激光切割用膜基材、激光切割用膜以及电子部件的制造方法技术

本发明专利技术涉及激光切割用膜基材、激光切割用膜以及电子部件的制造方法。本发明专利技术提供一种厚度为50μm以上200μm以下的范围，初期应力为9MPa以上19MPa以下的范围，扩张率为102％以上120％以下的范围，雾度值为10以下，全光线透过率为90％以上的隐形切割用膜基材。

【技术实现步骤摘要】
激光切割用膜基材、激光切割用膜以及电子部件的制造方法本申请是申请日为2012年12月20日、专利技术名称为“激光切割用膜基材、激光切割用膜以及电子部件的制造方法”的中国专利技术专利申请No.201280064243.0(PCT申请号为PCT/JP2012/083154)的分案申请。
本专利技术涉及一种隐形切割(stealthdicing)用膜基材，以及使用该膜基材的隐形切割用膜和电子部件的制造方法。
技术介绍
在切割半导体晶片(wafer)时，一边使用冷却水和洗涤水，一边通过切割刀切断晶片，并在接下来的扩张工序中，对切断的晶片所对应的切割用膜进行扩张，从而进行芯片的小片化。这时，通过切割用膜固定半导体晶片，防止芯片的飞散。另一方面，作为半导体晶片的切割方法，已经提出了通过激光来切割半导体晶片的方法(例如，参见日本特开2007-245173号公报)。对于利用激光的切割法，一直以来已知有将激光聚集在晶片表面上，使晶片表面吸收激光，从而挖开沟的表面烧蚀方式。近年来，还提出了将激光聚集在晶片内部形成改性区域后，通过拉伸与晶片对应的切割用膜，从而以前述改性区域为起点分割晶片的方法(例如，隐形切割法)。在利用激光的切割法中，在隔着切割用膜照射激光时，为了不阻碍照射的激光而分切晶片，要求切割用膜具有高透明性。此外，对于切割用膜，还要求具有激光照射后的晶片分切可以良好进行的性状。在与上述情况的相关事项中，作为有关利用激光的切割法的技术，例如，已经公开了包含具有规定的拉伸弹性模量、粘合力等的粘合层和具有规定的拉伸弹性模量的基材层，并且扩张率和雾度处于规定范围内的切割膜(例如，参见日本特开2011-61097号公报)。通过该切割膜，可以得到高分切率。作为使用离子交联聚合物的切割技术，已经公开了具备含有钾离子交联聚合物的层的切割带用基材(例如，参见日本特开2011-40449号公报)。根据该切割带用基材，在抗静电性能方面优异。此外，还公开了具有以离子键树脂作为原料聚合物并配合了规定的结晶分散剂的基础片材和粘合剂层的半导体晶片用片材(例如，参见日本特开2000-273416号公报和日本特开2000-345129号公报)。根据该半导体晶片用片材，可以得到扩展(expand)均匀性。此外，作为使用含离子交联聚合物的交联树脂的切割技术，作为其基材膜，记载了通过使维卡软化点和由热收缩所产生的应力增大处于规定范围，从而在加热收缩工序后不会因松弛产生问题的切割膜(例如，参见日本特开2011-216508号公报)。此外，从防止须状切削屑的丝状化的观点考虑，还公开了一种用锌或镁等金属离子进行交联得到的离子键树脂(例如，参见日本特开2011-210887号公报)。进而，公开了一种在使用了EMAA的30μm厚的粘合剂涂布层和使用了低密度聚乙烯的30μm厚的扩展接触层之间，配置了含有结晶性聚丙烯的40μm厚的中间层的3层结构的晶片切割带用基材(例如，参见日本特开2003-158098号公报)。根据该晶片切割带用基材，在均匀扩张性方面优异。此外，还公开了一种在使用了低密度聚乙烯的2层之间，配置了使用了乙烯-甲基丙烯酸-(丙烯酸2-甲基-丙酯)3元共聚物或其锌离子键树脂的中心层的3层结构的半导体晶片固定用粘合带(例如，参见日本特开平7-230972号公报)。根据该半导体晶片固定用粘合带，可以防止扩展时的颈缩和在拾取针(pickuppin)上的附着。
技术实现思路
然而，虽然对于日本特开2011-61097号公报中记载的切割用膜来说，在高效分割基板这一点上，具有一定程度的适应性，并且对于日本特开2011-40449号公报中记载的切割带用基材来说，通过使用了钾离子交联聚合物，可以期待抗静电性能的改善，但在透明性或晶片的分切性方面，均存在有不一定适合市场要求的情况。此外，日本特开2000-273416号公报和日本特开2000-345129号公报中记载的片材，设想通过切割刀进行切割，而难以适用于使用激光的切割。进而，在日本特开2011-216508号公报中，公开了将离子交联聚合物适用于晶片加工用粘合带的相关内容，但这是用于解决使用切割刀切割时所存在问题的技术，无法预料到激光切割时的加工性。在日本特开2011-210887号公报中，公开了将离子交联聚合物适用于晶片加工用粘合带的相关内容，但该公开也是用于解决使用切割刀切割时所存在问题的技术，无法预料到激光切割时的加工性。如上所述，对于切割用膜的激光加工性而言，期待进一步的改善。此外，在日本特开2003-158098号公报中记载的晶片切割带用基材中，可以使用聚丙烯等聚烯烃作为构成层叠结构的中间层。一般来说，由于聚丙烯等在伸长时的应力极大，因此特别是在隐形切割法中，如果在进行激光照射后扩张切割用膜，则在扩展切割用膜时容易产生白化现象。相反，在构成为以使用3元共聚物的层作为中间层的3层结构的日本特开平7-230972号公报所记载的技术中，由于伸长初期的应力过小，因此难以良好地进行晶片的分切。在这种情况下，为了提高晶片的分切性，必须增加粘合带的扩展量，而增加粘合带的扩展量，则粘合带的挠曲量增大，结果可能会对搬送工序等产生不良影响。如此所述，在利用激光的以往的切割技术中，当隔着切割用膜照射激光时，从不受吸收、散射等影响使照射的激光聚集在晶片内部的观点考虑，实际上不一定能够确保充分的透明性。进而从确定激光照射位置的观点考虑，可见区域的透明性是必要的。此外，在利用激光的隐形切割法中，在激光照射后通过扩展切割用膜而均匀地扩张切割用膜，并且以切割用膜所对应的晶片内部的裂缝作为起点进行分切。为了提高这时的分切性，要求切割用膜所必需的应力，满足不会对白化等其他性状产生不良影响的规定范围。特别是在切割用膜的应力不足时，未必能够得到充分的分切性。此外，对于切割用膜来说，还要求具备抗静电性。本专利技术鉴于上述情况而完成，其提供一种适合于利用激光的隐形切割，透明性和晶片分切性优异的隐形切割用膜基材和隐形切割用膜、以及晶片分切性优异的电子部件的制造方法。所谓晶片的分切性，是指利用激光所形成的晶片内部的改性区域中的分割难易度。从获得良好分切性的观点考虑，切割用膜基材优选具备9MPa以上19MPa以下范围(优选的下限值为超过10MPa的范围)的应力，以及具有102％以上的扩张性(扩张率)。本专利技术人等为了改善制作具备粘合层和基材的隐形切割用膜时所设置的前述基材(以下，有时称为“隐形切割用膜基材”。)的晶片分切性(即，初期应力)和扩张性而反复进行了研究。本专利技术通过将前述膜基材的厚度保持为适当的厚度，并且将膜基材的初期应力和扩张率调节至规定的范围，得到了实现膜基材的分切性和扩张性的平衡的见解，并且基于这种见解而完成。用于解决前述问题的具体方案如下所述。<1>一种隐形切割用膜基材，其能够用作具备粘合层和基材的隐形切割用膜的所述基材，并且厚度为50μm以上200μm以下的范围，初期应力为9MPa以上19MPa以下的范围，扩张率为102％以上120％以下的范围，雾度值为10以下，全光线透过率为90％以上。<2>如<1>所述的隐形切割用膜基材，其含有选自乙烯·(甲基)丙烯酸系共聚物的镁离子交联聚合物和乙烯·(甲基)丙烯酸系共聚物的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种激光切割用膜基材，其能够用作具备粘合层和基材的激光切割用膜的所述基材，所述基材具有与所述粘合层接触的层X、第1层Y和第2层Z依次层叠的层叠结构、或者与所述粘合层接触的层X、第2层Z和第1层Y依次层叠的层叠结构，并且所述层X、所述层Y和所述层Z的厚度为10μm以上100μm以下的范围，所述基材含有选自乙烯·不饱和羧酸系共聚物及其离子交联聚合物树脂中的至少一种。

