一种W-Si-C系反应体的高温制备方法技术

本发明专利技术公开了一种W‑Si‑C系反应体的高温制备方法，包括以下步骤：(a)称料：用天平称取一定量的SiC粉及W粉，二者质量比为(0.5：99.5)～(4：96)；(b)预制块体：将步骤(a)称得的W粉及SiC粉干燥处理后混合均匀，采用冷压且真空低温烧结的方法制得预制块体；(c)熔炼制备：对步骤(b)制得的预制块体进行熔炼反应，获得W‑Si‑C系反应体。本发明专利技术与传统的固相烧结方法相比，效率高、成本低，可制得优异性能的W‑Si‑C系反应体，该反应体可用于电子工业、核工业、航空航天与高压物理等领域。

【技术实现步骤摘要】
一种W-Si-C系反应体的高温制备方法
本专利技术涉及一种W-Si-C系反应体的高温制备方法。
技术介绍
W基复合材料具有高熔点、高温稳定性、高温强度、高热导、低热膨胀系数等特性，常被作为电子接触材料、面等离子体材料、火箭喷管及军用穿甲材料等，在电子工业、工程机械、航空航天、高压物理等领域应用广阔。但由于其往往晶粒粗大，晶界结合强度低等造成加工困难及低温脆性和回火脆性发生，限制了其应用前景。目前，有合金化(W-Re,W-Ir等)、高热稳定性颗粒改性、塑性变形等用来改善W基合金性能，但为了避免金属间化合物的产生，大多数情况都考虑了非反应体系。近年人们对W基反应体又有了新的认识，特别是W-Si-C系反应体：D.J.Lee等在SiC纳米线增强W基复合材料中发现存在W，W2C和W5Si3三相共存，通过在1350℃烧结，弯曲强度达到924MPa；A.Ivekovic等通过在1800℃热解制备得到的W-Si-C复合材料(SiC、WC、WSi2三相共存)，抗弯强度为400MPa，室温热导率为100Wm-1K-1，且当温升达到1000℃时，热导率降至32Wm-1K-1，等，效果显著。但这些都属于固相本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种W‑Si‑C系反应体的高温制备方法，其特征在于包括以下步骤：(a)称料：用天平称取一定量的SiC粉及W粉，二者质量比为(0.5：99.5)～(4：96)；(b)预制块体：将步骤(a)称得的W粉及SiC粉干燥处理后混合均匀，采用冷压且真空低温烧结的方法制得预制块体；(c)熔炼制备：对步骤(b)制得的预制块体进行熔炼反应，获得W‑Si‑C系反应体。

【技术特征摘要】
1.一种W-Si-C系反应体的高温制备方法，其特征在于包括以下步骤：(a)称料：用天平称取一定量的SiC粉及W粉，二者质量比为(0.5：99.5)～(4：96)；(b)预制块体：将步骤(a)称得的W粉及SiC粉干燥处理后混合均匀，采用冷压且真空低温烧结的方法制得预制块体；(c)熔炼制备：对步骤(b)制得的预制块体进行熔炼反应，获得W-Si-C系反应体。2.根据权利要求1所述的W-Si-C系反应体的高温制备方法，其特征在于步骤(a)中，所述W粉粒径为500nm～20μm，纯度为99％，其中W粉在原始反应体中质量含量范围为96wt％～99.5wt％。3.根据权利要求1所述的W-Si-C系反应体的高温制备方法，其特征在于步骤(a)中，所述SiC粉粒径为40nm～10μm，纯度为99％，其中SiC粉在原始反应体中质量含量范围为0.5wt％～4wt％。4.根据权利要求1所述的W-Si-C系反应体的高温制备方法，其特征在于步骤(b)中，所述W与SiC粉混合后采用低能球磨...

【专利技术属性】
技术研发人员：张联盟，康克家，罗国强，张建，沈强，王传彬，朱佳文，
申请(专利权)人：武汉理工大学，
类型：发明
国别省市：湖北,42