警信号。11.根据权利要求1所述的方法，其特征为，该方法还包括：为了补偿目的而保持该电子特征。12.根据权利要求1所述的方法，其特征为，该方法还包括：控制MS建模参数的形状分布。13.一种设...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴东锡，A·瓦伊德，B·K·G·奈尔，
申请(专利权)人：格罗方德半导体公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛,KY