【技术特征摘要】
2011.12.26 JP 2011-284379;2012.03.09 JP 2012-053381.一种激光切割用膜基材，其能够用作具备粘合层和基材的激光切割用膜的所述基材，所述基材具有与所述粘合层接触的层X、第1层Y和第2层Z依次层叠的层叠结构、或者与所述粘合层接触的层X、第2层Z和第1层Y依次层叠的层叠结构，并且所述层X、所述层Y和所述层Z的厚度为10μm以上100μm以下的范围，所述基材含有选自乙烯·不饱和羧酸系共聚物及其离子交联聚合物树脂中的至少一种。2.如权利要求1所述的激光切割用膜基材，其中，所述与粘合层接触的层X含有树脂A，所述树脂A的弯曲刚性模量为100MPa以上350MPa以下的范围，所述第1层Y含有树脂B，所述树脂B的弯曲刚性模量为5MPa以上350MPa以下的范围，所述第2层Z含有树脂C，所述树脂C的弯曲刚性模量为50MPa以上350MPa以下的范围，并且，分别从所述树脂A或所述树脂C的弯曲刚性模量中减去所述树脂B的弯曲刚性模量的差的绝对值较大一方的值为50MPa以上345MPa以下的范围。3.如权利要求1或2所述的激光切割用膜基材，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：中野重则，锦织雅弘，桥本芳惠，宫下雄介，
申请(专利权)人：三井—杜邦聚合化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP